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압전 스피커

  • 기술번호 : KST2014028515
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 압전 스피커에 관한 것이다. 그러므로, 본 발명의 압전 스피커는 압전 세라믹판의 두께 방향으로 진동시킬 수 있는 구조적인 특징들을 구비하게 되어, 큰 음향 에너지를 얻을 수 있는 효과가 있다. 또한, 본 발명은 적층된 압전 세라믹판에 접합된 금속판에 굴곡 진동하게 됨으로, 기존의 압전 스피커보다 훨씬 더 큰 음향 에너지를 획득할 수 있는 효과가 있다. 압전, 음향, 진동, 원, 두께
Int. CL H04R 17/00 (2006.01)
CPC B06B 1/064(2013.01) B06B 1/064(2013.01) B06B 1/064(2013.01) B06B 1/064(2013.01)
출원번호/일자 1020080136053 (2008.12.29)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-1010738-0000 (2011.01.18)
공개번호/일자 10-2010-0077958 (2010.07.08) 문서열기
공고번호/일자 (20110125) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.12.29)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이형규 대한민국 서울특별시 강남구
2 강형원 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2 조현동 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 (도곡동, 덕영빌딩)(노벨국제특허법률사무소)
3 진천웅 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2008-0901295-64
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.07.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0298990-04
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.09.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0593494-10
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.09.13 수리 (Accepted) 1-1-2010-0593496-01
5 등록결정서
Decision to grant
2011.01.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0028339-25
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제 1과 2 전도성 비아홀들이 형성되어 있고, 상기 제 1 전도성 비아홀과 연결되고 동심원 형상의 제 1 전극라인들을 포함하여 구성된 제 1 전극이 형성되어 있고, 상기 제 2 전도성 비아홀과 연결되고 상기 제 1 전극라인들과 이격되며 동심원 형상의 제 2 전극라인들을 포함하여 구성된 제 2 전극이 형성되어 있는 압전 세라믹판들이 적층된 구조물과; 상기 구조물 상부에 적층되며, 상기 각각의 압전 세라믹판들에 형성된 제 1 전극과 연결되어 있는 전극 패드가 형성된 상부 압전 세라믹판과; 상기 구조물 하부에 적층되며, 상기 각각의 압전 세라믹판들에 형성된 제 2 전극과 연결되어 있는 전극 패드가 형성된 하부 압전 세라믹판과; 상기 상부 압전 세라믹판 또는 하부 압전 세라믹판에 접합된 금속판을 포함하여 구성된 압전 스피커
2 2
제 1과 2 전도성 비아홀들이 형성되어 있고, 상기 제 1 전도성 비아홀과 연결되고 나선 형상의 제 1 전극이 형성되어 있고, 상기 제 2 전도성 비아홀과 연결되고 상기 제 1 전극과 이격된 나선 형상의 제 2 전극이 형성되어 있는 압전 세라믹판들이 적층된 구조물과; 상기 구조물 상부에 적층되며, 상기 각각의 압전 세라믹판들에 형성된 제 1 전극과 연결되어 있는 전극 패드가 형성된 상부 압전 세라믹판과; 상기 구조물 하부에 적층되며, 상기 각각의 압전 세라믹판들에 형성된 제 2 전극과 연결되어 있는 전극 패드가 형성된 하부 압전 세라믹판과; 상기 상부 압전 세라믹판 또는 하부 압전 세라믹판에 접합된 금속판을 포함하여 구성된 압전 스피커
3 3
청구항 1 또는 2에 있어서, 상기 상부 압전 세라믹판은, 상기 제 1 전도성 비아홀들과 연결되는 전도성 비아홀이 형성되어 있고, 그 전도성 비아홀 상부에 전극 패드가 형성되어 있으며, 상기 하부 압전 세라믹판은, 상기 제 2 전도성 비아홀과 연결되는 전도성 비아홀이 형성되어 있고, 그 전도성 비아홀 하부에 전극 패드가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 압전 스피커
4 4
청구항 1 또는 2에 있어서, 상기 제 2 전도성 비아홀들은, 상기 압전 세라믹판의 중심 영역에 형성되어 있고, 상기 제 1 전도성 비아홀들은, 상기 제 2 전도성 비아홀들로부터 이격된 영역에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 압전 스피커
5 5
청구항 1 또는 2에 있어서, 상기 제 1 전극과 제 2 전극은 상호 이격되어 있는 것을 특징으로 하는 압전 스피커
6 6
제 1과 2 전도성 비아홀이 형성되어 있고, 상기 제 1 전도성 비아홀과 연결되고, 상호 이격된 복수개의 원형의 제 1 전극라인들로 이루어진 제 1 전극이 형성되어 있는 제 1 압전 세라믹판과, 제 1과 2 전도성 비아홀이 형성되어 있고 상기 제 2 전도성 비아홀과 연결되며, 상기 제 1 전극라인들의 사이 영역에 형성되며, 상호 이격된 복수개의 원형의 제 2 전극라인들로 이루어진 제 2 전극이 형성되어 있는 제 2 압전 세라믹판이 교대로 적층된 구조물과; 상기 구조물 상부에 적층되며, 상기 각각의 압전 세라믹판들에 형성된 제 2 전극과 연결되어 있는 전극 패드가 형성된 상부 압전 세라믹판과; 상기 구조물 하부에 적층되며, 상기 각각의 압전 세라믹판들에 형성된 제 1 전극과 연결되어 있는 전극 패드가 형성된 하부 압전 세라믹판과; 상기 상부 압전 세라믹판 또는 하부 압전 세라믹판에 접합된 금속판을 포함하여 구성된 압전 스피커
7 7
청구항 6에 있어서, 상기 상부 압전 세라믹판은, 상기 제 2 전도성 비아홀들과 연결되는 전도성 비아홀이 형성되어 있고, 그 전도성 비아홀 상부에 전극 패드가 형성되어 있으며, 상기 하부 압전 세라믹판은, 상기 제 1 전도성 비아홀과 연결되는 전도성 비아홀이 형성되어 있고, 그 전도성 비아홀 하부에 전극 패드가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 압전 스피커
8 8
청구항 6 또는 7에 있어서, 상기 제 1 전도성 비아홀들은, 상기 압전 세라믹판의 중심 영역에 형성되어 있고, 상기 제 2 전도성 비아홀들은, 상기 제 1 전도성 비아홀들로부터 이격된 영역에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 압전 스피커
9 9
청구항 1 또는 2에 있어서, 상기 압전 세라믹판의 형상은 원형인 것을 특징으로 하는 압전 스피커
10 10
청구항 1 또는 2에 있어서, 상기 압전 세라믹판은, 전계 방향, 분극 방향과 변위 방향이 평행한 기본 진동 모드를 갖는 압전체로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 압전 스피커
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패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 전자부품연구원 21세기 프런티어 기술개발사업 (차세대 소재성형기술개발 사업) 적층 압전 소형 고출력 세라믹 액츄에이터