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Sb3+-Cd2+-옥사이드 로드, Cd2+-클로라이드 이중사슬 및 고립된 Cl- 이온을 포함하는 1차원 구조를 갖는 안티모니 카드뮴 옥시클로라이드 화합물
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제1항에 있어서,Sb3+-Cd2+-옥사이드 로드는 산소 원자에 의해 연결되는 비대칭 SbO4, SbO6 및 CdO7 다면체로 이루어진 안티모니 카드뮴 옥시클로라이드 화합물
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제1항에 있어서,Cd2+-클로라이드 이중사슬은 CdCl6 팔면체로 이루어진 안티모니 카드뮴 옥시클로라이드 화합물
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제1항에 있어서,고립된 Cl- 이온은 8개의 Sb3+ 양이온에 의해 둘러싸인 입방체 환경에 존재하는 안티모니 카드뮴 옥시클로라이드 화합물
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제1항에 있어서,Sb3+ 양이온이 입체 활성적인 고립 전자쌍에 의한 비대칭 배위환경에 존재하는 안티모니 카드뮴 옥시클로라이드 화합물
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제1항에 있어서,Sb2CdO3
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제1항에 있어서,단사정계 공간군 I2/m (No
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안티모니 산화물 및 카드뮴 클로라이드를 혼합하거나, 안티모니 염화산화물 및 카드뮴 산화물을 혼합하여 고체상 합성 반응을 실시하는 단계를 포함하는 제1항의 안티모니 카드뮴 옥시클로라이드 화합물의 제조방법
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제8항에 있어서,안티모니 산화물 및 카드뮴 클로라이드, 또는 안티모니 염화산화물 및 카드뮴 산화물은 화학양론적 함량으로 혼합하는 제1항의 안티모니 카드뮴 옥시클로라이드 화합물의 제조방법
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제8항에 있어서,안티모니 산화물 또는 그 염화산화물은 Sb2O3 및 SbOCl로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 제1항의 안티모니 카드뮴 옥시클로라이드 화합물의 제조방법
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제8항에 있어서,안티모니 산화물 및 카드뮴 클로라이드를 혼합하는 경우 2 mmol의 Sb2O3 및 2 mmol의 CdCl2 를 혼합하거나, 안티모니 염화산화물 및 카드뮴 산화물을 혼합하는 경우 4 mmol의 SbOCl 및 2 mmol의 CdO를 혼합하는 제1항의 안티모니 카드뮴 옥시클로라이드 화합물의 제조방법
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제8항에 있어서, 고체상 합성 반응은혼합물을 200 내지 250 ℃의 온도에서 3 내지 6 시간 동안 공기 접촉이 없는 진공에서 1차 가열하는 단계;상기 혼합물을 550 내지 630 ℃의 온도에서 24 내지 48 시간 동안 공기 접촉이 없는 진공에서 2차 가열하는 단계; 및2차 가열한 혼합물을 0
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