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기전 고분자 작동기 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014026946
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기전 고분자 작동기 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 방향족 술폰산형 고분자와 PVDF(poly(viyliden fluoride))가 블렌딩된 전기 활성 고분자막을 포함하는 기전 고분자 작동기 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다. 방향족 술폰산형 고분자, PVDF, 기전 고분자 작동기
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H02N 11/00 (2011.01) C08L 65/00 (2011.01)
CPC H02N 11/002(2013.01) H02N 11/002(2013.01) H02N 11/002(2013.01) H02N 11/002(2013.01) H02N 11/002(2013.01)
출원번호/일자 1020090074403 (2009.08.12)
출원인 전남대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0981739-0000 (2010.09.06)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20100910) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.08.12)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전남대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오일권 대한민국 광주광역시 북구
2 전진한 대한민국 광주광역시 서구
3 이창훈 대한민국 광주광역시 광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전남대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.08.12 수리 (Accepted) 1-1-2009-0492878-23
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2010.01.04 수리 (Accepted) 1-1-2010-0001343-51
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.02.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0059534-14
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.04.08 수리 (Accepted) 1-1-2010-0224291-94
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.05.10 수리 (Accepted) 1-1-2010-0298827-23
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.06.09 수리 (Accepted) 1-1-2010-0371394-02
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.06.17 수리 (Accepted) 1-1-2010-0390581-23
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.06.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0390597-53
9 등록결정서
Decision to grant		 2010.08.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0377096-87
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2012-5157698-67
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000058-61
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2015-5076218-57
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.07.07 수리 (Accepted) 4-1-2016-5093177-51
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.30 수리 (Accepted) 4-1-2018-5056463-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
방향족 술폰산형 고분자와 PVDF(poly(viyliden fluoride))가 블렌딩된 전기 활성 고분자막; 및 상기 전기 활성 고분자막의 양측 표면상에 각각 구비된 전극;을 포함하는 기전 고분자 작동기
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 방향족 술폰산형 고분자는 SPEEK(sulfonated poly(ether ether ketone)), SPEEKKs(sulfonated poly(ether ether ketone ketone)s), SPES(sulfonated poly(ether sulfone)), SPBI(sulfonated polybenzimidazole) 및 SPI(sulfonated polyimides) 중 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 기전 고분자 작동기
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 방향족 술폰산형 고분자와 PVDF의 블렌딩은 상기 방향족 술폰산형 고분자에 대해 상기 PVDF의 질량비가 10wt% 이하로 블렌딩된 것을 특징으로 하는 기전 고분자 작동기
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 전기 활성 고분자막은 나노 물질을 더 포함하며, 이때 나노 물질은 탄소나노튜브, 플로랜(fullerene), 그라핀(graphene) 및 탄소 분말 중 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 기전 고분자 작동기
5 5
삭제
6 6
원료 고분자, PVDF(poly(viyliden fluoride)), 진한 황산 및 용매인 DMAc(dimethyl acetamide)을 준비하는 단계; 상기 진한 황산에 상기 원료 고분자를 용해하여 침전물을 획득하는 단계; 상기 침전물이 중성이 될 때까지 세척하고 실온에서 건조하여 방향족 술폰화형 고분자를 획득하는 단계; 상기 획득된 방향족 술폰화형 고분자 및 상기 PVDF를 상기 DMAc에 용해시켜 블렌딩하되, 상기 방향족 술폰화형 고분자에 대한 상기 PVDF의 질량비가 10wt%이하가 되도록 블렌딩하여 고분자 용액을 획득하는 단계; 상기 고분자 용액을 캐스팅한 후 이를 건조하여 전기 활성 고분자막을 획득하는 단계; 및 무전해 도금법을 이용하여 상기 전기 활성 고분자막의 양측 표면 상에 전극들을 도금하는 단계;를 포함하며, 이때 원료 고분자는 PEEK(poly(ether ether ketone)), PEEKKs(poly(ether ether ketone ketone)s), PES(poly(ether sulfone)), PBI(polybenzimidazole) 및 SPI(sulfonated polyimides) 중 어느 하나 이상이고, 상기 방향족 술폰산형 고분자는 SPEEK(sulfonated poly(ether ether ketone)), SPEEKKs(sulfonated poly(ether ether ketone ketone)s), SPES(sulfonated poly(ether sulfone)), SPBI(sulfonated polybenzimidazole) 및 SPI(sulfonated polyimides) 중 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 기전 고분자 작동기 제조 방법
7 7
삭제
8 8
제 6 항에 있어서, 상기 진한 황산은 95% 내지 98%의 진한 황산이며, 상기 DMAc는 10 내지 15%의 DMAc인 것을 특징으로 하는 기전 고분자 작동기 제조 방법
9 9
제 6 항에 있어서, 상기 진한 황산에 상기 원료 고분자를 용해하여 침전물을 획득하는 단계는 상기 원료 고분자를 80℃ 내지 100℃의 온도 범위에서 20시간 내지 30시간 동안 진공 건조하여 수분을 제거하고, 60℃ 내지 70℃로 가열된 상기 진한 황산에 상기 원료 고분자를 넣어 수시간 동안 교반하여 용해한 후, 얼음물에 부어 침전물이 생성되도록 하고, 상기 생성된 침전물을 획득하는 단계인 것을 특징으로 하는 기전 고분자 작동기 제조 방법
10 10
제 6 항에 있어서, 상기 고분자 용액을 캐스팅한 후 이를 건조하여 전기 활성 고분자막을 획득하는 단계 이후, 상기 무전해 도금법을 이용하여 상기 전기 활성 고분자막의 양측 표면 상에 전극들을 도금하는 단계 이전에, 상기 획득된 전기 활성 고분자막을 40℃ 내지 60℃의 온도 분위기에서 20 내지 30시간 동안 유지하여 풀림 처리하는 단계; 및 상기 전기 활성 고분자막을 샌드블라스팅(sandblasting) 처리하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기전 고분자 작동기 제조 방법
11 11
제 6 항에 있어서, 상기 고분자 용액 또는 전기 활성 고분자에 함침법을 이용하여 나노 물질을 함침하는 단계를 더 포함하며, 이때 나노 물질은 탄소나노튜브, 플로랜(fullerene), 그라핀(graphene) 및 탄소 분말 중 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 기전 고분자 작동기 제조 방법
12 12
삭제
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순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 전남대학교 산학협력단 국가지정 연구실 사업 생체 모방성과 생체 적합성을 갖는 기전 고분자 작동기에 기반한 지능형 생체 의료 장비 개발