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반도체소자를 기판으로부터 분리하는 방법

  • 기술번호 : KST2014026780
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 n-GaN계열의 제1 반도체영역과 상기 제1 반도체영역과 다른 도핑 농도를 갖는 n-GaN계열의 제2반도체 영역을 포함하는 반도체 구조물을 양극으로 하고 전해액을 음극으로 하여 전해 에칭을 수행하여, 제1 반도체영역과 제2 반도체 영역의 에칭 속도가 서로 다르게 하여 반도체 영역의 선택적 식각방법 및 반도체소자를 기판으로부터 분리하는 방법을 제공한다.
Int. CL H01L 33/02 (2014.01) H01L 33/12 (2014.01)
CPC H01L 33/0079(2013.01) H01L 33/0079(2013.01) H01L 33/0079(2013.01) H01L 33/0079(2013.01)
출원번호/일자 1020100099900 (2010.10.13)
출원인 전남대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1001782-0000 (2010.12.09)
공개번호/일자 10-2010-0114493 (2010.10.25) 문서열기
공고번호/일자 (20101215) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2008-0097552 (2008.10.06)
관련 출원번호 1020080097552
심사청구여부/일자 Y (2010.10.13)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전남대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 류상완 대한민국 광주 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정태훈 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전남대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2010.10.13 수리 (Accepted) 1-1-2010-0661710-17
2 등록결정서
Decision to grant		 2010.12.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0554393-95
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2012-5157698-67
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000058-61
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2015-5076218-57
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.07.07 수리 (Accepted) 4-1-2016-5093177-51
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.30 수리 (Accepted) 4-1-2018-5056463-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 기판 상에 n-GaN계열의 제1 반도체영역과 n-GaN계열의 제2반도체 영역을 포함하는 반도체 소자부를 준비하는 단계;상기 반도체 소자부를 제2 기판에 부착하는 단계; 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 양극으로 하고 전해액을 음극으로 하여 전해 에칭을 수행하는 단계를 포함하되,상기 제1 반도체영역과 제2 반도체 영역은 도핑 농도를 상이하게 조절함으로써 에칭 속도가 서로 다르게 조절되어, 상기 제2 반도체영역이 제거되어 반도체소자를 기판으로부터 분리하는 방법
2 2
제1 기판 상에 n-GaN계열의 제1 반도체영역과 n-GaN계열의 제2반도체 영역을 포함하는 반도체 소자부를 준비하는 단계;상기 반도체 소자부를 제2 기판에 부착하는 단계; 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 양극으로 하고 전해액을 음극으로 하여 전해 에칭을 수행하는 단계를 포함하되,상기 제2 반도체영역의 내부에 식각촉진층이 마련되어 상기 제1 반도체 영역보다 상기 제2 반도체영역이 식각이 촉진되어 제거됨으로써 반도체소자를 기판으로부터 분리하는 방법
3 3
제2 항에 있어서,상기 식각촉진층은 제2 반도체영역을 형성하는 중간에 산화처리, 불순물 처리 또는 공기중 노출함으로써 형성되는 반도체소자를 기판으로부터 분리하는 방법
4 4
제1 항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전해액은 옥살산 또는 KOH를 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체소자를 기판으로부터 분리하는 방법
5 5
제1 항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 있어서,제1 반도체영역과 제2 반도체 영역 사이에 도핑되지 않은 n-GaN계열의 반도체층이 형성된 구조인 것을 특징으로 하는 반도체소자를 기판으로부터 분리하는 방법
6 6
제1 항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 있어서,도핑되지 않은 GaN계열의 반도체층은 상기 제1 반도체영역과 접촉되어 적층된 구조인 것을 특징으로 하는 반도체소자를 기판으로부터 분리하는 방법
7 7
제1 항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제2 반도체층은 상기 반도체 소자부의 일부를 구성하거나 더미 형태로 삽입되는 반도체소자를 기판으로부터 분리하는 방법
8 8
제1 항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 기판은 반도체 기판이고, 제2 기판은 금속 기판인 것을 특징으로 하는 반도체소자를 기판으로부터 분리하는 방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR100889978 KR 대한민국 FAMILY
2 KR101001773 KR 대한민국 FAMILY
3 WO2009048265 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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