| 1 |
1
플라즈마가 생성되는 공간을 제공하는 반응챔버;
상기 반응챔버의 내부에 마련되어 기판이 안착되는 서셉터;
상기 반응챔버의 상부에 마련되는 복수개의 절연판;
상기 복수개의 절연판이 대응 배치되는 복수개의 개구부가 형성되어 상기 복수개의 절연판을 지지하는 절연판 지지체;
상기 절연판 지지체에 마련되는 적어도 하나의 상부가스분사노즐; 및
상기 반응챔버의 측벽에 마련되는 적어도 하나의 측면가스분사노즐을 포함하며,
상기 절연판 지지체는,
사각 형상을 갖는 외곽 프레임; 및
상기 외곽 프레임의 내측 영역을 상기 복수개의 개구부로 분할하도록, 상기 외곽 프레임의 내측에서 가로 방향으로 배치되는 적어도 하나의 가로보와, 상기 외곽 프레임의 내측에서 세로 방향으로 배치되는 적어도 하나의 세로보를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,
상기 적어도 하나의 상부가스분사노즐은,
상기 적어도 하나의 가로보와 상기 적어도 하나의 세로보의 교차 부분에 결합되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치
|
| 4 |
4
제1항 또는 제3항에 있어서,
상기 상부가스분사노즐은,
가스분사유로가 형성되는 노즐판; 및
상기 노즐판에 결합되어 상기 기판을 향하여 공정가스를 분사하는 적어도 하나의 단위분사노즐을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치
|
| 5 |
5
제4항에 있어서,
상기 노즐판에는, 상기 적어도 하나의 단위분사노즐이 결합되는 적어도 하나의 노즐결합홀이 형성되고,
상기 단위분사노즐의 분사 각도는, 상기 노즐결합홀의 형성 방향에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치
|
| 6 |
6
제5항에 있어서,
상기 단위분사노즐은,
상기 기판의 중심부, 상기 중심부의 외측에 위치한 제1 지점부 및 상기 제1 지점부의 외측에 위치한 제2 지점부 중 어느 하나를 향하는 분사 각도를 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,
상기 적어도 하나의 측면가스분사노즐은,
상기 반응챔버의 측벽의 둘레를 따라 마련되는 복수개가 마련되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,
상기 절연판 지지체에는,
상기 절연판 지지체의 강도를 보강하도록, 적어도 하나의 보강리브가 마련되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치
|
| 9 |
9
제8항에 있어서,
상기 적어도 하나의 보강리브는,
상기 적어도 하나의 가로보 중 상기 외곽 프레임의 중심을 지나는 가로보의 상부와, 상기 적어도 하나의 세로보 중 상기 외곽 프레임의 중심을 지나는 세로보의 상부에 2개가 마련되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치
|
| 10 |
10
제1항에 있어서,
상기 적어도 하나의 상부가스분사노즐은,
상기 절연판 지지체에 복수개가 마련되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치
|
| 11 |
11
제10항에 있어서,
상기 적어도 하나의 가로보 및 상기 적어도 하나의 세로보 각각은 복수개가 마련되고,
상기 복수개의 상부가스분사노즐은 상기 복수개의 가로보와 상기 복수개의 세로보의 교차 부분들에 각각 결합되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치
|
| 12 |
12
제10항에 있어서,
상기 복수개의 상부가스분사노즐은,
상기 절연판 지지체의 중심에서 동일거리범위로 떨어진 위치별로 유량이 제어되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치
|
| 13 |
13
제10항에 있어서,
상기 상부가스분사노즐은,
가스분사유로가 형성되는 노즐판; 및
상기 노즐판에 결합되어 상기 기판을 향하여 공정가스를 분사하는 적어도 하나의 단위분사노즐을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치
|
| 14 |
14
제13항에 있어서,
상기 노즐판에는, 상기 적어도 하나의 단위분사노즐이 결합되는 적어도 하나의 노즐결합홀이 형성되고,
상기 단위분사노즐의 분사 각도는, 상기 노즐결합홀의 형성 방향에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치
|
| 15 |
15
제13항에 있어서,
상기 복수개의 상부가스분사노즐은,
상기 절연판 지지체에서의 위치에 따라 상기 단위분사노즐의 개수 및 분사 각도가 다르게 설정되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치
|
| 16 |
16
제13항에 있어서,
상기 복수개의 상부가스분사노즐은,
상기 절연판 지지체에서의 위치에 따라 상기 가스분사유로의 형상이 다르게 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치
|
| 17 |
17
제13항에 있어서,
상기 복수개의 상부가스분사노즐 중 최외측에 위치한 상부가스분사노즐에 마련된 상기 단위분사노즐은 상기 기판의 테두리를 향하는 분사 각도를 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치
|
