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전면과 후면을 갖는 기판과;
상기 기판의 전면에 형성된 다층의 질화물층과;
상기 다층의 질화물층 위에 형성되는 소스 전극, 게이트 전극 및 드레인 전극과;
상기 기판의 후면에 상기 소스 전극, 게이트 전극 및 드레인 전극이 형성된 영역을 포함하도록 안쪽으로 방열홈이 형성되고, 상기 방열홈을 포함하여 상기 기판의 후면을 덮도록 형성된 방열층을 갖는 방열 구조;을 포함하며
상기 다층의 질화물층은,
상기 기판의 전면에 형성된 천이층과;
상기 천이층 위에 형성된 버퍼층과;
상기 버퍼층 위에 형성된 GaN층과;
상기 GaN층 위에 형성되어 접합면에 2차원 전자가스층을 형성하는 AlXGa1-XN층;을 포함하며,
상기 버퍼층 위의 상기 GaN층과 AlXGa1-XN층을 식각하여 활성 영역을 메사(mesa) 형태로 형성하고, 상기 활성 영역의 AlXGa1-XN층 위에 상기 소스 전극, 게이트 전극 및 드레인 전극이 형성되고,
상기 방열홈은 상기 활성 영역 아래에 상기 활성 영역을 포함하는 크기로 형성되며, 상기 방열홈의 바닥면은 상기 버퍼층의 후면 안쪽에 형성되는 것을 특징으로 하는 방열 구조를 갖는 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 방열층은,
상기 방열홈에 충전된 것을 특징으로 하는 방열 구조를 갖는 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 방열홈의 바닥면은,
상기 버퍼층의 후면에 가깝게 형성된 것을 특징으로 하는 방열 구조를 갖는 트랜지스터
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8
제1항에 있어서, 상기 방열층은,
Ti, Ni, Au, Pt, Cu 또는 Al 중에 적어도 하나의 금속을 증착하여 형성하는 것을 특징으로 하는 방열 구조를 갖는 트랜지스터
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9
제1항에 있어서,
상기 버퍼층 중간에 형성된 식각 방지층;을 더 포함하며,
상기 식각 방지층의 후면이 노출되게 상기 방열홈을 형성하는 것을 특징으로 하는 방열 구조를 갖는 트랜지스터
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10
제9항에 있어서, 상기 식각 방지층은,
AlXGa1-XN, InXGa1-XN, AlN 또는 InN 중에 하나인 것을 특징으로 하는 방열 구조를 갖는 트랜지스터
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기판의 전면에 다층의 질화물층을 형성하는 질화물층 형성 단계와;
상기 다층의 질화물층 위에 소스 전극, 게이트 전극 및 드레인 전극을 형성하는 전극 형성 단계와;
상기 기판의 후면에 상기 소스 전극, 게이트 전극 및 드레인 전극이 형성된 영역을 포함하도록 안쪽으로 방열홈을 형성하고, 상기 방열홈을 포함하여 상기 기판의 후면을 덮도록 방열층을 형성하는 방열 구조 형성 단계;를 포함하고,
상기 질화물층 형성 단계에서,
상기 기판의 전면에 순차적으로 천이층, 버퍼층, GaN층 및 AlXGa1-XN층을 형성하며, 상기 GaN층과 AlXGa1-XN층의 접합면에 2차원 전자가스층이 형성되고,
상기 전극 형성 단계는,
상기 버퍼층 위의 상기 GaN층과 AlXGa1-XN층을 식각하여 메사(mesa) 형태의 활성 영역으로 형성하는 단계와;
상기 활성 영역의 AlXGa1-XN층 위에 상기 소스 전극, 게이트 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,
상기 방열 구조 형성 단계에서,
상기 방열홈은 상기 활성 영역 아래에 상기 활성 영역을 포함하는 크기로 형성되며, 상기 방열홈의 바닥면이 상기 버퍼층의 후면 안쪽에 형성되는 것을 특징으로 하는 방열 구조를 갖는 트랜지스터의 제조 방법
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기판의 전면에 다층의 질화물층을 형성하는 질화물층 형성 단계와;
상기 기판의 후면에서 안쪽으로 소스 전극, 게이트 전극 및 드레인 전극이 형성될 영역을 포함하도록 방열홈을 형성하고, 상기 방열홈을 포함하여 상기 기판의 후면을 덮도록 방열층을 형성하는 방열 구조를 형성하는 방열 구조 형성 단계와;
상기 다층의 질화물층 위에 형성하되, 상기 방열홈이 형성된 영역의 상부에 소스 전극, 게이트 전극 및 드레인 전극을 형성하는 전극 형성 단계;를 포함하며,
상기 질화물층 형성 단계에서,
상기 기판의 전면에 순차적으로 천이층, 버퍼층, GaN층 및 AlXGa1-XN층을 형성하며, 상기 GaN층과 AlXGa1-XN층의 접합면에 2차원 전자가스층이 형성되고,
상기 전극 형성 단계는,
상기 버퍼층 위의 상기 GaN층과 AlXGa1-XN층을 식각하여 메사(mesa) 형태의 활성 영역으로 형성하는 단계와;
상기 활성 영역의 AlXGa1-XN층 위에 상기 소스 전극, 게이트 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,
상기 방열 구조 형성 단계에서,
상기 방열홈은 상기 활성 영역 아래에 상기 활성 영역을 포함하는 크기로 형성되며, 상기 방열홈의 바닥면이 상기 버퍼층의 후면 안쪽에 형성되는 것을 특징으로 하는 방열 구조를 갖는 트랜지스터의 제조 방법
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제11항 또는 제12항에 있어서, 상기 방열 구조 형성 단계에서,
상기 버퍼층의 후면에 가깝게 형성하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터의 제조 방법
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제15항에 있어서, 상기 질화물층 형성 단계는,
상기 버퍼층 중간에 식각 방지층을 형성하는 단계;를 더 포함하며,
상기 방열 구조 형성 단계에서 상기 식각 방지층의 후면이 노출되게 상기 방열홈을 형성하는 것을 특징으로 하는 방열 구조를 갖는 트랜지스터의 제조 방법
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