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도전성 표면을 갖는 핵체와 상기 핵체의 표면에 형성된 절연막을 포함하는 도전입자;상기 도전성 표면의 융점에서 경화가 완료되지 않는 접착성 절연 수지; 및상기 접착성 절연 수지의 경화가 완료되는 온도에서 용융되지 않는 방열입자를 포함하고,상기 도전성 표면은 183℃ 보다 낮은 융점을 갖고,상기 절연막은 미립자를 포함하고 상기 미립자의 경도는 절연막의 경도보다 크고, 상기 미립자의 재질은 상기 방열입자의 재질과 동일하고,상기 접착성 절연 수지는 플럭스, 표면활성제, 경화제를 포함하고,상기 플럭스 및 표면활성제는 상기 도전성 표면의 융점보다 높고 상기 접착성 절연 수지의 경화가 완료되는 온도보다 낮은 비점을 갖고,상기 방열입자의 평균 직경은 도전입자 직경의 1/10 이상에서 1/2 이하이고,상기 방열입자는 상기 접착성 절연 수지에 대하여 3% 내지 50%의 부피비로 포함되는 도전성 접착제
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제1항에 있어서, 상기 핵체는 수지 입자, 용융 가능한 금속 및 합금, 저융점 금속 및 합금 또는 이들의 혼합물 중 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 이방성 도전성 접착제
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제1항에 있어서,상기 도전성 표면은 Sn-37Pb, 43Sn-57Bi, 48Sn-52In, 42-44In-14Cd, Sn-3
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도전성 표면을 갖는 핵체와 상기 핵체의 표면에 코팅된 절연막을 포함하는 도전입자와, 상기 도전성 표면의 융점에서 경화가 완료하지 않는 접착성 절연 수지를 포함하는 도전층; 및상기 도전성 표면의 융점에서 경화가 완료하지 않는 접착성 절연 수지 포함하는 절연층;을 포함하고, 상기 접착성 절연 수지의 경화가 완료되는 온도에서 용융되지 않는 방열입자가 상기 도전층 또는 절연층 중 적어도 하나 이상의 층에 포함되고,상기 도전성 표면은 183℃ 보다 낮은 융점을 갖고,상기 절연막은 미립자를 포함하고 상기 미립자의 경도는 절연막의 경도보다 크고, 상기 미립자의 재질은 상기 방열입자의 재질과 동일하고,상기 접착성 절연 수지는 플럭스, 표면활성제, 경화제를 포함하고,상기 플럭스 및 표면활성제는 상기 도전성 표면의 융점보다 높고 상기 접착성 절연 수지의 경화가 완료되는 온도보다 낮은 비점을 갖고,상기 방열입자의 평균 직경은 도전입자 직경의 1/10 이상에서 1/2 이하이고,상기 방열입자는 상기 접착성 절연 수지에 대하여 3% 내지 50%의 부피비로 포함되는 도전성 접착제
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제7항에 있어서,상기 도전층과 절연층이 교번하여 적층되는 것을 특징으로 하는 이방성 도전성 접착제
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반도체 칩과 회로기판 사이에 도전성 표면을 갖는 핵체와 상기 핵체의 표면에 형성된 절연막을 포함하는 도전입자와, 상기 도전성 표면의 용융 온도에서 경화가 완료되지 않는 접착성 절연 수지, 및 상기 접착성 절연 수지의 경화가 완료되는 온도에서 용융되지 않는 방열입자를 포함하는 이방성 도전성 접착제를 배치하는 단계;상기 핵체의 도전성 표면 융점보다 높고, 상기 접착성 절연 수지의 경화가 완료하지 않는 온도까지 가열하며, 상기 도전입자의 절연막이 파괴되는 정도로 상기 이방성 도전성 접착제를 가열/가압하는 단계; 및상기 수지 성분을 경화시키는 경화 단계를 포함하고,상기 도전성 표면은 183℃ 보다 낮은 융점을 갖고,상기 절연막은 미립자를 포함하고 상기 미립자의 경도는 절연막의 경도보다 크고, 상기 미립자의 재질은 상기 방열입자의 재질과 동일하고,상기 접착성 절연 수지는 플럭스, 표면활성제, 경화제를 포함하고,상기 플럭스 및 표면활성제는 상기 도전성 표면의 융점보다 높고 상기 접착성 절연 수지의 경화가 완료되는 온도보다 낮은 비점을 갖고,상기 방열입자의 평균 직경은 도전입자 직경의 1/10 이상에서 1/2 이하이고,상기 방열입자는 상기 접착성 절연 수지에 대하여 3% 내지 50%의 부피비로 포함되고,상기 방열입자의 크기는 상기 복수의 기판 전극과 복수의 반도체칩 전극의 최종 접합 거리보다 작은 반도체 실장방법
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