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게이트;
상기 게이트 상에 서로 이격되어 형성된 소스 및 드레인;
상기 게이트와 소스 및 드레인 각각 사이에 형성되고, 상기 소스 및 드레인이 이격된 영역에 채널영역이 형성된 절연층; 및
상기 소스 및 드레인을 연결하되 상기 게이트와 대향하는 면에 생체물질 특이성을 갖는 리셉터를 포함하는 나노와이어;를 포함하는 나노와이어 트랜지스터 센서
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제 1항에 있어서,
상기 절연층은 실리콘 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 트랜지스터 센서
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제 1항에 있어서,
상기 게이트 및 상기 절연층 사이에 형성되는 보조절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 트랜지스터 센서
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4
게이트;
상기 게이트 상에 형성된 나노갭 높이를 갖는 스페이서;
상기 스페이서 상에 형성되되, 상기 스페이서로 인한 상기 게이트와의 나노갭사이에 생체물질 특이성을 갖는 리셉터를 포함하는 나노와이어; 및
상기 나노와이어로 서로 연결된 소스 및 드레인;을 포함하는 나노와이어 트랜지스터 센서
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5 |
5
제 4항에 있어서,
상기 스페이서는 나노와이어로 형성되는 것을 특징으로 하는 나노와이어 트랜지스터 센서
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제 4항에 있어서,
상기 게이트는 금을 포함하고,
상기 나노와이어는 실리콘 나노와이어인 것을 특징으로 하는 나노와이어 트랜지스터 센서
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7 |
7
게이트, 상기 게이트상에 서로 이격되어 형성된 소스 및 드레인, 상기 게이트와 소스 및 드레인 각각 사이에 형성되고, 상기 소스 및 드레인이 이격된 영역에 채널영역이 형성된 절연층 및 상기 소스 및 드레인을 연결하되 상기 게이트와 대향하는 면에 생체물질 특이성을 갖는 리셉터를 포함하는 나노와이어를 포함하는 나노와이어 트랜지스터 센서;
상기 나노와이어 트랜지스터 센서에 유체를 흘릴 수 있는 유체 채널; 및
상기 나노와이어와 게이트 사이에 유전률, 게이트 누설전류 또는 커패시턴스를 측정하는 측정기;를 포함하는 나노와이어 트랜지스터 센서를 이용한 생체분자검출장치
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8 |
8
게이트를 형성하는 단계;
상기 게이트상에 절연층을 형성하는 단계;
상기 절연층상에, 상기 게이트 및 상기 절연층의 적층방향과 수직하도록 나노와이어를 형성하는 단계;
상기 절연층 상에 서로 이격된 소스 및 드레인을 각각 형성하되, 상기 소스 및 드레인은 상기 나노와이어로 서로 연결되도록 형성하는 단계;
상기 소스 및 드레인을 연결하는 영역의 절연층을 일부 식각하여 나노갭을 형성하는 단계; 및
상기 나노와이어를 생체물질 특이성을 갖는 리셉터를 포함하도록 표면처리하는 단계;를 포함하는 나노와이어 트랜지스터 센서 제조방법
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9
제8항에 있어서,
상기 나노와이어를 형성하는 단계는,
상기 절연층상에 상기 나노와이어를 트랜스퍼-프린트 방법 또는 어셈블리방법을 수행하여 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 나노와이어 트랜지스터 센서 제조방법
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10 |
10
제8항에 있어서,
상기 나노와이어의 표면처리하는 단계 전에,
상기 나노와이어의 하면 및 상기 게이트의 상면 사이의 공간인 나노갭부분에 절연물질을 ALD 증착하여 상기 나노갭의 두께를 조절하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 트랜지스터 센서 제조방법
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11
게이트를 형성하는 단계;
상기 게이트 상에 보조절연층을 형성하는 단계;
상기 보조절연층 상에 주절연층을 형성하는 단계;
상기 주절연층 상에 상기 게이트, 보조절연층, 및 주절연층의 적층방향에 수직하도록 나노와이어를 형성하는 단계;
상기 주절연층 상에 서로 이격된 소스 및 드레인을 각각 형성하되, 상기 소스 및 드레인은 상기 나노와이어로 서로 연결되도록 형성하는 단계;
상기 소스 및 드레인을 연결하는 영역의 주절연층을 일부 식각하여 나노갭을 형성하는 단계; 및
상기 나노와이어를 생체물질 특이성을 갖는 리셉터를 포함하도록 표면처리하는 단계;를 포함하는 나노와이어 트랜지스터 센서 제조방법
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12
기판 상에 절연층을 형성하는 단계;
상기 절연층 상에 게이트를 형성하는 단계;
상기 게이트 상에 나노갭높이의 스페이서를 위치시키는 단계;
상기 스페이서 상에 나노와이어를 형성하는 단계;
상기 나노와이어로 서로 연결되도록 소스 및 드레인을 형성하는 단계; 및
상기 나노와이어를 생체물질 특이성을 갖는 리셉터를 포함하도록 표면처리하는 단계;를 포함하는 나노와이어 트랜지스터 센서 제조방법
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