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공통 게이트 증폭기 구조를 이용하는 저잡음 증폭기

  • 기술번호 : KST2014027750
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 입력단, 즉 제 1 증폭단을 공통 게이트 증폭기 구조로 구현하여 고주파 대역의 잡음 지수를 낮추는 저잡음 증폭기에 관한 것이다. 상기 저잡음 증폭기는 입력된 RF 신호를 1차로 증폭하는 제 1 증폭부, 상기 제 1 증폭부와 전기적으로 연결되며, 상기 제 1 증폭부에 의해 증폭된 RF 신호를 2차로 증폭하는 제 2 증폭부, 상기 제 2 증폭부와 전기적으로 연결되는 출력부 및 상기 제 2 증폭부와 상기 출력부 사이에 연결된 제 3 증폭부를 포함한다. 여기서, 상기 제 1 증폭부와 상기 제 2 증폭부 중 적어도 하나는 공통 게이트 증폭기 또는 공통 베이스 증폭기 구조를 가지며, 상기 제 3 증폭부는 공통 소스 증폭기 구조를 가진다. 저잡음 증폭기, 공통 게이트 증폭기, 공통 소스 증폭기
Int. CL H03F 3/193 (2006.01.01) H03F 1/22 (2006.01.01) H03F 1/26 (2006.01.01)
CPC H03F 3/193(2013.01) H03F 3/193(2013.01) H03F 3/193(2013.01) H03F 3/193(2013.01) H03F 3/193(2013.01)
출원번호/일자 1020090105055 (2009.11.02)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1128830-0000 (2012.03.14)
공개번호/일자 10-2011-0048308 (2011.05.11) 문서열기
공고번호/일자 (20120323) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.11.02)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤태열 대한민국 서울특별시 성동구
2 박현규 대한민국 서울특별시 성동구
3 이지영 대한민국 서울특별시 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 최관락 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 ** (역삼동) 동림빌딩 *층(아이피즈국제특허법률사무소)
2 송인호 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 ** (역삼동) 동림빌딩 *층(아이피즈국제특허법률사무소)
3 민영준 대한민국 서울특별시 강남구 남부순환로 ****, *층(도곡동, 차우빌딩)(맥스국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.11.02 수리 (Accepted) 1-1-2009-0673135-75
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.01.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.01.19 수리 (Accepted) 9-1-2011-0005478-97
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.01.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0054355-11
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.03.23 수리 (Accepted) 1-1-2011-0211997-49
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.03.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0212007-53
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2011.09.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0549218-30
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2011-0929461-85
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.11.23 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2011-0929455-11
10 등록결정서
Decision to grant
2011.12.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0735920-37
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
