| 1 |
1
폴리이미드 기판 위에 접착층, 구리 씨드(seed)층 및 구리 박막층을 포함하는 2층 연성 회로기판(FCCL)에 있어서, 상기 접착층이 제1 접착층과 제2 접착층의 2층으로 이루어져 있으며, 이때 상기 제1 접착층이 Ti 성분을 함유하고, 상기 제2 접착층이 Ni 성분을 함유하는 것임을 특징으로 하는, 2층 연성 회로기판
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,
1 kgf/cm 이상의 초기 접착력, 및 내열성 시험 후 0
|
| 3 |
3
제 1 항에 있어서,
상기 제1 접착층이 10 nm 이하의 두께를 갖고, 상기 제2 접착층이 20 nm 이하의 두께를 가짐을 특징으로 하는, 2층 연성 회로기판
|
| 4 |
4
제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 제1 접착층이 Ti 금속, 또는 TiOx, TiNx, TiCx, TiOx'Ny, TiOx'Cy, TiCx'Ny 및 TiOx'CyNz (여기서, 1≤x≤2, 0003c#x'≤2, 0003c#y≤2, 및 0003c#z≤2)로 이루어진 군 중에서 선택된 Ti 화합물로 구성되는 것을 특징으로 하는, 2층 연성 회로기판
|
| 5 |
5
제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 제2 접착층이 Ni 금속 또는 니켈에 Cr, V, Mo, Zn, Ti, Al, W, Mn, Co, Fe 및 Cu로 이루어진 군 중에서 선택된 하나 이상의 합금원소가 첨가된 합금으로 구성되는 것을 특징으로 하는, 2층 연성 회로기판
|
| 6 |
6
제 1 항에 있어서,
상기 제1 및 제2 접착층이 모두 비정질의 결정상을 가짐을 특징으로 하는, 2층 연성 회로기판
|
| 7 |
7
무접착제 2층 연성 회로기판(FCCL)을 연속적으로 제작하는 방법에 있어서, 폴리이미드 기판 위에 구리 씨드(seed)층을 형성한 후 구리 도금층을 형성하는 공정을 포함하고, 상기 구리 씨드층의 형성 전에 제1 접착층과 제2 접착층의 2층의 접착층을 형성하며, 이때 상기 제1 접착층이 Ti 성분을 함유하고, 상기 제2 접착층이 Ni 성분을 함유하는 것임을 특징으로 하는, 방법
|
| 8 |
8
제 7 항에 있어서,
접착층의 형성 전에 폴리이미드의 표면을 친수성화 처리하는 것을 특징으로 하는, 방법
|
| 9 |
9
제 8 항에 있어서,
폴리이미드 표면의 친수성화 처리를, 산소 또는 질소, 또는 이의 불활성 가스와의 혼합가스의 플라즈마나 이온빔을 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는, 방법
|
| 10 |
10
제 7 항에 있어서,
상기 제1 접착층이 10 nm 이하의 두께를 갖고, 상기 제2 접착층이 20 nm 이하의 두께를 갖도록 형성됨을 특징으로 하는, 방법
|
| 11 |
11
제 7 항에 있어서,
상기 제1 및 제2 접착층이 모두 비정질의 결정상을 가짐을 특징으로 하는, 방법
|
| 12 |
12
제 7 항에 있어서,
상기 제1 접착층이 Ti 금속, 또는 TiOx, TiNx, TiCx, TiOx'Ny, TiOx'Cy, TiCx'Ny 및 TiOx'CyNz (여기서, 1≤x≤2, 0003c#x'≤2, 0003c#y≤2, 및 0003c#z≤2)로 이루어진 군 중에서 선택된 Ti 화합물로 구성되는 것을 특징으로 하는, 방법
|
| 13 |
13
제 7 항에 있어서,
상기 제1 접착층이 상온 스퍼터링 또는 플라즈마 증착법에 의해 증착됨을 특징으로 하는 방법
|
| 14 |
14
제 13 항에 있어서,
상기 제1 접착층이 플라즈마 증착법에 의해 증착되며, 이때 Ti 금속을 전극으로 사용하고 N2O, 아르곤과 N2O의 혼합가스 또는 아르곤과 N2의 혼합가스를 플라즈마 소스 가스로 사용함을 특징으로 하는 방법
|
| 15 |
15
제 14 항에 있어서,
플라즈마 증착시 160 W 이상의 RF 전력을 사용함을 특징으로 하는 방법
|
