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나노와이어 트랜지스터 센서, 제조방법 및 이를 이용한 생체분자 검출장치

  • 기술번호 : KST2014028562
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 비표지 방식의 고감도 나노와이어 트랜지스터 센서, 제조방법 및 이를 이용한 생체분자 검출장치가 제안된다. 제안된 나노와이어 트랜지스터 센서는 나노와이어 트랜지스터 센서는 게이트, 게이트상에 서로 이격되어 형성된 소스 및 드레인, 게이트와 소스 및 드레인 각각 사이에 형성되고, 소스 및 드레인이 이격된 영역에 채널영역이 형성된 절연층 및 소스와 드레인을 연결하되 게이트와 대향하는 면에 생체물질 특이성을 갖는 리셉터를 포함하는 나노와이어를 포함한다. 또한, 제안된 나노와이어 트랜지스터 센서 제조방법은 게이트를 형성하는 단계; 게이트상에 절연층을 형성하는 단계; 절연층상에, 게이트 및 절연층의 적층방향과 수직하도록 나노와이어를 형성하는 단계; 절연층 상에 서로 이격된 소스 및 드레인을 각각 형성하되, 소스 및 드레인은 나노와이어로 서로 연결되도록 형성하는 단계; 절연층을 식각하여 채널영역을 형성하는 단계; 및 나노와이어를 생체물질 특이성을 갖는 리셉터를 포함하도록 표면처리하는 단계;를 포함한다. 나노와이어, 트랜지스터 센서, 스페이서
Int. CL G01N 27/414 (2006.01) G01N 27/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) G01N 33/48 (2006.01)
CPC G01N 27/4145(2013.01) G01N 27/4145(2013.01) G01N 27/4145(2013.01) G01N 27/4145(2013.01) G01N 27/4145(2013.01)
출원번호/일자 1020090068292 (2009.07.27)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-1040083-0000 (2011.06.02)
공개번호/일자 10-2011-0010929 (2011.02.08) 문서열기
공고번호/일자 (20110609) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.07.27)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이국녕 대한민국 서울 성북구
2 성우경 대한민국 경기도 성남시 분당구
3 정석원 대한민국 경기 오산시
4 이민호 대한민국 서울시 영등포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남충우 대한민국 서울 강남구 언주로 ***, *층(역삼동, 광진빌딩)(알렉스국제특허법률사무소)
2 노철호 대한민국 경기도 성남시 분당구 판교역로 ***, 에스동 ***호(삼평동,에이치스퀘어)(특허법인도담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전자부품연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.07.27 수리 (Accepted) 1-1-2009-0457031-14
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.11.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.12.09 수리 (Accepted) 9-1-2010-0074328-18
4 등록결정서
Decision to grant
2011.04.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0203635-41
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
게이트; 상기 게이트 상에 서로 이격되어 형성된 소스 및 드레인; 상기 게이트와 소스 및 드레인 각각 사이에 형성되고, 상기 소스 및 드레인이 이격된 영역에 채널영역이 형성된 절연층; 및 상기 소스 및 드레인을 연결하되 상기 게이트와 대향하는 면에 생체물질 특이성을 갖는 리셉터를 포함하는 나노와이어;를 포함하는 나노와이어 트랜지스터 센서
2 2
