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이방성 도전 접속제를 이용한 반도체 실장방법

  • 기술번호 : KST2014027895
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 이방성 도전 접속제를 이용한 반도체 실장방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 이방성 도전 접속제를 이용한 반도체 실장방법은 대향하는 단자 등의 단자 간의 충분한 전기적 접속을 확보할 수 있고, 인접 단자 간의 절연성도 충분히 확보하여 초미세 피치화에 적용할 수 있고 리페어 특성이 뛰어나며, 특히 방열 기능을 향상시킬 수 있다.이방성 도전 접속제, 반도체 실장, 웨팅, 도전성 입자, 방열 입자
Int. CL C09J 9/02 (2006.01) H01B 1/22 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020090075214 (2009.08.14)
출원인 중앙대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1182714-0000 (2012.09.07)
공개번호/일자 10-2011-0017642 (2011.02.22) 문서열기
공고번호/일자 (20120913) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.08.14)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 중앙대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동작구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김종민 대한민국 서울특별시 동작구
2 김주헌 대한민국 서울특별시 광진구
3 박수현 대한민국 경기도 용인시 기흥구
4 임병승 대한민국 서울특별시 마포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다나 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 중앙대학교 산학협력단 서울특별시 동작구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.08.14 수리 (Accepted) 1-1-2009-0497699-18
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2010.02.10 수리 (Accepted) 1-1-2010-0089720-01
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.04.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0211240-53
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2011-0465315-77
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.06.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0465316-12
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.07.20 수리 (Accepted) 4-1-2011-5148879-89
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.07.20 수리 (Accepted) 4-1-2011-5148883-62
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2011.12.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0771906-31
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0055598-54
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.01.20 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0055600-69
11 등록결정서
Decision to grant
2012.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0443883-54
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000494-54
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.20 수리 (Accepted) 4-1-2014-5123944-33
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.04 수리 (Accepted) 4-1-2018-5125629-51
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.29 수리 (Accepted) 4-1-2019-5151122-15
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.01 수리 (Accepted) 4-1-2019-5153932-16
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
고체 상태이고 가열시 용융 가능한 도전성 입자와, 상기 도전성 입자의 융점보다 높은 경화온도를 갖는 폴리머와, 상기 폴리머의 경화 온도보다 융점이 높은 방열 입자, 및 상기 도전성 입자의 융점보다 높고 상기 폴리머의 경화 온도보다 낮은 비점을 갖는 플럭스와 표면활성제를 포함하는 이방성 도전 접속제를 사이에 두고, 제 1 기판에 형성된 제 1 웨팅영역과 이에 대응되는 제 2 기판의 제 2 웨팅영역을 대향시켜 배치하는 단계;상기 이방성 도전성 접속제를 상기 폴리머의 경화가 완료되지 않은 온도까지 가열/가압하여, 상기 도전성 입자가 용융되어 제 1 및 제 2 웨팅영역을 전기적으로 접속하고, 상기 방열 입자와 경화되지 않은 폴리머가 유동되어 상기 제 1 및 제 2기판 사이에 충진되며 상기 전기적 접속부분들 간을 절연하는 단계; 및 상기 폴리머를 경화시켜 상기 제 1 및 제 2 기판을 접착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 실장방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 이방성 도전 접속제는 페이스트 상인 것을 특징으로 하는 반도체 실장방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 이방성 도전 접속제는 필름 상인 것을 특징으로 하는 반도체 실장방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 도전성 입자는 금속, 비금속 및 합금으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 실장방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 폴리머는 열가소성 수지, 열경화성 수지 및 광반응성 수지로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 실장방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 방열 입자는 금, 은, 구리, 텅스텐, 탄소나노튜브(CNT), 알루미나, 실리카, 산화마그네슘, 산화베릴륨, 질화붕소, 탄화규소, 실리콘 카바이드, 질화알루미늄 및 이들의 혼합물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 실장방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 방열입자는 열전도율이 10 W/mK 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 실장방법
8 8
제 1 항에 있어서,각 웨팅영역은 도전성 패드 또는 범프인 것을 특징으로 하는 반도체 실장방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101637401 KR 대한민국 FAMILY
2 WO2011019132 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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