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금속의 산화피막 형성을 위한 열처리 제어방법 및 장치

  • 기술번호 : KST2014027287
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 산화능 제어 인자에 노 내의 가열 온도를 에너지값으로 환산하여 모니터링시켜 제품의 산화피막 두께 편차를 없애고 표면 불량품의 생산을 방지하도록 한 금속의 산화피막 형성을 위한 열처리 제어방법 및 장치에 관한 것이다. 이를 위해, 노 내에 시편을 장입한 후 가열 및 냉각시켜 열처리 하는 방법 및 장치에 있어서, 노 내부의 산화능을 계산하고, 열처리하고자 하는 시편의 산화활성화에너지를 콘트롤러에 입력하며, 산화능을 고려하여 시편의 산화피막 두께 목표치를 임의로 설정하고, 상기 허용치를 달성할 수 있는 목표누적에너지수치를 계산하여 콘트롤러에 모니터링시키고, 시편이 가열되는 경우 콘트롤러에 모니터링되는 누적에너지수치에 따라 시편의 냉각 여부를 결정하는 것을 특징으로 한다. 상기한 구성에 따라, 목표누적에너지수치에 누적에너지수치가 도달할 때까지 시편을 가열하므로, 제품의 실제 산화피막 두께와 목표치 사이의 편차를 최대한 줄이게 되어, 일정한 산화층 두께를 갖는 제품을 확보하고, 공정 중 불량품 예측이 가능하여 불량품이 생산되는 것을 방지할 수 있는 효과도 있다. 금속, 전기강판, 산화피막, 열처리, 산화활성화에너지, 에너지수치.
Int. CL C21D 1/00 (2006.01) C21D 9/00 (2006.01)
CPC C21D 9/00(2013.01) C21D 9/00(2013.01) C21D 9/00(2013.01)
출원번호/일자 1020080097263 (2008.10.02)
출원인 한국생산기술연구원, 주식회사 선일다이파스
등록번호/일자 10-1052935-0000 (2011.07.25)
공개번호/일자 10-2010-0037919 (2010.04.12) 문서열기
공고번호/일자 (20110801) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.10.02)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구
2 주식회사 선일다이파스 대한민국 경기도 성남시 중원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안경준 대한민국 서울 강남구
2 전동술 대한민국 경기 안산시 단원구
3 한명근 대한민국 경기 용인시
4 김현종 대한민국 서울 영등포구
5 강대식 대한민국 경상남도 진주시
6 이승헌 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유종정 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 *, ***호(역삼동, 강남역센트럴푸르지오시티)(오주특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 선일다이파스 대한민국 경기도 성남시 중원구
2 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.10.02 수리 (Accepted) 1-1-2008-0694115-64
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.10.20 수리 (Accepted) 4-1-2008-5164358-96
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5178457-80
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.01.20 수리 (Accepted) 4-1-2009-5013686-94
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.06.22 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.07.13 수리 (Accepted) 9-1-2010-0041853-15
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.08.30 수리 (Accepted) 4-1-2010-5161401-06
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0489287-49
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.12.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0853940-04
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2010-0853945-21
11 등록결정서
Decision to grant
2011.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0296303-56
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.02 수리 (Accepted) 4-1-2012-5068733-13
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090658-47
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5017806-08
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.11.14 수리 (Accepted) 4-1-2014-0098168-04
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.04.28 수리 (Accepted) 4-1-2015-5055865-30
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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노 내에 시편을 장입한 후 가열 및 냉각시켜 열처리 하는 방법에 있어서, 수증기압력/수소압력의 비로 이루어진 노 내부 분위기의 산화능을 수치 계산하는 제1단계(S10)와; 열처리하고자 하는 시편의 산화활성화에너지(Q)를 콘트롤러(10)에 입력하는 제2단계(S20)와; 산화능을 고려하여 상기 시편의 산화피막 두께 목표치를 임의로 설정하고, 상기 산화피막 두께 목표치를 달성할 수 있는 목표누적에너지수치(Θt)를 수학식1에 의해 계산하여 콘트롤러(10)에 모니터링시키는 제3단계(S30)와; 상기 시편이 가열되는 경우 상기 수학식1에 의해 계산되어 콘트롤러(10)에 실시간으로 모니터링되는 누적에너지수치(Θ)가 목표누적에너지수치(Θt)보다 작은 경우 계속적으로 가열하여 누적에너지수치(Θ)를 상승(S41)시키고, 누적에너지수치(Θ)가 목표누적에너지수치(Θt)와 일치하는 경우 시편을 냉각(S42)시키는 제4단계(S40)를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속의 산화피막 형성을 위한 열처리 제어방법
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