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유기 반도체/절연성 고분자 블렌드를 이용한 유기 반도체 나노섬유분산체 제조방법 및 이를 이용하여 제조되는 유기박막 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2014026637
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기 박막 트랜지스터 제조에 사용되는 유기 반도체 박막 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 유기 반도체와 절연성 고분자를 혼합하여 제조되는 유기반도체/절연성 고분자 블렌드 박막과 이를 이용하여 제조되는 유기 박막 트랜지스터에 관한 것이다.본 발명에 있어서, 유기 반도체 박막은 유기 반도체 나노 섬유가 절연성 고분자 층 내에 네크워크 형태로 분산되어 있다. 이러한 유기 반도체 박막은 유기 반도체/절연성 고분자 블렌드를 유기반도체의 한계성 용매에 용해시켜, 용해도를 조절하여 코팅함으로써 형성될 수 있다.본 발명에 따른 유기반도체/절연성 고분자 블렌드 박막은 3중량% 정도의 유기 반도체를 포함하면서도 유기 반도체만 사용한 박막과 동일한 수준의 전기적 특성을 나타낸다. 더불어 절연성 고분자를 유기 박막 트랜지스터의 보호층으로 사용할 수 있기 때문에 보호층 형성 공정을 줄일수 있다.유기 박막 트랜지스터, 유기반도체, 블렌드, 한계성 용매, 유기반도체 나노 섬유
Int. CL B82Y 30/00 (2011.01) H01L 29/786 (2006.01) H01L 51/00 (2006.01)
CPC H01L 51/0036(2013.01) H01L 51/0036(2013.01) H01L 51/0036(2013.01)
출원번호/일자 1020080129436 (2008.12.18)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1376494-0000 (2014.03.12)
공개번호/일자 10-2010-0070749 (2010.06.28) 문서열기
공고번호/일자 (20140319) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.12.18)
심사청구항수 32

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조길원 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 츄롱첸 중국 POSTECH, Polymer Reseach Institute, Hyoj
3 이위형 대한민국 경상북도 경주시 용담로**번길 *

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박상훈 대한민국 서울특별시 영등포구 선유로 *길 **, **층 ****호 (문래동*가, 문래 sk v*센터)(새생명특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.12.18 수리 (Accepted) 1-1-2008-0871097-82
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2009.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2009-0648866-45
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.10.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0656089-18
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.02.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.03.15 수리 (Accepted) 9-1-2010-0014678-98
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0431163-05
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2010-0780662-15
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2010-0872257-17
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.01.31 수리 (Accepted) 1-1-2011-0074147-32
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.02.28 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2011-0143834-98
11 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0143919-70
12 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2011.03.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0020271-80
13 지정기간연장관련안내서
Notification for Extension of Designated Period		 2011.03.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0020921-59
14 서류반려통지서
Notice for Return of Document		 2011.03.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0025670-55
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.03.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0229338-47
16 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.03.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0229369-52
17 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.08.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0482371-14
18 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.10.26 수리 (Accepted) 1-1-2011-0839562-54
19 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.11.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0935219-38
20 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2011-1031894-02
21 보정요구서
Request for Amendment		 2012.01.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0003250-12
22 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)		 2012.01.26 수리 (Accepted) 1-1-2012-0015567-12
23 [명세서등 보정] 보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.01.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0064926-48
24 [거절이유 등 통지에 따른 의견] 의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.01.26 수리 (Accepted) 1-1-2012-0064959-44
25 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.07.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0412008-15
26 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2012.08.14 수리 (Accepted) 7-1-2012-0037868-50
27 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner		 2012.11.30 수리 (Accepted) 7-8-2012-0038781-63
