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표면 플라즈몬 공명 현상을 이용한 전광 논리소자 및 광변조기

  • 기술번호 : KST2014028167
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 표면 플라즈몬 공명 현상을 이용한 전광 논리소자와 광변조기에 관한 것이다. 본 발명에 따른 표면 플라즈몬 공명 현상을 이용한 전광 논리소자는 구동광이 입사되는 입사 도파로와, 입사 도파로와 소정의 각도를 가지도록 배치되고 구동광이 출사되는 출사 도파로와, 입사 도파로와 출사 도파로 사이에 배치되어 입사 도파로를 통해 일면으로 입사된 구동광에 의해 표면 플라즈몬 파(surface plasmon wave, SPW)를 발생시키는 금속 박막과, 금속 박막의 타면에 배치되어 발생된 표면 플라즈몬 파를 가이드하며 외부에서 입사된 제어광에 의해 굴절률이 변화하는 활성층과, 활성층의 일면 중 적어도 일부에 배치되되 활성층을 통해 진행되는 표면 플라즈몬 파가 외부로 방출되는 것이 방지되도록 배치되는 보호층과, 활성층을 통해 진행되는 표면 플라즈몬 파를 검출하는 SPW 검출부와, 출사 도파로를 통해 출사되는 구동광을 검출하는 구동광 검출부를 구비한다.
Int. CL G02F 3/00 (2006.01)
CPC G02F 3/026(2013.01) G02F 3/026(2013.01) G02F 3/026(2013.01) G02F 3/026(2013.01)
출원번호/일자 1020100006958 (2010.01.26)
출원인 중앙대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1129223-0000 (2012.03.15)
공개번호/일자 10-2011-0087509 (2011.08.03) 문서열기
공고번호/일자 (20120326) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.01.26)
심사청구항수 23

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 중앙대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동작구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최영완 대한민국 서울특별시 동작구
2 오금윤 대한민국 서울특별시 동작구
3 김두근 대한민국 서울특별시 동작구
4 김홍승 대한민국 서울특별시 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 중앙대학교 산학협력단 서울특별시 동작구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.01.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0053249-19
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.10.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.11.15 수리 (Accepted) 9-1-2010-0070679-35
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.07.20 수리 (Accepted) 4-1-2011-5148883-62
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.07.20 수리 (Accepted) 4-1-2011-5148879-89
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0424647-61
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.09.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0762388-22
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.09.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0762414-22
9 등록결정서
Decision to grant		 2012.03.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0144772-15
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000494-54
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.10.20 수리 (Accepted) 4-1-2014-5123944-33
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.04 수리 (Accepted) 4-1-2018-5125629-51
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.29 수리 (Accepted) 4-1-2019-5151122-15
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.01 수리 (Accepted) 4-1-2019-5153932-16
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
