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용액 코팅 씨앗층 형성 공정에 의한 갈륨 질소 박막 및 후막 성장 방법

  • 기술번호 : KST2014026722
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 Ga(mDTC)3 와 같이 갈륨을 함유하고 600 ℃ 이하에서 황화물로의 전환이 용이하고 700 ℃ 이하에서 질화물로의 전환이 용이한 전구체 물질과, 클로로포름과 같이 상기한 전구체 물질을 용해하며 100 ℃ 이하에서 증발이 용이하고 잔유물이 남지 않는 용매를 혼합하여 기판 상에 스핀코팅한 후, 이를 이용하여 통상의 HVPE 및 MOCVD법을 사용하여 GaN 박막 및 후막을 성장시키는 것을 특징으로 하는 용액 코팅 씨앗층 형성 공정에 의한 갈륨 질소 박막 및 후막 성장 방법을 제공하여 비교적 낮은 온도에서 우수한 품질의 GaN 결정막을 얻을 수 있도록 하는 데 있다.GaN, 박막, 후막, 스핀코팅, 전구체, 씨앗층 형성
Int. CL H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/02628(2013.01) H01L 21/02628(2013.01) H01L 21/02628(2013.01) H01L 21/02628(2013.01)
출원번호/일자 1020070037069 (2007.04.16)
출원인 영남대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0877897-0000 (2009.01.05)
공개번호/일자 10-2008-0093299 (2008.10.21) 문서열기
공고번호/일자 (20090112) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.04.16)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 영남대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 경산시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박진호 대한민국 경북 경산시
2 정우식 대한민국 대구 수성구
3 윤덕선 대한민국 대구 달서구
4 김도훈 대한민국 대구 수성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 안경주 대한민국 대구광역시 달서구 용산로 ***, ****호 베스트국제특허법률사무소 (용산동, 그랜드M 타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 영남대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 경산시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2007.04.16 수리 (Accepted) 1-1-2007-0289121-15
2 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items
2007.04.18 수리 (Accepted) 1-1-2007-0294703-95
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0295249-16
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2008.07.30 수리 (Accepted) 1-1-2008-0551703-36
5 보정요구서
Request for Amendment
2008.08.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0097247-83
6 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2008.08.08 수리 (Accepted) 1-1-2008-0566508-80
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.08.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0576173-67
8 등록결정서
Decision to grant
2008.12.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0651888-22
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2009-0002966-87
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2014-5029868-88
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2014-5037590-23
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2017-5175631-14
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5220555-67
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번호 청구항
1 1
갈륨을 함유하고 600 ℃ 이하에서 황화물로의 전환이 용이하고 700 ℃ 이하에서 질화물로의 전환이 용이한 전구체 물질과, 상기한 전구체 물질을 용해하며 100 ℃ 이하에서 증발이 용이하고 잔유물이 남지 않는 용매를 혼합하여 기판 상에 스핀코팅한 후, 이를 기판으로서 갈륨 질소 막을 성장시키는 것을 특징으로 하는 용액 코팅 씨앗층 형성 공정에 의한 갈륨 질소 막 성장 방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기한 구성에서 전구체 물질은 트리스(N,N-디메틸디티오카바메토)-갈륨(III)(tris(N,N-dimethyldithiocarbamato)-gallium(III))인 것을 특징으로 하는 용액 코팅 씨앗층 형성 공정에 의한 갈륨 질소 막 성장 방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기한 용매는 클로로포름(CHCl3)인 것을 특징으로 하는 용액 코팅 씨앗층 형성 공정에 의한 갈륨 질소 막 성장 방법
4 4
제 1항에 있어서, 스핀코팅 과정에서 전구체 물질과 용매의 농도는 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.