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아연환원제를 이용한 저온에서의 텅스텐 나노분말의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014027463
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 나노 텅스텐(W) 분말의 제조방법은 저온 열처리에 의해 초미립 나노 텅스텐 분말을 제조하는 특징이 있으며, 상세하게는 텅스텐화합물; 아연; 및 입자성장억제제인 알칼리염;을 함유하는 원료를 진공 또는 불활성 기체 분위기에서 저온 열처리하여 나노 텅스텐(W) 분말을 제조하는 특징이 있다. 본 발명에 따른 제조방법은 평균 입도가 수 나노미터 내지 수십 나노미터의 크기를 갖는 균일한 크기의 나노 텅스텐 분말을 제조할 수 있으며, 아연 환원제 및 입자성장억제제를 이용하여 매우 낮은 온도의 열처리로 나노 크기의 텅스텐 분말을 제조할 수 있으며, 제조된 텅스텐 분말이 다른 상(phase)을 함유하지 않고, 고 결정성을 가지며, 텅스텐 분말의 입자크기를 수십 나노미터 단위로 제어할 수 있는 장점이 있다. 나노 텅스텐, 텅스텐화합물, 저온고상합성법, 아연, 알칼리염, 입자성장억제제
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B22F 9/20 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) B22F 9/18 (2006.01)
CPC B22F 9/20(2013.01) B22F 9/20(2013.01) B22F 9/20(2013.01) B22F 9/20(2013.01) B22F 9/20(2013.01)
출원번호/일자 1020080060676 (2008.06.26)
출원인 충남대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1019503-0000 (2011.02.25)
공개번호/일자 10-2010-0000975 (2010.01.06) 문서열기
공고번호/일자 (20110307) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.06.26)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 원창환 대한민국 대전시 유성구
2 원형일 대한민국 대전시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김종관 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
3 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.06.26 수리 (Accepted) 1-1-2008-0459351-21
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.01.21 수리 (Accepted) 4-1-2009-5014069-12
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.18 수리 (Accepted) 4-1-2009-5050645-34
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.03.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.04.15 수리 (Accepted) 9-1-2010-0021843-90
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.05.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0216174-64
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.07.23 수리 (Accepted) 1-1-2010-0476150-53
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.08.24 수리 (Accepted) 1-1-2010-0544808-15
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.09.17 수리 (Accepted) 1-1-2010-0608862-50
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.10.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0662493-61
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.10.13 수리 (Accepted) 1-1-2010-0662491-70
12 등록결정서
Decision to grant		 2011.02.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0094800-54
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.05.31 수리 (Accepted) 4-1-2011-5108981-12
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.12.26 수리 (Accepted) 4-1-2013-5174286-48
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2015-5116889-90
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2015-5116888-44
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번호 청구항
1 1
텅스텐화합물, 텅스텐 화합물 1몰을 기준으로 3 내지 36몰의 아연 및 5 내지 10몰의 알칼리염을 함유하는 원료를 진공 또는 불활성 기체 분위기에서 400℃ 내지 500℃로 저온 열처리하여 평균입자크기가 40nm 내지 80nm인 초미립 텅스텐(W) 분말을 제조하는 저온 고상합성 텅스텐 나노 분말의 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 제조방법은 (a) 텅스텐화합물; 환원제인 아연; 및 입자성장억제제인 알칼리염;을 함유하는 원료의 혼합 단계; (b) 상기 혼합된 원료를 진공 또는 불활성 기체 분위기에서 400℃ 내지 500℃로 열처리하는 저온 열처리 단계; 및 (c) 상기 (b) 단계의 반응 생성물을 증류수로 수세한 후, 산성 용액으로 침출(leaching)하는 단계; 를 포함하여 제조되는 것을 특징으로 하는 저온 고상합성 텅스텐 나노 분말의 제조방법
3 3
제 2항에 있어서, (a) 단계의 상기 알칼리염은 LiF, LiCl, LiBr, LiI, NaF, NaCl, NaBr, NaI, KF, KCl, KBr, KI 또는 이들의 혼합염인 것을 특징으로 하는 저온 고상합성 텅스텐 나노 분말의 제조방법
4 4
제 2항에 있어서, (a) 단계의 상기 텅스텐 화합물은 WO3, H2WO4, 5(NH4)2Oㆍ12WO3ㆍ5H2O, 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 저온 고상합성 텅스텐 나노 분말의 제조방법
5 5
삭제
6 6
제 2항에 있어서, (a) 단계의 상기 텅스텐 화합물은 WO3, H2WO4, 또는 이들의 혼합물이며, 상기 원료는 상기 텅스텐 화합물 1몰을 기준으로 3몰의 상기 아연을 함유하는 것을 특징으로 하는 저온 고상합성 텅스텐 나노 분말의 제조방법
7 7
제 2항에 있어서, (a) 단계의 상기 텅스텐 화합물은 5(NH4)2Oㆍ12WO3ㆍ5H2O이며, 상기 원료는 상기 텅스텐 화합물 1몰을 기준으로 36몰의 상기 아연을 함유하는 것을 특징으로 하는 저온 고상합성 텅스텐 나노 분말의 제조방법
8 8
제 2항에 있어서, (b) 단계의 상기 저온열처리는 진공 또는 1atm 내지 5atm의 불활성 기체 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 저온 고상합성 텅스텐 나노 분말의 제조방법
9 9
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.