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1
핸들링부; 및
상기 핸들링부에 연결된 캔틸레버부;를 포함하며,
상기 캔틸레버부:는
상기 핸들링부의 일면에 연결되는 연결부;
상기 연결부의 끝단에 형성되되, 2개씩 서로 마주보는 형태로 구비되는 4개의 캔틸레버; 및
상기 각각의 캔틸레버 끝단에 형성된 탐침;을 포함하는 마이크로 탐침장치
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2
제 1 항에 있어서,
상기 각각의 탐침은 상부면이 끝단으로 갈수록 두께가 얇아지는 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 탐침장치
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3
제 1 항에 있어서,
상기 핸들링부 및 캔틸레버부는 실리콘 기판으로 구비되는 것을 특징으로 하는 마이크로 탐침장치
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4
제 1 항에 있어서,
상기 각각의 캔틸레버의 상부면에는 일정패턴의 홈이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 마이크로 탐침장치
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5
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 각각의 캔틸레버의 상부면에 형성되어, 상기 캔틸레버를 구동시키는 이온주입 배선을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 탐침장치
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6
제 5 항에 있어서,
상기 핸들링부의 일정부분에 구비되되, 상기 이온주입 배선과 각각 연결되어 있는 이온주입부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 탐침장치
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7
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 각각의 캔틸레버 및 상기 각각의 탐침 상부면에는 금속배선이 형성된 것을 특징으로 하는 마이크로 탐침장치
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8
제 7 항에 있어서,
상기 핸들링부의 일정부분에 구비되되, 상기 금속 배선과 각각 연결되어 있는 금속 배선부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 탐침장치
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9
핸들링부;
상기 핸들링부와 연결되는 연결부와 상기 연결부의 끝단에 형성된 복 수개의 캔틸레버 및 상기 캔틸레버의 끝단에 형성된 탐침을 구비하는 캔틸레버부; 및
상기 캔틸레버의 상부면에 형성되어, 상기 캔틸레버를 구동시키는 이온주입배선;을 포함하되, 상기 복 수개의 캔틸레버는 4개로 구비되며, 4개의 캔틸레버가 2개씩 서로 마주보는 구조로 구비되는 것을 특징으로 하는 마이크로 탐침장치
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10
삭제
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11
제 9 항에 있어서,
상기 각각의 탐침은 상부면이 끝단으로 갈수록 두께가 얇아지는 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 탐침장치
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12
제 11 항에 있어서,
상기 핸들링부 및 캔틸레버부는 실리콘 기판으로 구비되는 것을 특징으로 하는 마이크로 탐침장치
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13
제 11 항에 있어서,
상기 복 수개의 캔틸레버의 상부면에는 일정 패턴의 홈이 형성된 것을 특징으로 하는 마이크로 탐침장치
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14
제 11 항에 있어서,
상기 핸들링부의 일정부분에 구비되되, 상기 이온주입 배선과 연결되어 있는 이온주입부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 탐침장치
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15
제 11 항에 있어서,
상기 복 수개의 캔틸레버 및 탐침 상부면에 금속 배선이 각각 형성된 것을 특징으로 하는 마이크로 탐침장치
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16
제 15 항에 있어서,
상기 핸들링부의 일정부분에 구비되되, 상기 금속 배선과 연결되어 있는 금속 배선부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 탐침장치
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17
실리콘 기판의 양면에 산화막을 형성하는 제 1 단계;
상기 실리콘 기판의 일면에 일정패턴의 홈을 형성하는 제 2 단계;
상기 실리콘 기판에 캔틸레버 형상을 패터닝하되, 상기 홈이 상기 캔틸레버 상부면에 위치하도록 패터닝 하는 제 3 단계;
상기 실리콘 기판을 식각하여 상기 캔틸레버 및 탐침을 형성하되, 식각방법으로는 습식식각을 통한 등방성 식각을 수행한 후, 건식식각을 통한 이방성 식각을 수행하는 제 4 단계;
상기 캔틸레버의 상부면에 이온주입 배선을 형성하는 제 5 단계;
상기 캔틸레버 및 탐침 위에 금속층을 형성하고, 식각을 통하여 금속배선을 형성하는 제 6 단계; 및
상기 실리콘 기판의 반대면을 식각을 통하여 일정부분 제거하는 제 7 단계;를 포함하는 마이크로 탐침장치 제조방법
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18
제 17 항에 있어서,
상기 캔틸레버는 4개의 캔틸레버가 2개씩 서로 마주보는 구조가 되도록 식각되는 것을 특징으로 하는 마이크로 탐침장치 제조방법
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19
제 17 항에 있어서,
상기 탐침은 상부면이 끝단으로 갈수록 두께가 얇아지는 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 탐침장치 제조방법
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20
제 17 항에 있어서,
상기 제 5 단계와 상기 제 6 단계 사이에 상기 이온주입 배선 형성 후, 상기 이온주입 배선 위에 산화막을 형성하는 제 5-1 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 탐침장치 제조방법
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21
제 17 항에 있어서,
상기 제 6 단계:는
상기 실리콘 기판과 금속층의 접착력을 향상시키기 위하여 크롬층을 형성하는 제 6-1 단계;
상기 형성된 크롬층 위에 금속층을 증착시키는 제 6-2 단계; 및
상기 금속층을 금속 식각하여 금속배선을 형성하는 제 6-3 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 탐침장치 제조방법
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