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펜타신으로 구성되는 그라핀 보호막 및 그 형성 방법

  • 기술번호 : KST2014026861
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 펜타신(Pentacene, C22H14)으로 구성되는 그라핀(graphene) 보호막 및 그 형성 방법을 제공한다. 그라핀 보호막은 펜타신으로 구성되며 상기 펜타신은 그라핀의 표면에 증착된다. 또한, 상기 그라핀 보호막은 펜타신을 가열하여 기화시켜 펜타신 증기(vapor)를 생성하고, 상기 펜타신 증기를 상기 그라핀에 노출시켜 상기 그라핀의 표면에 증착시킨다. 공기, 물 등의 외부 요인에 의해 그라핀의 전기적 성질이 변하는 것을 방지할 수 있으며, 보호막을 제거한 후에도 보호막이 형성되기 이전의 그라핀의 전기적 성질을 유지할 수 있다. 펜타신(pentacene), 그라핀(graphene), 보호막
Int. CL H01L 21/203 (2006.01)
CPC H01L 21/02527(2013.01) H01L 21/02527(2013.01) H01L 21/02527(2013.01) H01L 21/02527(2013.01) H01L 21/02527(2013.01)
출원번호/일자 1020090059213 (2009.06.30)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0001621 (2011.01.06) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.06.30)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 지해근 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 황한나 대한민국 서울특별시 동대문구
3 김영독 대한민국 경기도 수원시 영통구
4 황찬국 대한민국 경상북도 포항시 남구
5 한진희 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 양문옥 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0399700-12
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.12.22 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.01.14 수리 (Accepted) 9-1-2011-0002272-74
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.02.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0091465-36
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.04.13 수리 (Accepted) 1-1-2011-0269460-36
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.05.13 수리 (Accepted) 1-1-2011-0353122-13
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.06.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0449119-59
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.07.18 수리 (Accepted) 1-1-2011-0548159-19
9 지정기간연장관련안내서
Notification for Extension of Designated Period
2011.07.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0064670-14
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.08.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0596049-65
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.08.02 수리 (Accepted) 1-1-2011-0596050-12
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2011.12.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0727450-47
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
펜타신(Pentacene, C22H14)을 가열하여 기화시켜 펜타신 증기(vapor)를 생성하는 단계; 및 상기 펜타신 증기를 그라핀(graphene)에 노출시켜 상기 펜타신 증기를 상기 그라핀의 표면에 증착시키는 단계를 포함하는 그라핀 보호막 형성 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 가열 방법은 상기 펜타신을 담은 열에 강한 용기 주변을 필라멘트로 감은 후 전류를 흘려 간접 가열하는 것을 특징으로 하는 그라핀 보호막 형성 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 펜타신은 두께가 1 ㎚ ~ 2 ㎚ 인 것을 특징으로 하는 그라핀 보호막 형성 방법
4 4
펜타신으로 구성되며, 상기 펜타신은 그라핀의 표면에 증착되는 그라핀 보호막
5 5
그라핀; 및 상기 그라핀을 보호하기 위하여 상기 그라핀의 표면에 증착되는 펜타신을 포함하는 반도체 소자
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 그라핀 및 상기 펜타신은 규소(Si) 또는 탄화규소(SiC)로 구성되는 반도체 기판 위에 증착되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.