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기판;
상기 기판 하부에 형성되는 제1전극층;
상기 기판 상부에 형성되는 제1N형반도체층;
상기 제1N형반도체층 상부에 형성되는 제1P형반도체층;
상기 제1P형반도체층 상부에 형성되며 발광영역을 정의해주는 제2전극층;
상기 발광영역과 제2전극층이 존재하지 않는 영역에 존재하며 제1P형반도체층 상부에 형성되고 요부와 철부를 갖는 제2N형반도체층;
상기 제2N형반도체층의 철부에 형성되는 제2P형반도체층;
상기 제2N형반도체층의 요부에 형성되는 제3전극층; 및
상기 제2P형반도체층 상부에 제3전극층과 이격되어 존재하여 수광영역을 정의해주는 제4전극층을 포함하되,
상기 제1P형반도체층과 제2N형반도체층 사이에 에치스탑층을 더 포함하는 수발광 일체형 소자
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제2항에 있어서,
상기 제2P형반도체층 상부에 존재하며 제4전극층에 연결되는 금속 그리드를 더 포함하는 수발광 일체형 소자
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제2항에 있어서,
상기 제2전극층과 제4전극층 사이의 영역을 덮어 수광영역과 발광영역을 광학적으로 분리해주는 광분리층을 더 포함하는 수발광 일체형 소자
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제2항에 있어서,
상기 제1P형반도체층의 상부 또는 제1N형반도체층의 하부에 DBR층을 더 포함하는 수발광 일체형 소자
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제2항에 있어서,
상기 제2P형반도체층의 상부에 DBR층을 더 포함하는 수발광 일체형 소자
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제2항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1전극층, 제2전극층, 제3전극층, 제4전극층 또는 금속 그리드는 Au, Ag, Al, Pt, Cu, Ni, Mo, W, Pd 또는 이들의 합금을 포함하는 수발광 일체형 소자
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제4항에 있어서,
상기 광분리층은 금속 또는 유전체로 이루어진 수발광 일체형 소자
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