구동광이 입사되는 입사 도파로;상기 입사 도파로와 소정의 각도를 가지도록 배치되고, 상기 구동광이 출사되는 출사 도파로;상기 입사 도파로와 출사 도파로 사이에 배치되어, 상기 입사 도파로를 통해 일면으로 입사된 구동광에 의해 표면 플라즈몬 파(surface plasmon wave, SPW)를 발생시키는 금속 박막;상기 금속 박막의 타면에 배치되어 상기 발생된 표면 플라즈몬 파를 가이드하며, 외부에서 입사된 제어광에 의해 굴절률이 변화하는 활성층;상기 활성층의 일면 중 적어도 일부에 배치되되, 상기 활성층을 통해 진행되는 표면 플라즈몬 파가 외부로 방출되는 것이 방지되도록 배치되는 보호층;상기 활성층을 통해 진행되는 표면 플라즈몬 파를 검출하는 SPW 검출부; 및상기 출사 도파로를 통해 출사되는 구동광을 검출하는 구동광 검출부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 현상을 이용한 전광 논리소자
2 2
제1항에 있어서,상기 입사 도파로와 출사 도파로는, 상기 활성층에 상기 제어광이 입사되지 않을 때, 상기 구동광의 입사에 의해 플라즈몬 공명 현상이 발생되는 각도로 배치되는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 현상을 이용한 전광 논리소자
3 3
제1항에 있어서,상기 제어광은 상기 활성층의 밴드갭보다 큰 에너지를 갖는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 현상을 이용한 전광 논리소자
4 4
제1항에 있어서,상기 활성층은 상기 입사 도파로와 출사 도파로의 밴드갭보다 큰 밴드갭을 갖는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 현상을 이용한 전광 논리소자
5 5
제1항에 있어서,상기 활성층은 ZnSe 및 ZnO 중 적어도 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 현상을 이용한 전광 논리소자
6 6
제1항에 있어서,상기 금속 박막과 보호층은 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu) 및 알루미늄(Al) 중에서 선택된 1종 이상을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 현상을 이용한 전광 논리소자
7 7
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 입사 도파로, 상기 출사 도파로, 상기 금속 박막, 상기 활성층 및 상기 보호층은 단일 웨이퍼에 집적되어 광집접화회로(photonic integrated circuit)로 제작되는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 현상을 이용한 전광 논리소자
8 8
제1 구동광이 입사되는 제1 입사 도파로와, 상기 제1 입사 도파로와 소정의 각도를 가지도록 배치되고 상기 제1 구동광이 출사되는 제1 출사 도파로와, 상기 제1 입사 도파로와 제1 출사 도파로 사이에 배치되어 상기 제1 입사 도파로를 통해 일면으로 입사된 제1 구동광에 의해 제1 표면 플라즈몬 파(surface plasmon wave, SPW)를 발생시키는 제1 금속 박막과, 상기 제1 금속 박막의 타면에 배치되어 상기 발생된 제1 표면 플라즈몬 파를 가이드하며 외부에서 입사된 제1 제어광에 의해 굴절률이 변화하는 제1 활성층과, 상기 제1 활성층의 일면 중 적어도 일부에 배치되되 상기 제1 활성층을 통해 진행되는 제1 표면 플라즈몬 파가 외부로 방출되는 것이 방지되도록 배치되는 제1 보호층을 구비하는 제1 소자부;제2 구동광이 입사되는 제2 입사 도파로와, 상기 제2 입사 도파로와 소정의 각도를 가지도록 배치되고 상기 제2 구동광이 출사되는 제2 출사 도파로와, 상기 제2 입사 도파로와 제2 출사 도파로 사이에 배치되어 상기 제2 입사 도파로를 통해 일면으로 입사된 제2 구동광에 의해 제2 표면 플라즈몬 파를 발생시키는 제2 금속 박막과, 상기 제2 금속 박막의 타면에 배치되어 상기 발생된 제2 표면 플라즈몬 파를 가이드하며 외부에서 입사된 제2 제어광에 의해 굴절률이 변화하는 제2 활성층과, 상기 제2 활성층의 일면 중 적어도 일부에 배치되되 상기 제2 활성층을 통해 진행되는 제2 표면 플라즈몬 파가 외부로 방출되는 것이 방지되도록 배치되는 제2 보호층을 구비하는 제2 소자부;상기 제1 활성층을 통해 진행되는 제1 표면 플라즈몬 파와 상기 제2 활성층을 통해 진행되는 제2 표면 플라즈몬 파를 검출하는 SPW 검출부; 및상기 제1 출사 도파로를 통해 출사되는 제1 구동광과 상기 제2 출사 도파로를 통해 출사되는 제2 구동광을 검출하는 구동광 검출부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 현상을 이용한 전광 논리소자
9 9
제8항에 있어서,상기 제1 입사 도파로와 제1 출사 도파로는, 상기 제1 활성층에 상기 제1 제어광이 입사되지 않을 때, 상기 제1 구동광의 입사에 의해 플라즈몬 공명 현상이 발생되는 각도로 배치되고,상기 제2 입사 도파로와 제2 출사 도파로는, 상기 제2 활성층에 상기 제2 제어광이 입사되지 않을 때, 상기 제2 구동광의 입사에 의해 플라즈몬 공명 현상이 발생되는 각도로 배치되는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 현상을 이용한 전광 논리소자
10 10
제8항에 있어서,상기 제1 제어광은 상기 제1 활성층의 밴드갭보다 큰 에너지를 갖고,상기 제2 제어광은 상기 제2 활성층의 밴드갭보다 큰 에너지를 갖는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 현상을 이용한 전광 논리소자
11 11