입력된 RF 신호를 1차로 증폭하는 제 1 증폭부;상기 제 1 증폭부와 전기적으로 연결되며, 상기 제 1 증폭부에 의해 증폭된 RF 신호를 2차로 증폭하는 제 2 증폭부; 상기 제 2 증폭부와 전기적으로 연결되는 출력부; 및상기 제 2 증폭부와 상기 출력부 사이에 연결된 제 3 증폭부를 포함하되,상기 제 1 증폭부와 상기 제 2 증폭부 중 적어도 하나는 공통 게이트 증폭기 또는 공통 베이스 증폭기 구조를 가지며, 상기 제 3 증폭부는 공통 소스 증폭기 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 증폭부, 상기 제 2 증폭부 및 상기 제 3 증폭부는 각기 제 1 모스 트랜지스터, 제 2 모스 트랜지스터 및 제 3 모스 트랜지스터를 포함하되,상기 제 1 모스 트랜지스터의 드레인과 상기 제 2 모스 트랜지스터의 소스가 연결되고, 상기 제 2 모스 트랜지스터의 드레인과 상기 제 3 모스 트랜지스터의 게이트가 연결되는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 제 3 모스 트랜지스터의 소스와 접지 사이에는 캐패시터가 연결되고, 상기 제 2 모스 트랜지스터의 소스와 특정 노드(상기 제 3 모스 트랜지스터와 상기 캐패시터 사이의 노드) 사이에는 인덕터가 존재하는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기
5 5
제 3 항에 있어서, 상기 제 2 모스 트랜지스터를 통하여 흐르는 제 2 전류와 상기 제 3 모스 트랜지스터를 통하여 흐르는 제 3 전류의 합은 상기 제 1 모스 트랜지스터를 통하여 흐르는 제 1 전류와 동일한 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 제 3 증폭부는 캐스코드 구조를 가지는 2개의 트랜지스터들을 포함하는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 증폭부는 공통 게이트 증폭기 구조를 가지면서 제 1 모스 트랜지스터를 포함하고, 상기 제 2 증폭부는 제 2 모스 트랜지스터를 포함하되,상기 제 1 모스 트랜지스터의 드레인과 상기 제 2 모스 트랜지스터의 소스가 전기적으로 연결되고, 상기 제 2 모스 트랜지스터의 게이트가 상기 제 1 모스 트랜지스터의 드레인에 전기적으로 연결되어 상기 제 2 증폭부가 공통 소스 증폭기 구조로 구현되는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 제 2 모스 트랜지스터의 게이트와 상기 제 1 모스 트랜지스터의 드레인 사이에는 직렬로 연결된 캐패시터와 인덕터가 존재하는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 제 2 증폭부는 캐스코드 증폭기 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기
10 10
입력된 RF 신호를 1차로 증폭하는 제 1 증폭부; 상기 제 1 증폭부와 전기적으로 연결되며, 상기 제 1 증폭부에 의해 증폭된 RF 신호를 2차로 증폭하는 제 2 증폭부; 및상기 제 2 증폭부와 전기적으로 연결되며, 상기 제 2 증폭부에 의해 증폭된 RF 신호를 3차로 증폭하는 제 3 증폭부를 포함하되,상기 제 2 증폭부를 통하여 흐르는 제 2 전류와 상기 제 3 증폭부를 통하여 흐르는 제 3 전류의 합은 상기 제 1 증폭부를 통하여 흐르는 제 1 전류와 동일하며, 상기 제 1 증폭부는 공통 게이트 증폭기 또는 공통 베이스 증폭기로 구현되는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기
11 11
제 10 항에 있어서, 상기 제 2 증폭부는 공통 게이트 증폭기 구조로 구현되고, 상기 제 3 증폭부는 공통 소스 증폭기로 구현되는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기
12 12
제 10 항에 있어서, 상기 제 2 증폭부 및 상기 제 3 증폭부는 각기 공통 소스 증폭기로 구현되되,상기 제 2 증폭부 및 상기 제 3 증폭부 중 적어도 하나는 캐스코드 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기
13 13
제 12 항에 있어서, 상기 제 1 증폭부는 제 1 모스 트랜지스터를 포함하고, 상기 제 2 증폭부는 제 2 모스 트랜지스터를 가지되,상기 제 1 모스 트랜지스터의 드레인과 상기 제 2 모스 트랜지스터의 게이트가 전기적으로 연결되고, 상기 제 1 모스 트랜지스터의 드레인과 상기 제 2 모스 트랜지스터의 게이트 사이에 캐패시터 및 인덕터가 직렬로 배열되는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기
14 14
제 10 항에 있어서, 상기 제 1 증폭부, 상기 제 2 증폭부 및 상기 제 3 증폭부는 각기 제 1 모스 트랜지스터, 제 2 모스 트랜지스터 및 제 3 모스 트랜지스터를 포함하되,상기 제 1 모스 트랜지스터의 드레인과 상기 제 2 모스 트랜지스터의 소스가 연결되고, 상기 제 2 모스 트랜지스터의 드레인과 상기 제 3 모스 트랜지스터의 게이트가 연결되며, 상기 제 3 모스 트랜지스터의 소스와 접지 사이에는 캐패시터가 연결되고, 상기 제 2 모스 트랜지스터의 소스와 특정 노드(상기 제 3 모스 트랜지스터와 상기 캐패시터 사이의 노드) 사이에는 인덕터가 배열되는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.