28 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
29 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
30 등록결정서
Decision to grant		 2014.03.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0175691-00
31 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
32 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
33 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
고분자 매트릭스 내에 폴리3헥실티오펜(P3HT)인 유기 반도체가 섬유상을 이루면서 상호 연결되어 네트워크 형태로 분산되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 반도체 박막
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 섬유상 유기 반도체는 나노 섬유인 것을 특징으로 하는 유기 반도체 박막
4 4
제3항에 있어서, 상기 나노 섬유는 고분자 반도체인 것을 특징으로 하는 유기 반도체 박막
5 5
제4항에 있어서, 상기 고분자는 반결정성 고분자인 것을 특징으로 하는 유기 반도체 박막
6 6
제1항에 있어서, 상기 유기 반도체는 용해도의 저하에 따라 섬유상으로 석출되는 반도체인 것을 특징으로 하는 유기 반도체 박막
7 7
삭제
8 8
제1항에 있어서, 상기 유기 반도체는 박막에 0
9 9
제1항에 있어서, 상기 고분자 매트릭스는 절연성 고분자 매트릭스인 것을 특징으로 하는 유기 반도체 박막
10 10
제9항에 있어서, 상기 절연성 고분자 매트릭스는 폴리스티렌, PMMA, 또는 에폭시인 것을 특징으로 하는 유기 반도체 박막
11 11
폴리3헥실티오펜(P3HT)인 유기 반도체와 절연성 고분자가 용해된 용액의 용해도를 저하시켜, 상기 유기 반도체가 섬유상을 이루면서 상호 연결되어 네트워크 형태로 분산되어 있는 고분자 박막을 형성하는 것을 특징으로 유기 반도체 박막 제조 방법
12 12
제11항에 있어서, 상기 유기 반도체는 나노 섬유형태로 분산되는 것을 특징으로 하는 유기 반도체 박막 제조 방법
13 13
제11항에 있어서, 상기 용액을 냉각하여 용해도를 저하시키는 것을 특징으로 하는 유기 반도체 박막 제조 방법
14 14
제13항에 있어서, 상기 용액은 한계성 용매를 이용한 것을 특징으로 하는 유기 반도체 박막 제조 방법
15 15
제13항에 있어서, 상기 유기 반도체가 상온에서 석출되는 특징으로 하는 유기 반도체 박막 제조 방법
16 16
제11항에 있어서, 상기 용액을 난용성 용매와 혼합하여 용해도를 저하시키는 것을 특징으로 하는 유기 반도체 박막 제조 방법
17 17
제11항에 있어서, 상기 유기 반도체는 반결정성 고분자인 것을 특징으로 하는 유기 반도체 박막 제조 방법
18 18
삭제
19 19
제17항에 있어서, 상기 박막은 스핀 캐스팅, 또는 드랍 캐스팅 에 의해서 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 반도체 박막 제조 방법
20 20
삭제
21 21
삭제
22 22
삭제
23 23
삭제
24 24
기판상에 형성된 게이트 전극;상기 게이트 전극을 절연시키는 게이트 절연막;상기 절연막 위에 형성되는 소스 전극 및 드레인 전극; 및상기 소스 전극과 드레인 전극을 연결하며, 고분자 매트릭스에 폴리3헥실티오펜(P3HT)인 유기 반도체 나노 섬유가 상호 연결되어 네트워크 형태로 분산되어 있는 박막;을 구비하는 유기 박막 트랜지스터
25 25
삭제
26 26
제24항에 있어서, 상기 나노 섬유는 반결정성 고분자인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
27 27
삭제
28 28
제24항에 있어서, 상기 나노 섬유는 박막 대비 0
29 29
제24항에 있어서, 상기 박막은 절연성 고분자인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
30 30
제24항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 또는 플렉서블 기판인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
31 31
제24항에 있어서, 상기 나노 섬유는 박막의 상면, 중간층 및 하면에 형성된 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
32 32
기판상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극을 절연시키는 게이트 절연막을 제공하는 단계;상기 절연막 위에 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계; 및상기 소스 전극과 드레인 전극을 연결하는 박막을 형성하는 단계로서, 폴리3헥실티오펜(P3HT)인 유기 반도체 물질과 비전도성 고분자가 용해된 용액을 코팅하고 용해도를 저하시켜, 반도체 나노 섬유가 상호 연결되어 네트워크 형태로 분산되어 있는 박막을 형성하는 단계;를 포함하는 유기 박막 트랜지스터 제조 방법
33 33
삭제
34 34
제32항에 있어서, 상기 용액의 온도를 낮추어 용해도를 저하시키는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터 제조 방법
35 35
제34항에 있어서, 상기 용액은 상온에서 반도체 나노섬유가 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터 제조 방법
36 36
제32항에 있어서, 상기 용액의 용해도는 상기 용액에 난용매를 첨가하여 저하되는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터 제조 방법
37 37
제36항에 있어서, 상기 난용매는 디옥산, 아세토니트릴, 또는 에탄올인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 제조 방법
38 38
제32항에 있어서, 상기 유기 반도체는 박막의 0
39 39
제32항에 있어서, 상기 용액은 스핀 캐스팅, 또는 드랍 캐스팅되는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터 제조 방법
40 40
제32항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 또는 플렉서블 기판인 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터 제조 방법
41 41
제1항, 제3항 내지 제6항 및 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따른 유기 반도체 박막을 포함하는 전기 장치
42 42
제1항, 제3항 내지 제6항 및 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따른 유기 반도체 박막을 포함하는 구조체
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP02377178 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 EP02377178 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 US08692236 US 미국 FAMILY
4 US20120018708 US 미국 FAMILY
5 WO2010071267 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP2377178 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
2 EP2377178 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
3 EP2377178 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
4 US2012018708 US 미국 DOCDBFAMILY
5 US8692236 US 미국 DOCDBFAMILY
6 WO2010071267 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 포항공과대학교 산학협력단 나노소재기술개발사업 유연소재용 고경도 내마모성 유기/무기 하이브리드 나노코팅기술