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센서 구조의 제조방법으로서,(a) 기판에 하부 전극을 형성하는 단계;(b) 상기 전극 상에 기공 구조를 구비한 유기 주형을 형성하는 단계;(c) 상기 유기 주형에 금속산화물 박막을 형성하는 단계;(d) 상기 유기 주형을 건식법으로 제거하여 수직으로 정렬되며 상단부가 연결된 금속산화물 나노튜브 구조를 형성하는 단계; 및 (e) 상기 나노튜브의 상단부에 상부 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 방법
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센서 구조의 제조방법으로서,(a) 전극으로 이용할 수 있는 기판에 기공 구조를 구비한 유기 주형을 형성하는 단계;(b) 상기 유기 주형에 금속산화물 박막을 형성하는 단계;(c) 상기 유기 주형을 건식법으로 제거하여 수직으로 정렬되며 상단부가 연결된 금속산화물 나노튜브 구조를 형성하는 단계; 및 (d) 상기 나노튜브의 상단부에 상부 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 유기 주형을 형성하는 단계는,상기 기판에 고분자 필름을 형성하는 단계;상기 고분자 필름상에 기공 구조를 갖는 AAO 마스크를 형성하는 단계; 식각공정을 통해 상기 AAO 마스크의 기공 구조를 상기 고분자 필름에 전사하는 단계; 및상기 AAO 마스크를 제거하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 유기 주형은 폴리이미드로 이루어진 것을 특징으로 하는 방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 금속산화물 박막의 형성은 ALD법에 의하는 것을 특징으로 하는 방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 유기 주형의 제거는 열분해에 의하는 것을 특징으로 하는 방법
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제 3 항에 있어서, 상기 고분자 필름은 스핀코팅, 딥코팅, 바코팅 또는 솔벤트 캐스팅으로 형성되는 것을 특징으로 하는 방법
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제 3 항에 있어서, 상기 고분자 필름의 식각은 O2 RIE (Reactive Ion Etching)을 이용하는 것을 특징으로 하는 방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 방법에 의해 제조된 센서 소자
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나노튜브의 제조방법으로서, (a) 기판에 고분자 필름을 형성하는 단계;(b) 상기 필름상에 기공 구조를 갖는 AAO 마스크를 형성하는 단계; (c) 식각공정을 통해 상기 AAO 마스크의 기공 구조를 상기 고분자 필름에 전사하여 고분자 주형을 형성하는 단계;(d) 상기 AAO 마스크를 제거하는 단계;(e) 상기 고분자 주형에 박막을 형성하는 단계; 및(f) 상기 고분자 주형을 열분해시켜 제거하는 단계;를 포함하여,수직으로 정렬된 나노튜브의 상단부가 상호 연결된 구조를 갖도록 한 나노튜브의 제조방법
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나노튜브의 제조방법으로서, (a) 기판에 고분자 필름을 형성하는 단계;(b) 상기 필름상에 기공 구조를 갖는 AAO 마스크를 형성하는 단계; (c) 식각공정을 통해 상기 AAO 마스크의 기공 구조를 상기 고분자 필름에 전사하여 고분자 주형을 형성하는 단계;(d) 상기 AAO 마스크를 제거하는 단계;(e) 상기 고분자 주형에 박막을 형성하는 단계; 및(f) 상기 고분자 주형의 상부에 형성된 박막을 제거하고 고분자 주형을 열분해시켜 제거하는 단계;를 포함하여,수직으로 정렬된 나노튜브의 상단부가 상호 분리된 구조를 갖도록 한 나노튜브의 제조방법
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