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반도체 영역의 선택적 식각방법

  • 기술번호 : KST2014026777
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 n-GaN계열의 제1 반도체영역과 상기 제1 반도체영역과 다른 도핑 농도를 갖는 n-GaN계열의 제2반도체 영역을 포함하는 반도체 구조물을 양극으로 하고 전해액을 음극으로 하여 전해 에칭을 수행하여, 제1 반도체영역과 제2 반도체 영역의 에칭 속도가 서로 다르게 하여 반도체 영역의 선택적 식각방법 및 반도체소자를 기판으로부터 분리하는 방법을 제공한다. GaN, 기판 분리, 전해액, 전해에칭
Int. CL H01L 33/12 (2014.01)
CPC H01L 33/0079(2013.01) H01L 33/0079(2013.01)
출원번호/일자 1020080097552 (2008.10.06)
출원인 전남대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1001773-0000 (2010.12.09)
공개번호/일자 10-2010-0038539 (2010.04.15) 문서열기
공고번호/일자 (20101215) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020100099900;
심사청구여부/일자 Y (2008.10.06)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전남대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 류상완 대한민국 광주 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정태훈 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전남대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.10.06 수리 (Accepted) 1-1-2008-0695708-07
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.07.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0298925-46
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.09.13 수리 (Accepted) 1-1-2010-0593908-10
4 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2010.10.13 수리 (Accepted) 1-1-2010-0661710-17
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.10.13 수리 (Accepted) 1-1-2010-0661692-72
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.10.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0661694-63
7 등록결정서
Decision to grant
2010.12.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0552307-32
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2012-5157698-67
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000058-61
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2015-5076218-57
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.07.07 수리 (Accepted) 4-1-2016-5093177-51
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.30 수리 (Accepted) 4-1-2018-5056463-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
n-GaN계열의 제1 반도체영역과 n-GaN계열의 제2반도체 영역을 기판 상에 준비하는 단계; 상기 제1 반도체영역과 제2 반도체 영역을 양극으로 하고 옥살산을 함유한 전해액을 음극으로 하여 전해 에칭을 수행하는 단계; 및 상기 제1 반도체영역과 제2 반도체 영역은 도핑 농도를 상이하게 조절함으로써, 에칭 속도가 서로 다르게 조절되는 반도체 영역의 선택적 식각방법
2 2
n-GaN계열의 제1 반도체영역과, 그 내부에 식각촉진층이 마련되는 n-GaN계열의 제2반도체 영역을 기판 상에 준비하는 단계; 및 상기 제1 반도체영역과 제2 반도체 영역을 양극으로 하고 옥살산을 함유한 전해액을 음극으로 하여 전해 에칭을 수행하는 단계를 구비하는 반도체 영역의 선택적 식각방법
3 3
제2 항에 있어서, 상기 식각촉진층은 제2 반도체영역을 형성하는 중간에 산화처리, 불순물 처리 또는 공기중 노출함으로써 형성되는 반도체 영역의 선택적 식각방법
4 4
삭제
5 5
제1 항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 있어서, 제1 반도체영역과 제2 반도체 영역 사이에 도핑되지 않은 GaN계열의 반도체층이 형성된 구조인 것을 특징으로 하는 반도체 영역의 선택적 식각방법
6 6
제1 항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 있어서, 도핑되지 않은 GaN계열의 반도체층은 상기 제1 반도체영역과 접촉되어 적층된 구조인 것을 특징으로 하는 반도체 영역의 선택적 식각방법
7 7
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8 8
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9 9
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10 10
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11 11
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12 12
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13 13
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14 14
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15 15
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR100889978 KR 대한민국 FAMILY
2 KR101001782 KR 대한민국 FAMILY
3 WO2009048265 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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