제8항에 있어서,상기 제1 활성층은 상기 제1 입사 도파로와 제1 출사 도파로의 밴드갭보다 큰 밴드갭을 갖는 물질로 이루어지고,상기 제2 활성층은 상기 제2 입사 도파로와 제2 출사 도파로의 밴드갭보다 큰 밴드갭을 갖는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 현상을 이용한 전광 논리소자
12 12
제8항에 있어서,상기 제1 활성층 및 제2 활성층은 ZnSe 및 ZnO 중 적어도 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 현상을 이용한 전광 논리소자
13 13
제8항에 있어서,상기 제1 금속 박막, 제1 보호층, 제2 금속 박막 및 제2 보호층은 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu) 및 알루미늄(Al) 중에서 선택된 1종 이상을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 현상을 이용한 전광 논리소자
14 14
제8항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 소자부와 상기 제2 소자부는 단일 웨이퍼에 집적되어 광집접화회로(photonic integrated circuit)로 제작되는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 현상을 이용한 전광 논리소자
15 15
구동광이 입사되는 입사 도파로;상기 입사 도파로와 소정의 각도를 가지도록 배치되고, 상기 구동광이 출사되는 출사 도파로;상기 입사 도파로와 출사 도파로 사이에 배치되어, 상기 입사 도파로를 통해 일면으로 입사된 구동광에 의해 표면 플라즈몬 파(surface plasmon wave, SPW)를 발생시키는 금속 박막;상기 금속 박막의 타면에 배치되어 상기 발생된 표면 플라즈몬 파를 가이드하며, 외부에서 입사된 제어광에 의해 굴절률이 변화하는 활성층; 및상기 출사 도파로를 통해 출사되는 구동광을 검출하는 구동광 검출부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 현상을 이용한 광변조기
16 16
구동광이 입사되는 입사 도파로;상기 입사 도파로와 소정의 각도를 가지도록 배치되고, 상기 구동광이 출사되는 출사 도파로;상기 입사 도파로와 출사 도파로 사이에 배치되어, 상기 입사 도파로를 통해 일면으로 입사된 구동광에 의해 표면 플라즈몬 파(surface plasmon wave, SPW)를 발생시키는 금속 박막;상기 금속 박막의 타면에 배치되어 상기 발생된 표면 플라즈몬 파를 가이드하며, 외부에서 입사된 제어광에 의해 굴절률이 변화하는 활성층; 상기 활성층의 일면 중 적어도 일부에 배치되되, 상기 활성층을 통해 진행되는 표면 플라즈몬 파가 외부로 방출되는 것이 방지되도록 배치되는 보호층; 및상기 활성층을 통해 진행되는 표면 플라즈몬 파를 검출하는 SPW 검출부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 현상을 이용한 광변조기
17 17
제15항에 있어서,상기 활성층의 일면 중 적어도 일부에 배치되되, 상기 활성층을 통해 진행되는 표면 플라즈몬 파가 외부로 방출되는 것이 방지되도록 배치되는 보호층; 및상기 활성층을 통해 진행되는 표면 플라즈몬 파를 검출하는 SPW 검출부;를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 현상을 이용한 광변조기
18 18
제15항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,상기 입사 도파로와 출사 도파로는, 상기 활성층에 상기 제어광이 입사되지 않을 때, 상기 구동광의 입사에 의해 플라즈몬 공명 현상이 발생되는 각도로 배치되는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 현상을 이용한 광변조기
19 19
제15항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제어광은 상기 활성층의 밴드갭보다 큰 에너지를 갖는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 현상을 이용한 광변조기
20 20
제15항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,상기 활성층은 상기 입사 도파로와 출사 도파로의 밴드갭보다 큰 밴드갭을 갖는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 현상을 이용한 광변조기
21 21
제15항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,상기 활성층은 ZnSe 및 ZnO 중 적어도 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 현상을 이용한 광변조기
22 22
제16항 또는 제17항에 있어서,상기 금속 박막과 보호층은 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu) 및 알루미늄(Al) 중에서 선택된 1종 이상을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 현상을 이용한 광변조기
23 23
제16항 또는 제17항에 있어서,상기 입사 도파로, 상기 출사 도파로, 상기 금속 박막, 상기 활성층 및 상기 보호층은 단일 웨이퍼에 집적되어 광집접화회로(photonic integrated circuit)로 제작되는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 현상을 이용한 광변조기
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.