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이방성 도전성 접착제, 이를 이용한 반도체의 실장방법 및 웨이퍼 레벨 패키지

  • 기술번호 : KST2014027893
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 접착성 절연 수지와 상기 접착성 절연 수지의 경화가 완료되는 온도에서 용융되지 않는 도전입자를 포함하는 도전층, 상기 도전층 상에 형성되며, 접착성 절연 수지를 포함하는 절연층을 포함하고, 상기 도전층과 절연층에 선택적으로 상기 접착성 절연 수지의 경화가 완료되는 온도에서 용융되지 않는 방열입자가 포함된 이방성 도전성 접착제 및 이를 이용한 반도체 실장방법과 반도체 레벨 패키지에 관한 것이다. 이방성 도전성 접착제, 도전입자, 방열 입자, 반도체
Int. CL C09J 9/02 (2006.01) H01L 21/00 (2006.01)
CPC C09J 9/02(2013.01) C09J 9/02(2013.01)
출원번호/일자 1020090106553 (2009.11.05)
출원인 중앙대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1666040-0000 (2016.10.07)
공개번호/일자 10-2011-0049509 (2011.05.12) 문서열기
공고번호/일자 (20161014) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.11.05)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 중앙대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동작구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김종민 대한민국 서울특별시 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다나 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 중앙대학교 산학협력단 서울특별시 동작구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.11.05 수리 (Accepted) 1-1-2009-0681362-65
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.07.20 수리 (Accepted) 4-1-2011-5148879-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.07.20 수리 (Accepted) 4-1-2011-5148883-62
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000494-54
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.10.20 수리 (Accepted) 4-1-2014-5123944-33
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.11.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1064666-75
7 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2014.11.05 수리 (Accepted) 1-1-2014-1064681-50
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.06.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.08.07 수리 (Accepted) 9-1-2015-0054174-09
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.11.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0819963-86
11 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2016.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2016-0077725-10
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.02.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0183461-71
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.02.24 수리 (Accepted) 1-1-2016-0183452-60
14 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2016.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0472253-28
15 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2016.08.01 수리 (Accepted) 7-1-2016-0046264-43
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2016-0839359-75
17 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2016.08.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0839360-11
18 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2016.09.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0684383-16
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.04 수리 (Accepted) 4-1-2018-5125629-51
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.29 수리 (Accepted) 4-1-2019-5151122-15
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.01 수리 (Accepted) 4-1-2019-5153932-16
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
접착성 절연 수지와 상기 접착성 절연 수지의 경화가 완료되는 온도에서 용융되지 않는 도전입자를 포함하는 도전층; 및 상기 도전층 상에 형성되며, 접착성 절연 수지를 포함하는 절연층;을 포함하고, 상기 도전층과 절연층은 상기 접착성 절연 수지의 경화가 완료되는 온도에서 용융되지 않는 방열입자를 포함하고, 상기 방열입자의 평균 직경은 도전입자 직경의 1/10 이상에서 1/2 이하이고, 상기 방열입자는 상기 접착성 절연 수지에 대하여 3% 내지 50%의 부피비로 포함되고, 상기 방열입자는 비도전성인 수지입자에 도전성 물질이 코팅되어 형성되고, 상기 접착성 절연 수지는 플럭스 및 표면활성제를 포함하고, 상기 플럭스 및 표면활성제는 상기 접착성 절연 수지의 경화가 완료되는 온도보다 낮은 비점을 갖는 도전성 접착제
2 2
제1항에 있어서, 상기 도전층과 상기 절연층이 교번하여 적층되는 것을 특징으로 하는 이방성 도전성 접착제
3 3
제1항에 있어서, 상기 접착성 절연 수지는 열가소성 수지, 열경화성 수지 및 광반응성 수지로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 이방성 도전성 접착제
4 4
제1항에 있어서, 상기 접착성 절연 수지는 표면활성화수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 이방성 도전성 접착제
5 5
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6 6
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7 7
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8 8
제1항에 있어서, 상기 방열 입자의 도전성 물질은 금, 은, 구리, 텅스텐, 탄소나노튜브(CNT) 및 이들의 혼합물 등으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 이방성 도전성 접착제
9 9
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10 10
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11 11
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12 12
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13 13
복수의 기판 전극이 형성된 기판에 각각 대응하는 전극을 갖는 반도체칩을 실장하는 반도체 실장 방법에 있어서, 상기 기판전극과 상기 반도체칩 전극의 사이에 접착성 절연 수지와 상기 접착성 절연 수지의 경화가 완료되는 온도에서 용융되지 않는 도전입자를 포함하는 도전층 및 상기 도전층 상에 형성되며, 접착성 절연 수지를 포함하는 절연층을 포함하고, 상기 도전층과 절연층에 상기 접착성 절연 수지의 경화가 완료되는 온도에서 용융되지 않는 방열입자가 선택적으로 포함된 이방성 도전성 접착제를 배치하는 단계; 상기 도전성 접착제를 가열/가압하는 단계로서, 접착성 절연 수지가 용융되어 가압시 상기 용융되지 않은 도전입자가 상기 복수의 기판전극 과 대향되는 상기 복수의 반도체칩 전극 사이에 삽입되어 전기적으로 접속을 가능하게 되는 단계; 및 상기 접착성 절연 수지를 경화시켜 상기 기판과 상기 반도체칩을 접착시키는 단계를 포함하고, 상기 방열입자의 평균 직경은 도전입자 직경의 1/10 이상에서 1/2 이하이고, 상기 방열입자는 상기 접착성 절연 수지에 대하여 3% 내지 50%의 부피비로 포함되고, 상기 방열입자는 비도전성인 수지입자에 도전성 물질이 코팅되어 형성되고, 상기 접착성 절연 수지는 플럭스 및 표면활성제를 포함하고, 상기 플럭스 및 표면활성제는 상기 접착성 절연 수지의 경화가 완료되는 온도보다 낮은 비점을 갖고, 상기 방열입자의 크기는 상기 복수의 기판 전극과 복수의 반도체칩 전극의 최종 접합 거리보다 작은 반도체 실장방법
14 14
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15 15
제13항에 있어서, 상기 접착성 절연 수지는 열가소성 수지, 열경화성 수지 및 광반응성 수지로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 실장방법
16 16
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17 17
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18 18
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20 20
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21 21
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22 22
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.