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기판;
상기 기판 위에 형성된 유기물 활성층;
상기 유기물 활성층 상에 형성된 드레인 전극 및 소스 전극; 및
상기 유기물 활성층에 빛을 조사하여 상기 유기물 활성층의 전하를 여기시키기 위한 광원;
을 포함하는 2전극 구조의 유기 박막 트렌지스터
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제1항에 있어서, 상기 유기물 활성층은 단결정 유기물 활성층인 것을 특징으로 하는 2전극 구조의 유기 박막 트렌지스터
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제1항에 있어서, 상기 유기물 활성층은 2,6-디(나프탈렌-2일)-9,10-비스(트리이소프로필실릴에테닐)안트라센인 것을 특징으로 하는 2전극 구조의유기 박막 트렌지스터
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제1항에 있어서, 상기 유기물 활성층은 폴리아세틸렌(polyacetylene), 폴리씨오펜(polythiophene), P3HT(poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl)), F8T2(poly(9,9'-dioctylfluorene-co-bithiophene)), PTV(poly(thienylene vinylene)), 펜타센(pentacene), 테트라센(tetracene), 안트라센(anthracene), 루브렌(rubrene) 및 α-6T(alpha-hexathienylene)으로 이루어진 그룹에서 선택되는 유기박막 혹은 유기 크리스탈인 것을 특징으로 하는 2전극 구조의 유기 박막 트랜지스터
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 유기물 활성층 및 소스와 드레인 전극은 용액 공정으로 형성되는 것을 특징으로 하는 2전극 구조의 유기 박막 트랜지스터
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유기물 활성층은 1 - 6㎛의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 2전극 구조의 유기 박막 트랜지스터
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7
제1항에 있어서, 상기 기판은 플렉시블 고분자 기판인 것을 특징으로 하는 2전극 구조의 유기 박막 트렌지스터
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제7항에 있어서, 상기 고분자 기판은 폴리에테르술폰(poly(ethersulfone)), 폴리카보네이트(polycarbonate),폴리에틸렌나프탈레이트(polyethylenenaphtalate), 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephtalate)으로 이루어진 그룹에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 2전극 구조의 유기 박막 트랜지스터
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 광원은 유기/무기 엘이디, 자연광, 형광등, 백열등으로 이루어진 그룹에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 2전극 구조의 유기 박막 트랜지스터
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 드레인 전극 및 소스 전극은 금(Au), 백금(Pt), 구리(Cu), 은(Ag)으로 이루어진 그룹에서 선택되는 금속이거나 PEDOT/PSS와 같은 전도성 고분자를 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 2전극 구조의 유기 박막 트랜지스터
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11
기판상에 유기물 활성층과 상기 유기물 활성층으로 연결되는 드레인과 소스 전극을 형성하고, 상기 유기물 활성층에 빛을 조사하여 유기물 활성층의 전하를 여기시켜 상기 소스 전극과 드레인 전극 사이의 전류의 흐름을 조절하는 것을 특징으로 하는 방법
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12
제11항에 있어서, 상기 전류의 흐름은 빛의 밝기에 따라 조절되는 것을 특징으로 하는 방법
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13
제11항 또는 제12항에 있어서, 상기 유기물 활성층은 결정성 유기물 활성층인 것을 특징으로 하는 방법
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14
제13항에 있어서,상기 결정성 유기물은 단일 결정성 유기물인 것을 특징으로 하는 방법
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제14항에 있어서, 상기 유기물 활성층은 2,6-디(나프탈렌-2-일)-9,10-비스(트리이소프로필실릴에테닐)안트라센인것을 특징으로 하는 방법
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16
제13항에 있어서, 상기 2,6-디(나프탈렌-2-일)-9,10-비스(트리이소프로필실릴에테닐)안트라센의 결정학상 a 방향을 활성층으로 사용하는 것을 특징으로 하는 방법
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17
제11항 또는 제12항에 있어서, 상기 유기물 활성층의 두께는 6㎛이하인 것을 특징으로 하는 방법
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기판상에 용액 공정으로 유기 활성층을 형성시키는 단계;
상기 활성층으로 연결되는 드레인 전극 및 소스전극을 형성하는 단계; 및
유기 활성층 내의 전하를 여기시키는 광원을 설치하는 단계
를 포함하는 유기 박막 트렌지스터 제조 방법
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