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패키지 내부에,
강유전체의 유전율을 변화시켜 커패시터의 용량값을 변화할 수 있는 가변 커패시터 및 가변 인덕터로 구성되는 가변 내부 정합회로
를 포함하되,
상기 가변 커패시터는,
외부 바이어스 전압을 인가하면 상기 유전율이 변화하는 BST 재질의 강유전체를 패키지 기판 위에 적층한 것이고,
상기 강유전체는,
상기 패키지 기판 위에 MOCVD, PLD 및 Sputtering 중 어느 한 방법을 이용하여 박막으로 증착되는 방식 및 상기 패키지 기판 위에 그린 시트 형태의 후막으로 증착되는 방식 중 어느 한 방식으로 형성되고,
상기 가변 인덕터는,
패드와 패드 사이의 거리, 와이어의 두께, 높이 및 재질 중 적어도 어느 하나를 변동함으로써 인덕턴스 값을 조정할 수 있는 세선 용접 형태
로 구성되는 것을 특징으로 하는 강유전체를 이용한 가변 내부 정합회로를 구비한 증폭기
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제1항에 있어서,
상기 강유전체는, 고주파 영역에서 높은 유전율과 낮은 유전손실 특성을 가지는 것
을 특징으로 하는 강유전체를 이용한 가변 내부 정합회로를 구비한 증폭기
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삭제
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삭제
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제1항에 있어서,
상기 패키지 기판은, MgO 기판 및 사파이어 기판 중 어느 하나인 것
을 특징으로 하는 강유전체를 이용한 가변 내부 정합회로를 구비한 증폭기
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8
제1항에 있어서,
상기 가변 커패시터는, 커패시터의 가변율 및 비선형성을 증대시키는 Metal Insulator Metal(MIM) 방식 및 선형성이 높고 제작이 용이한 Interdigital 방식 중 어느 하나로 제작된 것
을 특징으로 하는 강유전체를 이용한 가변 내부 정합회로를 구비한 증폭기
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제1항에 있어서,
상기 가변 내부 정합회로는, 상기 가변 커패시터 값을 변경시켜 정합회로 전체의 인덕턴스를 변경시키는 것
을 특징으로 하는 강유전체를 이용한 가변 내부 정합회로를 구비한 증폭기
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제1항에 있어서,
상기 가변 정합회로는, 2개의 가변 커패시터 및 상기 2개의 가변 커패시터를 양쪽 패드로 하여 직렬연결된 인덕터를 포함하는 PI 네트워크로 구성된 것
을 특징으로 하는 강유전체를 이용한 가변 내부 정합회로를 구비한 증폭기
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12
제1항에 있어서,
상기 가변 정합회로는, 2개의 직렬연결된 가변 커패시터 및 상기 2개의 가변 커패시터와 병렬연결된 인덕터를 포함하는 T 네트워크로 구성된 것
을 특징으로 하는 강유전체를 이용한 가변 내부 정합회로를 구비한 증폭기
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13
제1항에 기재된 가변 내부 정합회로; 및
가변 커패시터와 가변 인덕터를 직렬연결하여 구성된 LC 공진회로;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 강유전체를 이용한 가변 내부 정합회로 및 LC 공진회로를 구비한 증폭기
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14
패키지 내부에,
입력포트(100)와 트랜지스터(220)를 양쪽 패드로 하여 세선용접 형태로 구성된 제 1 인덕터(210)와,
패키지 기판 위에 증착된 강유전체(300) 위에 도체 패턴을 적층하여 구성한 가변 커패시터(240)와,
상기 가변 커패시터와 트랜지스터(220)를 양쪽 패드로 하여 세선용접 형태로 구성된 제 2 인덕터(230)와,
상기 가변 커패시터(240)와 출력포트(400)를 양쪽 패드로 하여 세선용접 형태로 구성된 제 3 인덕터(250)
를 포함하고,
상기 가변 커패시터는,
외부 바이어스 전압을 인가하면 유전율이 변화하는 BST 재질의 강유전체를 패키지 기판 위에 적층한 것이고,
상기 강유전체는,
상기 패키지 기판 위에 MOCVD, PLD 및 Sputtering 중 어느 한 방법을 이용하여 박막으로 증착되는 방식 및 상기 패키지 기판 위에 그린 시트 형태의 후막으로 증착되는 방식 중 어느 한 방식으로 형성되고,
상기 제1 내지 제3 인덕터 각각은,
패드와 패드 사이의 거리, 와이어의 두께, 높이 및 재질 중 적어도 어느 하나를 변동함으로써 인덕턴스 값을 조정할 수 있는 상기 세선용접 형태로 구성되는 것을 특징으로 하는 강유전체를 이용한 가변 내부 정합회로를 구비한 증폭기 패키지
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제14항에 있어서, 상기 강유전체는,
고주파 영역에서 높은 유전율과 낮은 유전손실 특성을 가지는 것
을 특징으로 하는 강유전체를 이용한 가변 내부 정합회로를 구비한 증폭기 패키지
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