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전도성 고분자 패터닝 방법

  • 기술번호 : KST2014027304
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전도성 고분자를 패터닝하는 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 패터닝 공정을 간소화하고, 패터닝 공정 간소화하여 공정 단가를 절감할 수 있을 뿐만 아니라 종래의 전도성 고분자 패터닝 공정에 비해 패터닝 공정 중 전도성 고분자의 특성 저하를 최소화할 수 있는 전도성 고분자 패터닝 방법에 관한 것이다. 플렉서블(flexible) 기판, 전도성 고분자, 패터닝, 스핀 코팅, 초산비닐, 러버, 스탬프
Int. CL H01L 21/027 (2006.01)
CPC G03F 7/0002(2013.01)
출원번호/일자 1020080131184 (2008.12.22)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-1055750-0000 (2011.08.03)
공개번호/일자 10-2010-0072697 (2010.07.01) 문서열기
공고번호/일자 (20110811) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.12.22)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박종운 대한민국 광주광역시 광산구
2 임연찬 대한민국 광주광역시 광산구
3 이종호 대한민국 광주광역시 광산구
4 김태원 대한민국 광주광역시 광산구
5 김광영 대한민국 서울특별시 강동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 스탠다드코리아 충청남도 천안시 서북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2008-0878998-12
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.01.20 수리 (Accepted) 4-1-2009-5013686-94
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.30 수리 (Accepted) 4-1-2010-5161401-06
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.12.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0574512-01
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.02.10 수리 (Accepted) 1-1-2011-0095311-61
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.02.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0095319-25
7 등록결정서
Decision to grant		 2011.08.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0430422-92
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.02 수리 (Accepted) 4-1-2012-5068733-13
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090658-47
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5017806-08
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판을 준비하는 단계; 상기 기판상에 계면활성제층(surfactant layer)을 형성하는 단계; 상기 계면활성제층이 형성된 기판상에 스핀 코팅(spin coating)법으로 전도성 고분자층(conductivity polymer layer)을 형성하는 단계; 및 초산비닐(vinyl acetate)을 이용하여 상기 전도성 고분자층의 일정 영역을 제거하여 전도성 고분자 패턴을 형성하는 단계;를 포함하며, 상기 초산비닐을 이용하여 상기 전도성 고분자층의 일정 영역을 제거하여 전도성 고분자 패턴을 형성하는 단계:는 패턴이 형성된 표면을 구비한 스탬프를 준비하는 단계; 상기 스탬프의 표면에 초산비닐을 코팅하는 단계; 및 상기 스탬프를 상기 전도성 고분자층이 형성된 기판에 각인하여 원하는 형태의 전도성 고분자 패턴을 형성하는 단계;로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 패터닝 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 스탬프의 표면에 초산비닐을 코팅하는 단계:는 초산비닐 용액이 담긴 초산비닐 용기를 준비하는 단계; 및 상기 초산비닐 용기에 담긴 초산비닐 용액의 표면에 상기 스탬프의 표면을 접촉시켜 상기 스탬프의 표면에 초산비닐을 코팅하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 패터닝 방법
3 3
기판을 준비하는 단계; 상기 기판상에 계면활성제층(surfactant layer)을 형성하는 단계; 상기 계면활성제층이 형성된 기판상에 스핀 코팅(spin coating)법으로 전도성 고분자층(conductivity polymer layer)을 형성하는 단계; 및 초산비닐(vinyl acetate)을 이용하여 상기 전도성 고분자층의 일정 영역을 제거하여 전도성 고분자 패턴을 형성하는 단계;를 포함하며, 상기 초산비닐을 이용하여 상기 전도성 고분자층의 일정 영역을 제거하여 전도성 고분자 패턴을 형성하는 단계:는 패턴이 형성된 테이프를 준비하는 단계; 상기 테이프의 일측 표면에 초산비닐을 코팅하는 단계; 상기 초산비닐이 코팅된 표면이 상기 전도성 고분자층상에 접촉하도록 상기 테이프를 부착하는 단계; 상기 테이프가 부착된 기판을 러버(rubber)로 러빙(rubbing)하여 상기 테이프에 상기 전도성 고분자층의 일정 영역이 부착되도록 하는 단계; 및 상기 테이프를 탈착하여 상기 테이프에 부착된 전도성 고분자의 일정 영역을 제거하여 상기 기판상에 전도성 고분자 패턴을 형성하는 단계;로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 패터닝 방법
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 테이프의 일측 표면에 초산비닐을 코팅하는 단계:는 초산비닐 용액이 담긴 초산비닐 용기를 준비하는 단계; 및 상기 초산비닐 용기에 담긴 초산비닐 용액의 표면에 상기 테이프의 일측 표면을 접촉시켜 상기 테이프의 일측 표면에 초산비닐을 코팅하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 패터닝 방법
5 5
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 계면활성제층이 형성된 기판상에 스핀 코팅법으로 전도성 고분자층을 형성하는 단계:는 상기 계면활성제층에 형성된 기판상에 전도성 고분자를 공급하는 단계; 상기 전도성 고분자층이 일정 두께 및 일정 면적으로 코팅되도록 하는 제1스핀 코팅을 실시하는 단계; 및 상기 제1스핀 코팅을 실시한 후, 상기 전도성 고분자층의 표면 거칠기가 일정 거칠기 이하가 되도록 하는 제2스핀 코팅을 실시하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 패터닝 방법
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 제1스핀 코팅은 500rpm 내지 1500rpm의 회전 속도로 30초 내지 2분 동안 스핀 코팅을 실시하는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 패터닝 방법
7 7
제 5 항에 있어서, 상기 제2스핀 코팅은 3000rpm 내지 4500rpm의 회전 속도로 2분 내지 6분 동안 스핀 코팅을 실시하는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 패터닝 방법
8 8
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전도성 고분자층의 전도성 고분자는 PEDOT:PSS인 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 패터닝 방법
9 9
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 고분자 전극 패터닝 방법은 반도체 소자 또는 표시 소자의 제조 공정 중 전극을 패터닝하는 방법인 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 패터닝 방법
10 10
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