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게르마늄 나노결정립의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014027197
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 게르마늄 나노결정립의 제조방법을 개시한다. 상기 제조방법은 게르마늄 기판상에 이온화된 질소가스를 이용하여 게르마늄 질화물 박막을 형성하는 단계; 및 게르마늄 질화물 박막상에 후열처리를 통해 게르마늄 질화물 막으로 둘러싸인 게르마늄 나노결정립을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 제조방법에 의해 상온에서 불순물 없는 고순도의 게르마늄 나노결정립을 형성할 수 있다. 게르마늄, 나노결정립, 게르마늄 질화물, 이온화, 질소가스
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC B22F 1/0018(2013.01) B22F 1/0018(2013.01) B22F 1/0018(2013.01)
출원번호/일자 1020080074644 (2008.07.30)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1018537-0000 (2011.02.22)
공개번호/일자 10-2010-0013119 (2010.02.09) 문서열기
공고번호/일자 (20110303) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.07.30)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정민철 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 신현준 대한민국 경상북도 포항시 남구
3 박용섭 대한민국 대전광역시 유성구
4 이영미 대한민국 서울특별시 동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 양문옥 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.07.30 수리 (Accepted) 1-1-2008-0551004-30
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.04.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.05.17 수리 (Accepted) 9-1-2010-0028999-11
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0383005-39
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.09.15 수리 (Accepted) 1-1-2010-0598264-87
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.09.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0598263-31
7 등록결정서
Decision to grant		 2010.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0550194-12
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
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번호 청구항
1 1
게르마늄 기판상에 이온화된 질소가스를 이용하여 게르마늄 질화물 박막을 형성하는 단계; 및 상기 게르마늄 질화물 박막상에 후열처리를 통해 게르마늄 질화물 막으로 둘러싸인 게르마늄 나노결정립을 형성하는 단계를 포함하는 게르마늄 나노결정립의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 이온화된 질소가스는 핫필라멘트 방식의 직류 이온총을 이용하여 얻는 것을 특징으로 하는 게르마늄 나노결정립의 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 이온화된 질소가스는 N2+ 상태인 기체를 포함하는 것을 특징으로 하는 게르마늄 나노결정립의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 게르마늄 질화물 박막을 형성하는 단계는 상온에서 수행되는 것을 특징으로 하는 게르마늄 나노결정립의 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 게르마늄 질화물 박막을 형성하는 단계는 0
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 게르마늄 나노결정립을 형성하는 단계는 0
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 후열처리는 400℃ 내지 500℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 게르마늄 나노결정립의 제조방법
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 후열처리는 30초 내지 1분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 게르마늄 나노결정립의 제조방법
9 9
제 1 항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 의해 제조된 게르마늄 나노결정립
10 10
게르마늄 기판; 상기 게르마늄 기판상에 형성된 게르마늄 질화물 박막; 상기 게르마늄 질화물 박막상에 형성된 게르마늄 나노결정립; 및 상기 게르마늄 나노결정립을 둘러싸고 형성되어 상기 게르마늄 나노결정립을 외부와 차단시키는 게르마늄 질화물 막을 포함하는 것을 특징으로 하는 게르마늄 나노결정립을 가지는 기판
11 11
제 10 항에 있어서, 상기 게르마늄 질화물 박막의 두께는 30 nm 이하인 것을 특징으로 하는 기판
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.