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나노와이어를 이용하는 압저항 방식의 마이크로폰 및 그 제조방법
- 기술번호 : KST2014028608
- 담당센터 : 경기기술혁신센터
- 전화번호 : 031-8006-1570
| 요약 | 본 발명은 나노와이어를 이용하는 압저항 방식의 마이크로폰 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 센싱부인 실리콘 나노와이어가 중앙부에 형성되어 있고, 상기 나노와이어 하부 실리콘 몸체는 식각되어 있는 제 1 기판; 상기 센싱부를 기준으로 양분된 제 1 기판 상에 형성된 전극층; 상기 제 1 기판 상에 형성되고, 상기 전극층을 노출시키는 구조로 코팅되어 있는 멤브레인 막; 상기 센싱부를 기준으로 양분된 기판 상의 멤브레인 막에 형성되는 접착층; 상기 접착층 상에 부착되며, 상기 전극 및 중앙 센싱부가 외부로 노출되도록 식각된 제 2 기판을 포함하는 나노와이어를 이용한 압저항 방식의 마이크로폰에 관한 것이다. 나노와이어, 마이크로폰 |
|---|---|
| Int. CL | H04R 17/00 (2006.01) |
| CPC | |
| 출원번호/일자 | 1020090129480 (2009.12.23) |
| 출원인 | 전자부품연구원 |
| 등록번호/일자 | 10-1040090-0000 (2011.06.02) |
| 공개번호/일자 | |
| 공고번호/일자 | (20110609) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2009.12.23) |
| 심사청구항수 | 25 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국전자기술연구원 | 대한민국 | 경기도 성남시 분당구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 정석원 | 대한민국 | 경기도 오산시 |
| 2 | 이민호 | 대한민국 | 서울시 영등포구 |
| 3 | 이국녕 | 대한민국 | 서울 성북구 |
| 4 | 성우경 | 대한민국 | 경기도 성남시 분당구 |
| 5 | 이경일 | 대한민국 | 경기도 과천시 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 남충우 | 대한민국 | 서울 강남구 언주로 ***, *층(역삼동, 광진빌딩)(알렉스국제특허법률사무소) |
| 2 | 노철호 | 대한민국 | 경기도 성남시 분당구 판교역로 ***, 에스동 ***호(삼평동,에이치스퀘어)(특허법인도담) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국전자기술연구원 | 대한민국 | 경기도 성남시 분당구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2009.12.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0795850-29 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2010.11.16 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2010.12.16 | 수리 (Accepted) | 9-1-2010-0078452-65 |
| 4 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2011.01.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0000077-77 |
| 5 | 등록결정서 Decision to grant |
2011.05.12 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0255614-45 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.04.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-0013766-37 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.08.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5189497-57 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 센싱부인 실리콘 나노와이어가 중앙부에 형성되어 있고, 상기 나노와이어 하부의 실리콘 몸체는 식각된 제 1 기판; 상기 센싱부를 기준으로 양분된 제 1 기판 상에 형성된 전극층; 상기 제 1 기판 상에 형성되고, 상기 전극층을 노출시키는 구조로 코팅되어 있는 멤브레인 막; 상기 센싱부를 기준으로 양분된 기판 상의 멤브레인 막에 형성되는 접착층; 및 상기 접착층 상에 부착되며, 상기 전극 및 중앙 센싱부가 외부로 노출되도록 식각된 제 2 기판을 포함하는 나노와이어를 이용한 압저항 방식의 마이크로폰 |
| 2 |
2 청구항 1에 있어서, 상기 센싱부인 실리콘 나노와이어는 브릿지 형태의 구조물로 제 1 기판의 중앙부에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 나노와이어를 이용한 압저항 방식의 마이크로폰 |
| 3 |
3 청구항 1에 있어서, 상기 멤브레인 막은 폴리머 또는 실리콘 질화막으로 코팅시켜 형성시킨 것을 특징으로 하는 나노와이어를 이용한 압저항 방식의 마이크로폰 |
| 4 |
4 청구항 1에 있어서, 상기 멤브레인 막의 두께를 조절하여 사용 압력 범위을 선택할 수 있는 것을 특징으로 하는 나노와이어를 이용한 압저항 방식의 마이크로폰 |
| 5 |
5 청구항 1에 있어서, 상기 접착층을 형성하는 물질은 사진식각 공정 등으로 패터닝이 가능한 접착물질을 사용하는 것을 특징으로 하는 나노와이어를 이용한 압저항 방식의 마이크로폰 |
| 6 |
6 청구항 5에 있어서, 상기 사진식각 공정등으로 패터닝이 가능한 접착물질로 벤조시클로부텐(BCB)를 사용하는 것을 특징으로 하는 나노와이어를 이용한 압저항 방식의 마이크로폰 |
| 7 |
