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산화티타늄(TiO2) 나노 입자를 포함하는 슬러리를 제조하는 단계;상기 슬러리를 건조하여 수십 마이크로미터(μm)의 산화티타늄 분말을 제조하는 단계;모재를 전처리하는 단계; 및75~100SCFH/60~100psi의 아르곤 가스 및 5~10SCFH/30~100psi의 수소 가스를 사용하며, 용사 거리는 40~150mm로 조절하는 플라즈마 용사(plasma spray) 방법으로 상기 산화티타늄 분말을 상기 모재 상에 막으로 형성하는 단계;를 포함하는 산화티타늄막의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 모재를 전처리하는 것은 기계적 연마 또는 탈지공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 산화티타늄막의 제조방법
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제 2 항에 있어서,상기 기계적 연마는 샌드블라스터(sandblaster)를 이용하는 것을 특징으로 하는 산화티타늄막의 제조방법
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제 2 항에 있어서,상기 탈지공정은 알칼리 탈지공정 또는 초음파 탈지공정을 이용하는 것을 특징으로 하는 산화티타늄막의 제조방법
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제 4 항에 있어서,상기 알칼리 탈지공정은 수산화나트륨(NaOH) 용액 또는 삼염화에틸렌트리클렌:디클로로카벤(CHCl:CCl2) 용액을 이용하는 것을 특징으로 하는 산화티타늄막의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 플라즈마 용사는 아르곤 가스(Ar gas) 및 수소가스(H2 gas)를 이용하는 것을 특징으로 하는 산화티타늄막의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 슬러리를 제조하는 것은 분산제, 소포제 및 결합제 중 하나 이상을 포함하여 제조하는 것인 산화티타늄막의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 산화티타늄 나노 입자는 아나타제(anatase) 상인 것을 특징으로 하는 산화티타늄막의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 슬러리를 건조하는 것은 180~200℃의 온도 하에서 수행하는 것인 산화티타늄막의 제조방법
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