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수열합성법에 의한 산화아연 박막 제조방법에 있어서,
기판을 아연(Zn) 소스가 용해된 수열합성용 용액 안에 배치하는 단계;
상기 기판상에 연속적으로 매끄러운 표면(smooth surface)을 갖는 산화아연 박막을 원하는 두께로 성장시키는 단계; 및
상기 기판이 존재하는 수열합성용 용액의 온도 조건 변화를 통해 상기 성장된 산화아연 박막의 표면 형상을 제어하는 단계를 포함하는데,
상기 수열합성용 용액의 온도 조건 변화는 공기(Air) 또는 용액 중에서 이루어지거나 급냉, 서냉 또는 임의의 온도의 유지를 위해 기구나 장치를 이용하여 이루어지고,
상기 산화아연 박막이 형성된 기판을 제거하는 수열합성용 용액의 온도와 상기 제어된 산화아연 박막의 표면 형상의 핀홀 개수 및 크기는 반비례하는 것을 특징으로 하는 제어된 표면 형상을 갖는 산화아연 박막 제조방법
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수열합성법에 의한 산화아연 박막 제조방법에 있어서,
기판을 아연(Zn) 소스가 용해된 수열합성용 용액 안에 배치하는 단계;
상기 기판상에 연속적으로 매끄러운 표면(smooth surface)을 갖는 산화아연 박막을 원하는 두께로 성장시키는 단계; 및
상기 기판이 존재하는 수열합성용 용액의 온도 조건 변화를 통해 상기 성장된 산화아연 박막의 표면 형상을 제어하는 단계를 포함하는데,
상기 수열합성용 용액의 온도 조건 변화는 공기(Air) 또는 용액 중에서 이루어지거나 급냉, 서냉 또는 임의의 온도의 유지를 위해 기구나 장치를 이용하여 이루어지고,
상기 수열합성용 용액을 임의의 온도에서 유지하는 시간과 상기 제어된 산화아연 박막의 표면 형상의 핀홀 개수 및 크기는 비례하는 것을 특징으로 하는 제어된 표면 형상을 갖는 산화아연 박막 제조방법
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수열합성법에 의한 산화아연 박막 제조방법에 있어서,
기판을 아연(Zn) 소스가 용해된 수열합성용 용액 안에 배치하는 단계;
상기 기판상에 연속적으로 매끄러운 표면(smooth surface)을 갖는 산화아연 박막을 원하는 두께로 성장시키는 단계; 및
상기 기판이 존재하는 수열합성용 용액의 온도 조건 변화를 통해 상기 성장된 산화아연 박막의 표면 형상을 제어하는 단계를 포함하는데,
상기 수열합성용 용액의 온도 조건 변화는 공기(Air) 또는 용액 중에서 이루어지거나 급냉, 서냉 또는 임의의 온도의 유지를 위해 기구나 장치를 이용하여 이루어지고,
상기 수열합성용 용액이 임의의 온도에 도달하는 시간과 상기 제어된 산화아연 박막의 표면 형상의 핀홀 개수 및 크기는 비례하는 것을 특징으로 하는 제어된 표면 형상을 갖는 산화아연 박막 제조방법
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제 3 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판은 ITO (Indium Tin Oxide) 기판, Si 기판, Al2O3 기판, MgAl2O4 기판, ZnO 기판, Un-doped 또는 doped GaN 버퍼층이 형성된 기판, Un-doped 또는 doped ZnO 버퍼층이 형성된 기판 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 제어된 표면 형상을 갖는 산화아연 박막 제조방법
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제 3 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 수열합성용 용액은 Zinc oxide, Zinc acetate, Zinc nitrate, Zinc chloride, Zinc sulfate, Zinc hydroxide 또는 이들의 유도체가 용해된 증류수 용액인 것을 특징으로 하는 제어된 표면 형상을 갖는 산화아연 박막 제조방법
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제 3 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 수열합성용 용액은 Ammonium hydroxide (NH4OH), Sodium hydroxide(NaOH), 또는 Potassium hydroxide(KOH)을 포함하는 수산화물 또는 이들의 유도체가 용해된 증류수 용액을 pH 조절제(pH control agent)로 사용하는 것을 특징으로 하는 제어된 표면 형상을 갖는 산화아연 박막 제조방법
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제 3 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 수열합성용 용액의 온도 조건 변화는 산화아연 박막의 성장온도 또는 이보다 낮은 온도에서 산화아연 박막이 형성된 기판을 상기 용액으로부터 제거하는 것을 특징으로 하는 제어된 표면 형상을 갖는 산화아연 박막 제조방법
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제 3 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항의 제조방법에 의해 형성된 산화아연 박막으로서, 핀홀의 개수 및 크기가 의도적으로 제어된 표면 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 산화아연 박막
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제 10 항의 산화아연 박막으로 제조된 투명전도체를 포함하는 광학소자
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