7 청구항 1에 있어서, 상기 제 2 기판은 습식식각 또는 DIRE(deep reactive ion etching) 공정을 통하여 상기 전극 및 상기 중앙 센싱부가 외부로 노출되도록 하는 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 나노와이어를 이용한 압저항 방식의 마이크로폰 |
| 8 |
8 청구항 1에 있어서, 상기 제 2 기판은 샌드 브라스트(sand blast)공법에 의해 가공된 글라스 기판인 것을 특징으로 하는 나노와이어를 이용한 압저항 방식의 마이크로폰 |
| 9 |
9 청구항 1에 있어서, 상기 센싱부인 나노와이어와 상기 멤브레인 막 사이에는 유전체가 매립되어 있는 것을 특징으로 하는 나노와이어를 이용한 압저항 방식의 마이크로폰 |
| 10 |
10 청구항 1에 있어서, 상기 센싱부인 나노와이어는 실리콘 기판에 제 1 열산화막을 형성하는 제 1 단계; 상기 실리콘 기판에 칼럼구조를 형성하는 제 2 단계; 칼럼구조가 형성된 상기 실리콘 기판에 지지기둥 구조물 및 나노와이어 형성을 위한 역삼각형의 실리콘 구조물을 형성하는 제 3 단계; 상기 제 1 열산화막을 제거하는 제 4 단계; 상기 실리콘 기판에 제 2 열산화막을 형성하는 제 5 단계; 및 상기 제 2 열산화막을 제거하는 제 6 단계를 포함하는 단계로 제조되는 것을 특징으로 하는 나노와이어를 이용한 압저항 방식의 마이크로폰 |
| 11 |
11 청구항 10에 있어서, 상기 제 6 단계는 BOE(buffered oxide etchant)에 의한 습식식각 또는 HF 증기(vapor)를 이용한 건식식각을 통해 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노와이어를 이용한 압저항 방식의 마이크로폰 |
| 12 |
12 청구항 10에 있어서, 상기 나노와이어의 단면 크기 조절은 상기 제 2 열산화막 형성 두께를 조절함으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노와이어를 이용한 압저항 방식의 마이크로폰 |
| 13 |
13 청구항 10에 있어서, 상기 지지기둥 구조물은 상기 나노와이어의 양쪽끝이 연결된 구조인 것을 특징으로 하는 나노와이어를 이용한 압저항 방식의 마이크로폰 |
| 14 |
14 청구항 13에 있어서, 상기 지지기둥 구조물과 나노와이어 연결부분은 제 2 열산화막 제거후 스트레스가 집중되어 가해지는 것을 특징으로 하는 나노와이어를 이용한 압저항 방식의 마이크로폰 |
| 15 |
15 청구항 10에 있어서, 상기 제 2 단계는 건식식각으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노와이어를 이용한 압저항 방식의 마이크로폰 |
| 16 |
16 청구항 10에 있어서, 상기 제 3 단계는 이방성 식각 용액을 사용하여 습식식각하는 것을 특징으로 하는 나노와이어를 이용한 압저항 방식의 마이크로폰 |
| 17 |
17 청구항 10에 있어서, 상기 나노와이어의 단면은 역삼각형 구조인 것을 특징으로 하는 나노와이어를 이용한 압저항 방식의 마이크로폰 |
| 18 |
18 청구항 10에 있어서, 상기 나노와이어의 길이는 수 ㎛ 내지 수백 ㎛로 형성시킨 것을 특징으로 하는 나노와이어를 이용한 압저항 방식의 마이크로폰 |
| 19 |
19 제 1 기판에 센싱부인 나노와이어 구조물을 형성시키는 제 1 단계; 상기 센싱부를 기준으로 양분된 상기 제 1 기판 상에 전극층을 형성시키는 제 2 단계; 상기 제 1 기판 상에 상기 전극층을 노출시키는 구조로 멤브레인 막을 형성시키는 제 3 단계; 상기 센싱부를 기준으로 양분된 상기 제 1 기판 상의 멤브레인 막 상부에 접착층을 형성시키는 제 4 단계; 상기 전극층 및 중앙 센싱부가 외부로 노출되도록 식각된 제 2 기판을 상기 접착층 상에 부착시키는 제 5 단계; 및 상기 제 1 기판에서 상기 나노와이어 하부의 실리콘 몸체를 식각하는 단계를 포함하는 나노와이어를 이용한 압저항 방식의 마이크로폰 제조방법 |
| 20 |
20 청구항 19에 있어서, 상기 제 1 단계의 센싱부인 나노와이어는 브리지 형태의 구조물로 형성시키는 것을 특징으로 하는 나노와이어를 이용한 압저항 방식의 마이크로폰 제조방법 |
| 21 |
21 청구항 19에 있어서, 상기 제 3 단계의 멤브레인 막은 폴리머 또는 실리콘 질화막으로 코팅시켜 형성시키는 것을 특징으로 하는 나노와이어를 이용한 압저항 방식의 마이크로폰 제조방법 |
| 22 |
22 청구항 19에 있어서, 상기 제 3 단계의 멤브레인 막은 사용 압력 범위에 따라 막의 두께를 조절하여 형성시키는 것을 특징으로 하는 나노와이어를 이용한 압저항 방식의 마이크로폰 제조방법 |
| 23 |
23 청구항 19에 있어서, 상기 제 4 단계의 접착층은 사진식각 공정 등으로 패터닝이 가능한 접착물질로 형성시키는 것을 특징으로 하는 나노와이어를 이용한 압저항 방식의 마이크로폰 제조방법 |
| 24 |
24 청구항 23에 있어서, 상기 사진식각 공정등으로 패터닝이 가능한 접착물질로 벤조시클로부텐(BCB)를 사용하여 접착층을 형성시키는 것을 특징으로 하는 나노와이어를 이용한 압저항 방식의 마이크로폰 제조방법 |
| 25 |
25 청구항 19에 있어서, 상기 제 2 기판은 습식식각 또는 실리콘 DRIE 공정을 통하여 상기 전극 및 상기 중앙 센싱부가 외부로 노출되도록 형성시키는 것을 특징으로 하는 나노와이어를 이용한 압저항 방식의 마이크로폰 제조방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | WO2011078594 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
| 2 | WO2011078594 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | WO2011078594 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
| 2 | WO2011078594 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 지식경제부 | 전자부품연구원 | 차세대 지능형 정보전자핵심기술개발 사업 | i-Real Sound Platform 기술 개발 |