제 1항에 있어서, 상기 절연층은 실리콘 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 트랜지스터 센서
3 3
제 1항에 있어서, 상기 게이트 및 상기 절연층 사이에 형성되는 보조절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 트랜지스터 센서
4 4
게이트; 상기 게이트 상에 형성된 나노갭 높이를 갖는 스페이서; 상기 스페이서 상에 형성되되, 상기 스페이서로 인한 상기 게이트와의 나노갭사이에 생체물질 특이성을 갖는 리셉터를 포함하는 나노와이어; 및 상기 나노와이어로 서로 연결된 소스 및 드레인;을 포함하는 나노와이어 트랜지스터 센서
5 5
제 4항에 있어서, 상기 스페이서는 나노와이어로 형성되는 것을 특징으로 하는 나노와이어 트랜지스터 센서
6 6
제 4항에 있어서, 상기 게이트는 금을 포함하고, 상기 나노와이어는 실리콘 나노와이어인 것을 특징으로 하는 나노와이어 트랜지스터 센서
7 7
게이트, 상기 게이트상에 서로 이격되어 형성된 소스 및 드레인, 상기 게이트와 소스 및 드레인 각각 사이에 형성되고, 상기 소스 및 드레인이 이격된 영역에 채널영역이 형성된 절연층 및 상기 소스 및 드레인을 연결하되 상기 게이트와 대향하는 면에 생체물질 특이성을 갖는 리셉터를 포함하는 나노와이어를 포함하는 나노와이어 트랜지스터 센서; 상기 나노와이어 트랜지스터 센서에 유체를 흘릴 수 있는 유체 채널; 및 상기 나노와이어와 게이트 사이에 유전률, 게이트 누설전류 또는 커패시턴스를 측정하는 측정기;를 포함하는 나노와이어 트랜지스터 센서를 이용한 생체분자검출장치
8 8
게이트를 형성하는 단계; 상기 게이트상에 절연층을 형성하는 단계; 상기 절연층상에, 상기 게이트 및 상기 절연층의 적층방향과 수직하도록 나노와이어를 형성하는 단계; 상기 절연층 상에 서로 이격된 소스 및 드레인을 각각 형성하되, 상기 소스 및 드레인은 상기 나노와이어로 서로 연결되도록 형성하는 단계; 상기 소스 및 드레인을 연결하는 영역의 절연층을 일부 식각하여 나노갭을 형성하는 단계; 및 상기 나노와이어를 생체물질 특이성을 갖는 리셉터를 포함하도록 표면처리하는 단계;를 포함하는 나노와이어 트랜지스터 센서 제조방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 나노와이어를 형성하는 단계는, 상기 절연층상에 상기 나노와이어를 트랜스퍼-프린트 방법 또는 어셈블리방법을 수행하여 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 나노와이어 트랜지스터 센서 제조방법
10 10
제8항에 있어서, 상기 나노와이어의 표면처리하는 단계 전에, 상기 나노와이어의 하면 및 상기 게이트의 상면 사이의 공간인 나노갭부분에 절연물질을 ALD 증착하여 상기 나노갭의 두께를 조절하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 트랜지스터 센서 제조방법
11 11
게이트를 형성하는 단계; 상기 게이트 상에 보조절연층을 형성하는 단계; 상기 보조절연층 상에 주절연층을 형성하는 단계; 상기 주절연층 상에 상기 게이트, 보조절연층, 및 주절연층의 적층방향에 수직하도록 나노와이어를 형성하는 단계; 상기 주절연층 상에 서로 이격된 소스 및 드레인을 각각 형성하되, 상기 소스 및 드레인은 상기 나노와이어로 서로 연결되도록 형성하는 단계; 상기 소스 및 드레인을 연결하는 영역의 주절연층을 일부 식각하여 나노갭을 형성하는 단계; 및 상기 나노와이어를 생체물질 특이성을 갖는 리셉터를 포함하도록 표면처리하는 단계;를 포함하는 나노와이어 트랜지스터 센서 제조방법
12 12
기판 상에 절연층을 형성하는 단계; 상기 절연층 상에 게이트를 형성하는 단계; 상기 게이트 상에 나노갭높이의 스페이서를 위치시키는 단계; 상기 스페이서 상에 나노와이어를 형성하는 단계; 상기 나노와이어로 서로 연결되도록 소스 및 드레인을 형성하는 단계; 및 상기 나노와이어를 생체물질 특이성을 갖는 리셉터를 포함하도록 표면처리하는 단계;를 포함하는 나노와이어 트랜지스터 센서 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 경기도 전자부품연구원 경기도전략기술개발사업 나노기술을 이용한 고용량 질병진단 시스템 개발