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유기 광전변환소자 제조 방법으로서,
소자간의 측면 직렬저항으로 인한 간섭현상을 감소시키기 위해, 소자 내부에 절연성 분할선의 패턴을 도입하여 소자의 면적을 분할하는 것을 포함하는, 유기 광전변환소자 제조하는 방법
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제1항에 있어서,
하기 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법:1) 투명전극이 형성된 투명기판 위에 소자의 면적 분할을 위한 절연성 분할선의 패턴을 형성하는 단계;
2) 상기 절연성 분할선의 패턴이 형성된 투명전극 위에 전극보호/전하수집층을 형성하는 단계;
3) 상기 전극보호/전하수집층 위에 p-n형 고분자 나노 복합구조를 형성하는 단계; 및
4) 상기 p-n형 고분자 나노 복합구조 위에 금속전극을 증착하는 단계를 포함하는, 유기 광전변환소자 제조 방법
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제2항에 있어서,
단계 1)에서 절연성 분할선의 패턴이 아크릴계 고분자, 폴리이미드계 고분자 및 폴리실록산계 고분자로 구성된 군으로부터 선택되는 고분자계 절연막 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 광전변환소자 제조 방법
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제2항에 있어서,
단계 1)에서 절연성 분할선의 패턴이 스핀(spin) 코팅, 딥(dip) 코팅, 블레이드(blade) 코팅, 바(bar) 코팅, 슬롯다이(slot-die) 코팅 및 스프레이(spray) 코팅의 코팅 기술; 잉크젯(inkjet) 프린팅, 그라비어(gravure) 프린팅, 오프셋(offset) 프린팅 및 스크린(screen) 프린팅의 프린팅 기술; 증발(evaporation) 및 스퍼팅(sputtering)의 진공 증착(vacuum deposition) 기술; 포토리소그래피(photolithography) 및 임프린트(imprint) 리소그래피의 리소그래피 기술; 레이저/라미네이션 열전사의 전사 기술; 및 레이저 식각(ablation) 기술로 구성된 군으로부터 선택되는 기술에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 광전변환소자 제조 방법
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제2항에 있어서,
단계 1)에서 투명기판이 유리, 석영, 투명 플라스틱인 PET(polyethylene terephthalate) 및 폴리에테르설폰(polyethersulfone)으로 구성된 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기 광전변환소자 제조 방법
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제2항에 있어서,
단계 1)에서 투명전극이 인듐 산화주석(indium tin oxide, ITO), 인듐 산화아연(indium zinc oxide, IZO) 및 알루미늄-도핑 산화아연(aluminum-dopped zinc oxide)의 투명 전도성 산화물(transparent conducting oxide, TCO), 폴리에틸렌다이옥시티오펜(polyethylene dioxythiophene, PEDOT), 폴리아닐린(polyaniline) 및 폴리피롤(polypyrrole)로 구성된 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기 광전변환소자 제조 방법
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제2항에 있어서,
단계 2)에서 전극보호/전하수집층이 폴리에틸렌다이옥시티오펜(PEDOT), 폴리스티렌설포네이트(polystyrenesulfonate, PSS), 폴리아닐린(polyaniline) 및 폴리피롤(polypyrrole)로 구성된 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기 광전변환소자 제조 방법
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제2항에 있어서,
단계 3)에서 p형 고분자가 폴리티오펜 및 그의 유도체, 폴리(파라-페닐렌) 및 그의 유도체, 폴리플로렌 및 그의 유도체, 및 폴리아세틸렌 및 그의 유도체로 구성된 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기 광전변환소자 제조 방법
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제2항에 있어서,
단계 3)에서 n형 고분자가 C60 플러렌, C70 플러렌의 플러렌(Fullerene), 3,4,9,10-페릴렌테트라카복실 비스벤즈이미다졸(3,4,9,10-perylenetetracarboxylic bisbenzimidazole, PTCBI)의 유기계 전자친화성 재료 및 이의 유도체로 구성된 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기 광전변환소자 제조 방법
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제2항에 있어서,
단계 4)에서 금속전극이 알루미늄, 마그네슘, 리튬, 칼슘, 구리, 은, 금, 백금 및 이들의 합금으로 구성된 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기 광전변환소자 제조 방법
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1) 투명기판, 2) 그 위에 형성된 투명전극, 3) 투명전극 위에 형성된 절연성 분할선의 패턴, 4) 절연성 분할선의 패턴이 형성된 투명전극 위에 형성된 전극보호/전하수집층, 5) 전극보호/전하수집층 위에 형성된 p-n형 고분자 나노 복합구조, 및 p-n형 고분자 나노 복합구조 위에 형성된 금속전극을 포함하고,
상기 절연성 분할선의 패턴 도입으로 소자의 면적이 분할되어 소자간의 측면 직렬저항으로 인한 간섭현상이 감소하고 광전변환효율이 향상된 유기 광전변환소자
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제11항에 있어서,
상기 절연성 분할선의 패턴이 아크릴계 고분자, 폴리이미드계 고분자 및 폴리실록산계 고분자로 구성된 군으로부터 선택되는 고분자계 절연막 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 광전변환소자
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제11항에 있어서,
상기 투명기판이 유리, 석영, 투명 플라스틱인 PET(polyethylene terephthalate) 및 폴리에테르설폰(polyethersulfone)으로 구성된 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기 광전변환소자
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제11항에 있어서,
상기 투명전극이 인듐 산화주석(indium tin oxide, ITO), 인듐 산화아연(indium zinc oxide, IZO) 및 알루미늄-도핑 산화아연(aluminum-dopped zinc oxide)의 투명 전도성 산화물(transparent conducting oxide, TCO), 폴리에틸렌다이옥시티오펜(polyethylene dioxythiophene, PEDOT), 폴리아닐린(polyaniline) 및 폴리피롤(polypyrrole)로 구성된 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기 광전변환소자
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제11항에 있어서,
상기 전극보호/전하수집층이 폴리에틸렌다이옥시티오펜(PEDOT), 폴리스티렌설포네이트(polystyrenesulfonate, PSS), 폴리아닐린(polyaniline) 및 폴리피롤(polypyrrole)로 구성된 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기 광전변환소자
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제11항에 있어서,
상기 p-n형 고분자 나노 복합구조에서 p형 고분자가 폴리티오펜 및 그의 유도체, 폴리(파라-페닐렌) 및 그의 유도체, 폴리플로렌 및 그의 유도체, 및 폴리아세틸렌 및 그의 유도체로 구성된 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기 광전변환소자
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제11항에 있어서,
상기 p-n형 고분자 나노 복합구조에서 n형 고분자가 C60 플러렌, C70 플러렌의 플러렌(Fullerene), 3,4,9,10-페릴렌테트라카복실 비스벤즈이미다졸(3,4,9,10-perylenetetracarboxylic bisbenzimidazole, PTCBI)의 유기계 전자친화성 재료 및 이의 유도체로 구성된 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기 광전변환소자
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제11항에 있어서, 상기 금속전극이 알루미늄, 마그네슘, 리튬, 칼슘, 구리, 은, 금, 백금 및 이들의 합금으로 구성된 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기 광전변환소자
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