| 공개전문 정보가 없습니다 |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1040090-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20091223 출원 번호 : 1020090129480 공고 연월일 : 20110609 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20110512 청구범위의 항수 : 25 유별 : H04R 17/00 발명의 명칭 : 나노와이어를 이용하는 압저항 방식의 마이크로폰 및 그 제조방법 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한국전자기술연구원 경기도 성남시 분당구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 510,000 원 | 2011년 06월 03일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 590,000 원 | 2013년 12월 31일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 413,000 원 | 2015년 01월 09일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 413,000 원 | 2015년 12월 24일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 735,000 원 | 2017년 05월 12일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 525,000 원 | 2018년 04월 06일 | 납입 |
| 제 9 년분 | 금 액 | 525,000 원 | 2019년 03월 13일 | 납입 |
| 제 10 년분 | 금 액 | 807,500 원 | 2020년 05월 04일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2009.12.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0795850-29 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 | 2010.11.16 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 | 2010.12.16 | 수리 (Accepted) | 9-1-2010-0078452-65 |
| 4 | [출원서등 보정]보정서 | 2011.01.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0000077-77 |
| 5 | 등록결정서 | 2011.05.12 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0255614-45 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.04.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-0013766-37 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.08.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5189497-57 |
| 기술번호 | KST2014028608 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | 한국전자기술연구원 |
| 기술명 | 나노와이어를 이용하는 압저항 방식의 마이크로폰 및 그 제조방법 |
| 기술개요 |
본 발명은 나노와이어를 이용하는 압저항 방식의 마이크로폰 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 센싱부인 실리콘 나노와이어가 중앙부에 형성되어 있고, 상기 나노와이어 하부 실리콘 몸체는 식각되어 있는 제 1 기판; 상기 센싱부를 기준으로 양분된 제 1 기판 상에 형성된 전극층; 상기 제 1 기판 상에 형성되고, 상기 전극층을 노출시키는 구조로 코팅되어 있는 멤브레인 막; 상기 센싱부를 기준으로 양분된 기판 상의 멤브레인 막에 형성되는 접착층; 상기 접착층 상에 부착되며, 상기 전극 및 중앙 센싱부가 외부로 노출되도록 식각된 제 2 기판을 포함하는 나노와이어를 이용한 압저항 방식의 마이크로폰에 관한 것이다. 나노와이어, 마이크로폰 |
| 개발상태 | 기술개발완료 |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | 마이크로폰 |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | 기술매매,라이센스, |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제고유번호 | 1415115531 |
|---|---|
| 세부과제번호 | K0003673 |
| 연구과제명 | iReal Sound Platform 기술개발 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
| 연구주관기관명 | 전자부품연구원 |
| 성과제출연도 | 2011 |
| 연구기간 | 200706~201205 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 개발연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
| 과제고유번호 | 1415100555 |
|---|---|
| 세부과제번호 | K0003673 |
| 연구과제명 | iRealSoundPlatform기술개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
| 연구주관기관명 | 전자부품연구원 |
| 성과제출연도 | 2009 |
| 연구기간 | 200706~201205 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 개발연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
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