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용융 가능한 도전입자;상기 도전입자의 융점에서 경화가 완료되지 않는 접착성 절연 수지; 및상기 접착성 절연 수지의 경화가 완료되는 온도에서 용융되지 않는 방열입자를 포함하고,상기 도전입자는 183℃ 보다 낮은 융점을 갖고,상기 접착성 절연 수지는 플럭스, 표면활성제, 경화제를 포함하고,상기 플럭스 및 표면활성제는 상기 도전입자의 융점보다 높고 수지의 경화가 완료되는 온도보다 낮은 비점을 갖고,상기 방열입자의 평균 직경은 도전입자 직경의 1/10 이상에서 1/2 이하이고,상기 방열입자는 상기 접착성 절연 수지에 대하여 3% 내지 50%의 부피비로 포함되는 도전성 접착제
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용융 가능한 도전층; 및상기 도전층의 융점에서 경화가 완료되지 않는 접착성 절연 수지를 포함하는 절연층;을 포함하고,상기 접착성 절연수지의 경화가 완료되는 온도에서 용융되지 않는 방열입자가 상기 도전층 또는 절연층 중 적어도 하나 이상의 층에 포함되고,상기 도전층과 상기 절연층이 교번하여 적층되고,상기 도전층은 183℃ 보다 낮은 융점을 갖고,상기 접착성 절연 수지는 플럭스, 표면활성제, 경화제를 포함하고,상기 플럭스 및 표면활성제는 상기 도전층의 융점보다 높고 수지의 경화가 완료되는 온도보다 낮은 비점을 갖고,상기 방열입자의 평균 직경은 도전입자 직경의 1/10 이상에서 1/2 이하이고,상기 방열입자는 상기 접착성 절연 수지에 대하여 3% 내지 50%의 부피비로 포함되는 도전성 접착제
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 방열입자는 도전성을 갖는 금, 은, 구리, 텅스텐, 탄소나노튜브(CNT) 및 이들의 혼합물 등으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 도전성 접착제
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 방열입자는 비도전성 입자로 이루어진 것을 특징으로 하는 도전성 접착제
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 방열입자는 테플론, 폴리에틸렌, 알루미나, 실리카, 글라스 및 실리콘 카바이드로 및 이들의 혼합물 등으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상인 것 특징으로 하는 도전성 접착제
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 방열입자는 수지입자에 코팅되어 형성되는 것을 특징으로 하는 도전성 접착제
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복수의 기판 전극이 형성된 기판에 상기 복수의 반도체칩 전극이 형성된 반도체 칩을 실장하는 반도체 실장 방법에 있어서,용융 가능한 도전입자와, 상기 도전입자의 융점에서 경화가 완료되지 않는 접착성 절연 수지 및 상기 접착성 절연 수지의 경화가 완료되는 온도에서 용융되지 않는 방열입자를 포함하는 도전성 접착제를 상기 반도체칩과 기판 사이에 배치하는 단계;상기 도전성 접착제를 가열/가압하여 상기 도전입자가 상기 반도체칩과 기판의 전극단자 사이에 웨팅 영역을 형성하여 전극단자간을 전기적으로 연결하는 단계;상기 접착성 절연 수지를 경화시켜 상기 상/하 전극단자를 접착시키는 단계를 포함하고,상기 도전입자는 183℃ 보다 낮은 융점을 갖고,상기 접착성 절연 수지는 플럭스, 표면활성제, 경화제를 포함하고,상기 플럭스 및 표면활성제는 상기 도전입자의 융점보다 높고 수지의 경화가 완료되는 온도보다 낮은 비점을 갖고,상기 방열입자의 평균 직경은 도전입자 직경의 1/10 이상에서 1/2 이하이고,상기 방열입자는 상기 접착성 절연 수지에 대하여 3% 내지 50%의 부피비로 포함되고,상기 방열입자의 크기는 상기 복수의 기판 전극과 복수의 반도체칩 전극의 최종 접합 거리보다 작은 반도체 실장방법
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복수의 기판 전극이 형성된 기판에 상기 복수의 반도체칩 전극이 형성된 반도체 칩을 실장하는 반도체 실장 방법에 있어서,용융 가능한 도전층 및 상기 도전층의 융점에서 경화가 완료되지 않는 접착성 절연 수지를 포함하는 절연층을 포함하고, 상기 도전층과 절연층에 상기 접착성 절연 수지의 경화가 완료되는 온도에서 용융되지 않는 방열입자가 선택적으로 포함된 도전성 접착제를 상기 기판과 상기 반도체칩 사이에 배치하는 단계;상기 도전성 접착제를 가열/가압하여 접착성 절연 수지가 용융되어 상기 도전층이 상기 기판전극과 대향되는 상기 반도체칩 전극 사이에 퍼져 웨팅 영역을 형성하여 전극간을 전기적으로 연결하는 단계; 및상기 접착성 절연 수지를 경화시켜 상기 기판과 상기 반도체칩을 접착시키는 단계를 포함하고,상기 도전층은 183℃ 보다 낮은 융점을 갖고,상기 접착성 절연 수지는 플럭스, 표면활성제, 경화제를 포함하고,상기 플럭스 및 표면활성제는 상기 도전층의 융점보다 높고 수지의 경화가 완료되는 온도보다 낮은 비점을 갖고,상기 방열입자의 평균 직경은 도전입자 직경의 1/10 이상에서 1/2 이하이고,상기 방열입자는 상기 접착성 절연 수지에 대하여 3% 내지 50%의 부피비로 포함되고,상기 방열입자의 크기는 상기 복수의 기판 전극과 복수의 반도체칩 전극의 최종 접합 거리보다 작은 반도체 실장방법
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