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가열시 용융 가능한 도전입자와, 상기 도전입자의 융점에서 경화가 완료되지 않는 접착성 절연 수지를 포함하는 도전층; 및
상기 도전입자의 융점에서 경화가 완료되지 않는 접착성 절연 수지를 포함하는 절연층을 포함하고,
상기 접착성 절연수지의 경화가 완료되는 온도에서 용융되지 않는 방열입자가 상기 도전층 또는 절연층 중 적어도 하나 이상의 층에 포함되는 이방성 도전 필름
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제1항에 있어서,
상기 도전층과 상기 접착층이 교번하여 적층되는 것을 특징으로 하는 이방성 도전 필름
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제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 도전입자는 Sn-37Pb, 43Sn-57Bi, 48Sn-52In, 42-44In-14Cd, Sn-3
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제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 접착성 절연 수지는 열가소성 수지, 열경화성 수지 및 광반응성 수지로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 이방성 도전 필름
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5
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 접착성 절연 수지가 열경화성 수지인 경우 상기 도전 입자는 상기 열경화성 수지의 경화가 완료되는 온도보다 낮은 온도에서 용융되는 것을 특징으로 하는 이방성 도전 필름
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6
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 접착성 절연 수지는 표면활성화수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 이방성 도전 필름
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7
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 접착성 절연 수지는 플럭스, 표면활성제, 경화제 중 적어도 하나를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이방성 도전 필름
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8
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 방열입자는 상기 도전입자보다 크기가 작은 것을 특징으로 하는 이방성 도전 필름
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제8항에 있어서,
상기 방열입자의 평균 직경은 도전입자 직경의 1/10 이상에서 1/2 이하이고 크기가 상이한 것을 특징으로 하는 이방성 도전 필름
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10
제8항에 있어서,
상기 방열입자는 도전성을 갖는 금, 은, 구리, 텅스텐, 탄소나노튜브(CNT) 등으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 이방성 도전 필름
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11
제8항에 있어서,
상기 방열입자는 비전도성 입자로 이루어진 것을 특징으로 하는 이방성 도전 필름
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12
제8항에 있어서,
상기 방열입자는 테플론, 폴리에틸렌, 알루미나, 실리카, 글라스 및 실리콘 카바이드로 및 이들의 혼합물 등으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상인 것 특징으로 하는 이방성 도전 필름
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13
제11항에 있어서,
상기 방열입자는 상기 접착성 절연 수지에 대하여 3% 내지 50%의 부피비로 포함되는 것을 특징으로 하는 이방성 도전 필름
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14
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 방열입자는 전도성 물질과 비전도성 물질이 코팅되어 형성되는 것을 특징으로 하는 이방성 도전 필름
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15
기판에 형성된 복수의 전극과 복수의 반도체칩 전극을 각각 대응되게 전기적으로 연결하는 반도체 실장 방법에 있어서,
가열시 용융 가능한 도전입자와, 상기 도전입자의 융점에서 경화가 완료되지 않는 접착성 절연 수지를 포함하는 도전층 및 상기 도전입자의 융점에서 경화가 완료되지 않는 접착성 절연 수지를 포함하는 절연층을 포함하고, 상기 접착성 절연수지의 경화가 완료되는 온도에서 용융되지 않는 방열입자가 상기 도전층 또는 절연층 중 적어도 하나 이상의 층에 포함되는 이방성 도전 필름을 사이에 두고 상기 기판전극과 상기 반도체 칩 전극을 대향시켜 배치하는 단계;
상기 도전입자의 융점보다 높고 상기 접착층의 경화가 완료되지 않는 온도까지 상기 이방성 도전 필름을 가열/가압하여 상기 도전입자가 용융/융합되어 상기 기판전극과 대향되는 상기 반도체칩 전극 사이에 웨팅 영역을 형성하여 전기적으로 접속을 가능하게 하고, 상기 접착성 절연 수지가 상기 기판전극, 상기 반도체칩 전극 및 상기 웨팅 영역으로 이루어지는 전기적 접합부분을 절연하는 단계; 및
상기 접착성 절연 수지를 경화시켜 상기 기판과 상기 반도체칩을 접착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 실장방법
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16
제15항에 있어서,
상기 방열입자의 크기는 상기 복수의 기판 전극과 복수의 반도체 칩 전극의 최종 접합 거리보다 작은 것을 특징으로 하는 반도체 실장방법
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17
제15항 또는 제16항에 있어서,
상기 도전입자는 Sn-37Pb, 43Sn-57Bi, 48Sn-52In, 42-44In-14Cd, Sn-3
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18
제15항 또는 제16항에 있어서,
상기 접착성 절연 수지는 열가소성 수지, 열경화성 수지 및 광반응성 수지로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 실장방법
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19
제15항 또는 제16항에 있어서,
상기 접착성 절연 수지가 열경화성 수지인 경우 상기 도전 입자는 상기 열경화성 수지의 경화 온도보다 낮은 온도에서 용융되는 것을 특징으로 하는 반도체 실장방법
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20
제15항 또는 제16항에 있어서,
상기 방열입자의 평균 직경은 도전입자 직경의 1/10 이상에서 1/2 이하이고 크기가 상이한 것을 특징으로 하는 반도체 실장방법
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제15항 또는 제16항에 있어서,
상기 방열입자는 도전성을 갖는 금, 은, 구리, 텅스텐, 탄소나노튜브(CNT) 및 이들의 혼합물 등으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 실장방법
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제15항 또는 제16항에 있어서,
상기 방열입자는 비전도성 입자로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 실장방법
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제15항 또는 제16항에 있어서,
상기 방열입자는 테플론, 폴리에틸렌, 알루미나, 실리카, 글라스 및 실리콘 카바이드로 및 이들의 혼합물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상인 것 특징으로 하는 반도체 실장방법
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제22항에 있어서,
상기 방열입자는 상기 접착성 절연 수지에 대하여 3% ~ 50%의 부피비로 포함되는 것을 특징으로 하는 반도체 실장방법
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25
제15항 또는 제16항에 있어서,
상기 방열입자는 가열/가압시 상기 웨팅 영역 외부로 이탈하는 것을 특징으로 하는 반도체 실장방법
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