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냉각 성능이 향상된 동위원소 생산용 중수 표적장치

  • 기술번호 : KST2014028328
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 H218O 농축물이 수용되는 캐비티를 가지는 캐비티 부재를 구비하며, 상기 캐비티에 수용된 H218O 농축물에 조사된 양성자와 상기 H218O 농축물간의 핵반응에 의해 18F을 생산하기 위한 표적장치로서, 상기 캐비티 부재는, 상기 양성자의 조사 경로 상에 서로 반대쪽을 향하도록 배치되어 있으며 상기 캐비티가 외부와 통하도록 상기 캐비티와 연결되어 있는 전면 개구부 및 후면 개구부가 형성되어 있으며, 상기 전면 개구부를 막도록 배치되어 있는 전면 박막; 상기 후면 개구부를 막도록 배치되어 있는 후면 덮개 부재; 상기 핵반응시 상기 캐비티 내에서의 압력 상승으로 인해 상기 전면 박막이 부풀어 오르는 것을 방지하기 위해 상기 전면 박막을 지지하도록 상기 캐비티 부재에 결합되며, 상기 양성자의 조사 경로 상에 배치되며, 상기 양성자의 조사방향으로 관통공이 복수 형성되어 있는 전면 냉각부재; 상기 캐비티 둘레를 따라 냉각수를 공급하기 위한 공간을 구비하며, 상기 캐비티 부재에 결합되는 중앙 냉각부재; 및 상기 후면 덮개 부재와 결합하며 냉각수가 출입하여 유동하도록 된 후면 냉각부재;를 구비하며, 상기 캐비티의 내주면에는 티타늄(Ti) 또는 니오븀(Nb)이 도금처리된 열화학적 안정층이 구비되어 있는 것을 특징으로 한다.
Int. CL G21G 1/00 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020090044118 (2009.05.20)
출원인 한국원자력의학원
등록번호/일자 10-1065057-0000 (2011.09.07)
공개번호/일자 10-2010-0125089 (2010.11.30) 문서열기
공고번호/일자 (20110915) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.05.20)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국원자력의학원 대한민국 서울특별시 노원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍봉환 대한민국 서울 성북구
2 황원택 대한민국 서울특별시 노원구
3 이민용 대한민국 서울특별시 노원구
4 양태건 대한민국 서울특별시 구로구
5 김유석 대한민국 서울특별시 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국원자력의학원 대한민국 서울특별시 노원구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.05.20 수리 (Accepted) 1-1-2009-0303119-11
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.01.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0009876-31
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.01.31 수리 (Accepted) 1-1-2011-0076332-29
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.01.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0076333-75
5 등록결정서
Decision to grant
2011.08.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0479619-60
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2011-5232866-90
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-0027536-33
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
H218O 농축물이 수용되는 캐비티를 가지는 캐비티 부재를 구비하며, 상기 캐비티에 수용된 H218O 농축물에 조사된 양성자와 상기 H218O 농축물간의 핵반응에 의해 18F을 생산하기 위한 표적장치에 있어서, 상기 캐비티 부재는, 상기 양성자의 조사 경로 상에 서로 반대쪽을 향하도록 배치되어 있으며 상기 캐비티가 외부와 통하도록 상기 캐비티와 연결되어 있는 전면 개구부 및 후면 개구부가 형성되어 있으며, 상기 전면 개구부를 막도록 배치되어 있는 전면 박막; 상기 후면 개구부를 막도록 배치되어 있는 후면 덮개 부재; 상기 핵반응시 상기 캐비티 내에서의 압력 상승으로 인해 상기 전면 박막이 부풀어 오르는 것을 방지하기 위해 상기 전면 박막을 지지하도록 상기 캐비티 부재에 결합되며, 상기 양성자의 조사 경로 상에 배치되며, 상기 양성자의 조사방향으로 관통공이 복수 형성되어 있는 전면 냉각부재; 상기 캐비티 둘레를 따라 냉각수를 공급하기 위한 공간을 구비하며, 상기 캐비티 부재에 결합되는 중앙 냉각부재; 및 상기 후면 덮개 부재와 결합하며 냉각수가 출입하여 유동하도록 된 후면 냉각부재;를 구비하며, 상기 캐비티의 내주면에는 티타늄(Ti) 또는 니오븀(Nb)이 도금처리된 열화학적 안정층이 구비되어 있으며, 상기 캐비티 부재는 상기 캐비티의 외주면으로부터 돌출되어 상기 캐비티의 둘레방향으로 연장되고 상기 양성자의 조사 방향으로 서로 이격되도록 배치된 복수의 제1냉각핀을 구비한 것을 특징으로 하는 냉각 성능이 향상된 동위원소 생산용 중수(H218O) 표적장치
2 2
제1항에 있어서, 상기 열화학적 안정층의 두께는 1㎛ 내지 10㎛인 것을 특징으로 하는 냉각 성능이 향상된 동위원소 생산용 중수(H218O) 표적장치
3 3
제1항에 있어서, 상기 캐비티는 상기 양성자 조사 경로 방향으로의 길이가 5㎜ 내지 20㎜인 것을 특징으로 하는 냉각 성능이 향상된 동위원소 생산용 중수(H218O) 표적장치
4 4
제1항에 있어서, 상기 캐비티는 상기 양성자 조사 경로의 상류측으로부터 하류측으로 갈수록 내경의 크기가 점점 더 커지는 원뿔대 형상인 것을 특징으로 하는 냉각 성능이 향상된 동위원소 생산용 중수(H218O) 표적장치
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서, 상기 후면 덮개 부재는 상기 캐비티를 향해 돌출되어 수직방향으로 연장되고 수평방향으로 서로 이격된 복수의 제2냉각핀을 구비한 것을 특징으로 하는 냉각 성능이 향상된 동위원소 생산용 중수(H218O) 표적장치
7 7
제1항에 있어서, 상기 관통공은 상기 양성자의 조사 경로에 대해 수직인 단면 형상이 원형 또는 육각형이며, 그 단면상에서 벌집 형태로 배치된 것을 특징으로 하는 냉각 성능이 향상된 동위원소 생산용 중수(H218O) 표적장치
8 8
제1항에 있어서, 상기 전면 박막은 티타늄(Ti) 또는 니오븀(Nb)으로 제조된 것을 특징으로 하는 냉각 성능이 향상된 동위원소 생산용 중수(H218O) 표적장치
9 9
제6항에 있어서, 상기 제2냉각핀의 표면에는 티타늄(Ti) 또는 니오븀(Nb)이 도금되어 있는 것을 특징으로 하는 냉각 성능이 향상된 동위원소 생산용 중수(H218O) 표적장치
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1 US2010294655 US 미국 DOCDBFAMILY
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1 교육과학기술부 한국원자력의학원 원자력기술개발사업 초전도 사이클로트론 가속기 핵심 기술 개발