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내부에 광도파로 어레이가 형성된 인쇄회로기판 및 상기 광도파로에 커플링되기 위한 광반응부를 포함하는 광소자 어레이칩으로 이루어진 광커플링 구조체에 있어서,
상기 인쇄회로기판의 상부에는 상기 광도파로 어레이와 직교하는 방향으로 관통공이 형성되어 있고,
상기 관통공의 측벽에는 상기 광소자 어레이칩의 전극 범프에 대응하여 형성된 월패드가 형성되어 있으며,
상기 광소자 어레이칩을 상기 인쇄 회로 기판 내의 관통공으로 삽입하고, 상기 광소자 어레이칩의 전극 범프와 상기 인쇄 회로 기판 내의 월패드가 결합되어, 상기 광도파로 어레이와 상기 광소자 어레이의 광커플링이 이루어지는 것을 특징으로 하는 광커플링 구조체
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제1항에 있어서,
상기 인쇄 회로 기판의 관통공 측면에 형성되는 월패드는 상기 광소자 어레이칩에 형성된 전극 범프 보다 크게 형성되는 것을 특징으로 하는 광커플링 구조체
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3
제2항에 있어서,
상기 광도파로 어레이의 배열 패턴은 상기 광소자 어레이칩에 형성된 광반응부 어레이의 배열 패턴에 대응하는 것을 특징으로 하는 광커플링 구조체
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제3항에 있어서,
상기 광소자 어레이의 광반응부는 VCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting Laser), LED(Light Emitting Diode) 및 포토 다이오드(Photo Diode) 중 하나인 것을 특징으로 하는 광커플링 구조체
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내부에 광도파로 어레이가 형성된 인쇄회로기판 및 상기 광도파로에 커플링되기 위한 광반응부를 포함하는 광소자 어레이칩, 상기 광소자 어레이를 구동하기 위한 반도체칩으로 이루어진 광전변환모듈에 있어서,
상기 인쇄회로기판의 상부에는 상기 광도파로 어레이와 직교하는 방향으로 관통공이 형성되어 있고,
상기 관통공의 측벽에는 상기 광소자 어레이칩의 전극 범프에 대응하여 형성된 월패드가 형성되어 있으며,
상기 반도체칩은 상기 인쇄회로기판의 상부에 형성되는 신호 라인을 통해 상기 인쇄회로기판에 전기적으로 결합되어 있으며,
상기 광소자 어레이칩은 상기 인쇄 회로 기판 내의 관통공으로 삽입 및 접합되어, 상기 광소자 어레이칩의 전극 범프와 상기 인쇄 회로 기판 내의 월패드가 전기적으로 결합되어, 상기 광도파로 어레이와 상기 광반응부 어레이의 광커플링이 이루어지는 것을 특징으로 하는 광전 변환 모듈
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제5항에 있어서,
상기 인쇄 회로 기판의 관통공 측면에 형성되는 월패드는 상기 광소자 어레이칩에 형성된 전극 범프 보다 크게 형성되는 것을 특징으로 하는 광전 변환 모듈
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제6항에 있어서,
상기 광도파로 어레이의 배열 패턴은 상기 광소자 어레이칩에 형성된 광소자 어레이의 배열 패턴에 대응하는 것을 특징으로 하는 광전 변환 모듈
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제7항에 있어서,
상기 광소자 어레이의 광반응부는 VCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting Laser), LED(Light Emitting Diode) 및 포토 다이오드(Photo Diode) 중 하나인 것을 특징으로 하는 광전 변환 모듈
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내부에 광도파로 어레이가 형성된 인쇄회로기판,
상기 광도파로에 커플링되기 위한 복수개의 광반응부를 포함하는 광소자 어레이칩,
상기 복수의 광소자 어레이를 각각 구동하기 위해 상기 인쇄회로기판 상부에 형성된 신호 라인을 통해 상기 인쇄회로기판에 전기적으로 결합된 복수의 반도체칩, 및
상기 복수의 반도체칩을 각각 제어하기 위한 복수의 LSI 칩을 포함하는 LSI 패키지에 있어서,
상기 인쇄회로기판의 상부에는 상기 광도파로 어레이와 직교하는 방향으로 상기 복수의 광소자 어레이칩을 수용하기 위한 관통공이 형성되어 있고,
상기 복수의 관통공의 측벽에는 상기 복수의 광소자 어레이칩의 전극 범프에 대응하여 월패드가 형성되어 있으며,
상기 반도체칩 및 상기 복수의 LSI 칩은 상기 인쇄회로기판의 상부에 형성되는 신호 라인을 통해 상기 인쇄회로기판에 전기적으로 결합되어 있고,
상기 복수의 광소자 어레이칩은 상기 인쇄 회로 기판 내의 관통공으로 삽입 및 접합되어, 상기 복수의 광소자 어레이칩의 전극 범프와 상기 인쇄 회로 기판 내의 월패드가 전기적으로 결합되어, 상기 광도파로 어레이와 상기 광반응부 어레이의 광커플링이 이루어지는 것을 특징으로 하는 LSI 패키지
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제9항에 있어서,
상기 인쇄 회로 기판의 복수의 관통공 측면에 형성되는 월패드는 광소자 어레이칩에 형성된 전극 범프 보다 크게 형성되는 것을 특징으로 하는 LSI 패키지
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제10항에 있어서,
상기 광도파로 어레이의 배열 패턴은 상기 광소자 어레이칩에 형성된 광반응부 어레이의 배열 패턴에 대응하는 것을 특징으로 하는 LSI 패키지
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12
제11항에 있어서,
상기 광소자 어레이의 광반응부는 VCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting Laser), LED(Light Emitting Diode) 및 포토 다이오드(Photo Diode) 중 하나인 것을 특징으로 하는 LSI 패키지
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