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가시광선에 감응하는 광촉매 이산화티타늄 박막 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014028579
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 가시광선에 감응하는 광촉매 이산화티타늄 박막 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 이산화티타늄 박막에 질소이온을 가속 및 주입하는 단계; 및 상기 질소이온이 주입된 이산화티타늄 박막을 열처리하는 단계를 포함하여 제조되는 질소를 도핑 성분으로 함유하는 광촉매 이산화티타늄 박막 및 그 제조 방법에 대한 것으로서, 본 발명에 따라 제조되는 밴드 갭이 조절된 이산화티타늄 박막은 자외선 뿐만 아니라 가시광선 영역에서도 광촉매 기능을 원활히 수행할 수 있는 유용한 효과를 제공한다.이산화티타늄, 광촉매, 이온주입법, 가시광선, 자외선
Int. CL B01J 35/02 (2006.01) B01J 37/02 (2006.01) B01J 21/06 (2006.01)
CPC B01J 35/004(2013.01) B01J 35/004(2013.01) B01J 35/004(2013.01) B01J 35/004(2013.01)
출원번호/일자 1020050053441 (2005.06.21)
출원인 한국원자력연구원
등록번호/일자 10-0726336-0000 (2007.06.01)
공개번호/일자 10-2006-0133681 (2006.12.27) 문서열기
공고번호/일자 (20070611) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.06.21)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박재원 대한민국 대전 유성구
2 손창원 대한민국 대구 수성구
3 강훈철 대한민국 제주 남제주군
4 조준형 대한민국 서울 종로구
5 이규철 대한민국 경북 포항시 남구
6 김준연 대한민국 대전 유성구
7 최병호 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.06.21 수리 (Accepted) 1-1-2005-0328321-19
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2006.06.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2006.07.11 수리 (Accepted) 9-1-2006-0042468-80
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.09.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0525604-37
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2006.11.07 수리 (Accepted) 1-1-2006-0814575-55
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2006.12.05 수리 (Accepted) 1-1-2006-0900287-51
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2007.01.05 수리 (Accepted) 1-1-2007-0011271-58
8 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2007.02.05 수리 (Accepted) 1-1-2007-0105569-85
9 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2007.03.05 수리 (Accepted) 1-1-2007-0180269-85
10 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2007.04.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0272242-33
11 의견서
Written Opinion
2007.04.09 수리 (Accepted) 1-1-2007-0272244-24
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2007-5073714-01
13 등록결정서
Decision to grant
2007.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0306157-38
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.06.01 수리 (Accepted) 4-1-2007-5085193-38
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.07.26 수리 (Accepted) 4-1-2007-5117973-29
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.07.26 수리 (Accepted) 4-1-2007-5117707-02
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.22 수리 (Accepted) 4-1-2012-5134067-95
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.16 수리 (Accepted) 4-1-2014-5109542-64
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번호 청구항
1 1
질소가 박막 내 1
2 2
제 1항에 있어서, 상기 질소가 박막 내 2
3 3
삭제
4 4
i) 이산화티타늄 박막을 기판 위에 등축 성장시키는 단계; ii) 이산화티타늄 박막 표면에 질소 이온을 주입에너지 30~100 keV 및 주입이온량 1×1016 ~ 2×1017 이온수/cm2으로 주입하여 이산화티타늄의 밴드 갭을 조절하는 단계; 및 iii) 상기 질소 이온이 주입된 이산화티타늄 박막을 열처리하는 단계를 포함하는 제1항의 광촉매 이산화티타늄 박막의 제조 방법
5 5
삭제
6 6
제 4항에 있어서, 상기 이산화티타늄 박막은 산소 분위기에서 등축성장된 것임을 특징으로 하는 광촉매 이산화티타늄 박막의 제조 방법
7 7
제 4항 또는 제 6항에 있어서, 상기 기판은 사파이어 기판임을 특징으로 하는 광촉매 이산화티타늄 박막의 제조 방법
8 8
제 4항에 있어서, 상기 성장은 유기금속화학기상증착법(MOCVD), 펄스레이저증착법(PLD), 분자선등축성장법(MBE), 액상등축성장법(LPE), 혼합기상등축성장법(HVPE), 승화법, 및 플라즈마 화학기상증착법(PECVD)을 포함한 군으로부터 선택된 방법에 의해 수행됨을 특징으로 하는 광촉매 이산화티타늄 박막의 제조 방법
9 9
제 4항에 있어서, 상기 등축성장 조건은 400~900℃의 성장온도, 산소 분압 1×10-3 ~ 5 토르의 진공 분위기 및 분당 30,000~40,000 μmol의 산소 흐름을 포함함을 특징으로 하는 광촉매 이산화티타늄 박막의 제조 방법
10 10
제 4항에 있어서, 상기 등축성장 이산화티타늄 박막은 400~700 nm의 두께로 형성됨을 특징으로 하는 광촉매 이산화티타늄 박막의 제조 방법
11 11
삭제
12 12
제 4항에 있어서, 상기 열처리 조건은 500~900℃의 열처리 온도 및 대기압을 포함함을 특징으로 하는 광촉매 이산화티타늄 박막의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.