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입력된 RF 신호를 1차로 증폭하는 제 1 증폭부;상기 제 1 증폭부와 전기적으로 연결되며, 상기 제 1 증폭부에 의해 증폭된 RF 신호를 2차로 증폭하는 제 2 증폭부; 상기 제 2 증폭부와 전기적으로 연결되는 출력부; 및상기 제 2 증폭부와 상기 출력부 사이에 연결된 제 3 증폭부를 포함하되,상기 제 1 증폭부와 상기 제 2 증폭부 중 적어도 하나는 공통 게이트 증폭기 또는 공통 베이스 증폭기 구조를 가지며, 상기 제 3 증폭부는 공통 소스 증폭기 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 증폭부, 상기 제 2 증폭부 및 상기 제 3 증폭부는 각기 제 1 모스 트랜지스터, 제 2 모스 트랜지스터 및 제 3 모스 트랜지스터를 포함하되,상기 제 1 모스 트랜지스터의 드레인과 상기 제 2 모스 트랜지스터의 소스가 연결되고, 상기 제 2 모스 트랜지스터의 드레인과 상기 제 3 모스 트랜지스터의 게이트가 연결되는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기
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제 3 항에 있어서, 상기 제 3 모스 트랜지스터의 소스와 접지 사이에는 캐패시터가 연결되고, 상기 제 2 모스 트랜지스터의 소스와 특정 노드(상기 제 3 모스 트랜지스터와 상기 캐패시터 사이의 노드) 사이에는 인덕터가 존재하는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기
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제 3 항에 있어서, 상기 제 2 모스 트랜지스터를 통하여 흐르는 제 2 전류와 상기 제 3 모스 트랜지스터를 통하여 흐르는 제 3 전류의 합은 상기 제 1 모스 트랜지스터를 통하여 흐르는 제 1 전류와 동일한 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기
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제 1 항에 있어서, 상기 제 3 증폭부는 캐스코드 구조를 가지는 2개의 트랜지스터들을 포함하는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 증폭부는 공통 게이트 증폭기 구조를 가지면서 제 1 모스 트랜지스터를 포함하고, 상기 제 2 증폭부는 제 2 모스 트랜지스터를 포함하되,상기 제 1 모스 트랜지스터의 드레인과 상기 제 2 모스 트랜지스터의 소스가 전기적으로 연결되고, 상기 제 2 모스 트랜지스터의 게이트가 상기 제 1 모스 트랜지스터의 드레인에 전기적으로 연결되어 상기 제 2 증폭부가 공통 소스 증폭기 구조로 구현되는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기
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제 7 항에 있어서, 상기 제 2 모스 트랜지스터의 게이트와 상기 제 1 모스 트랜지스터의 드레인 사이에는 직렬로 연결된 캐패시터와 인덕터가 존재하는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기
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제 1 항에 있어서, 상기 제 2 증폭부는 캐스코드 증폭기 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기
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10
입력된 RF 신호를 1차로 증폭하는 제 1 증폭부; 상기 제 1 증폭부와 전기적으로 연결되며, 상기 제 1 증폭부에 의해 증폭된 RF 신호를 2차로 증폭하는 제 2 증폭부; 및상기 제 2 증폭부와 전기적으로 연결되며, 상기 제 2 증폭부에 의해 증폭된 RF 신호를 3차로 증폭하는 제 3 증폭부를 포함하되,상기 제 2 증폭부를 통하여 흐르는 제 2 전류와 상기 제 3 증폭부를 통하여 흐르는 제 3 전류의 합은 상기 제 1 증폭부를 통하여 흐르는 제 1 전류와 동일하며, 상기 제 1 증폭부는 공통 게이트 증폭기 또는 공통 베이스 증폭기로 구현되는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기
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11
제 10 항에 있어서, 상기 제 2 증폭부는 공통 게이트 증폭기 구조로 구현되고, 상기 제 3 증폭부는 공통 소스 증폭기로 구현되는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기
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12
제 10 항에 있어서, 상기 제 2 증폭부 및 상기 제 3 증폭부는 각기 공통 소스 증폭기로 구현되되,상기 제 2 증폭부 및 상기 제 3 증폭부 중 적어도 하나는 캐스코드 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기
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13
제 12 항에 있어서, 상기 제 1 증폭부는 제 1 모스 트랜지스터를 포함하고, 상기 제 2 증폭부는 제 2 모스 트랜지스터를 가지되,상기 제 1 모스 트랜지스터의 드레인과 상기 제 2 모스 트랜지스터의 게이트가 전기적으로 연결되고, 상기 제 1 모스 트랜지스터의 드레인과 상기 제 2 모스 트랜지스터의 게이트 사이에 캐패시터 및 인덕터가 직렬로 배열되는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기
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14
제 10 항에 있어서, 상기 제 1 증폭부, 상기 제 2 증폭부 및 상기 제 3 증폭부는 각기 제 1 모스 트랜지스터, 제 2 모스 트랜지스터 및 제 3 모스 트랜지스터를 포함하되,상기 제 1 모스 트랜지스터의 드레인과 상기 제 2 모스 트랜지스터의 소스가 연결되고, 상기 제 2 모스 트랜지스터의 드레인과 상기 제 3 모스 트랜지스터의 게이트가 연결되며, 상기 제 3 모스 트랜지스터의 소스와 접지 사이에는 캐패시터가 연결되고, 상기 제 2 모스 트랜지스터의 소스와 특정 노드(상기 제 3 모스 트랜지스터와 상기 캐패시터 사이의 노드) 사이에는 인덕터가 배열되는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기
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