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기판 상의 금속 전극층;상기 금속 전극층 상의 광흡수층;상기 광흡수층 상의, 인듐 갈륨 질화막(InXGa1-XN, 0＜X＜1)을 포함하는 버퍼층; 및상기 버퍼층 상의 투명 전극층을 포함하되,상기 인듐 갈륨 질화막(InXGa1-XN)에서 X는 상기 광흡수층으로부터 멀어질수록 작아지는 태양전지
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청구항 1에 있어서,상기 인듐 갈륨 질화막의 에너지 밴드 갭은 상기 광흡수층의 에너지 밴드 갭과 상기 투명 전극층의 에너지 밴드 갭의 사이값을 가지되,상기 인듐 갈륨 질화막의 에너지 밴드 갭은 상기 광흡수층으로부터 멀어질수록 커지는 태양전지
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청구항 1에 있어서,상기 버퍼층과 상기 광흡수층 사이에 배치되는 시드층을 더 포함하는 태양전지
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청구항 4에 있어서,상기 시드층은 인듐 질화막(InN)으로 구성되는 태양전지
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청구항 1에 있어서,상기 광흡수층은 CuInSe, CuInSe2, CuInGaSe, CuInGaSe2으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나의 캘코파이라이트(chalcopyrite)계 화합물 반도체를 포함하는 태양전지
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기판 상에 금속 전극층을 형성하는 것;상기 금속 전극층 상에 광흡수층을 형성하는 것;상기 광흡수층 상에, 인듐 갈륨 질화막(InXGa1-XN, 0＜X＜1)을 포함하는 버퍼층을 형성하는 것; 그리고상기 버퍼층 상에 투명 전극층을 형성하는 것을 포함하되,상기 인듐 갈륨 질화막(InXGa1-XN)은 상기 광흡수층으로부터 멀어질수록 X가 작아지도록 조성비를 조절하여 형성되는 태양전지의 제조방법
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청구항 7에 있어서,상기 광흡수층은 동시 증발법(co-evaporation)으로 형성되는 태양전지의 제조방법
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청구항 7에 있어서,상기 버퍼층은 동시 증발법(co-evaporation)으로 형성되는 태양전지의 제조방법
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청구항 9에 있어서,상기 광흡수층은 인듐(In), 구리(Cu), 셀레늄(Se), 갈륨(Ga) 및 질소(N)을 동시에 증발시켜 형성하고, 상기 버퍼층은 인듐, 갈륨 및 질소를 동시에 증발시켜 형성되는 태양전지의 제조방법
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청구항 7에 있어서,상기 인듐 갈륨 질화막(InXGa1-XN)은 상기 광흡수층으로부터 멀어질수록 에너지 밴드 갭이 증가하도록 형성되는 태양전지의 제조방법
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청구항 7에 있어서,상기 인듐 갈륨 질화막(InXGa1-XN)과 상기 광흡수층 사이에 시드층을 형성하는 것을 더 포함하되,상기 시드층을 형성하는 것은 셀레늄과 질소를 교대로 증발시켜 상기 광흡수층의 표면을 질소처리하고, 상기 광흡수층 표면의 인듐과 질소를 반응시켜 인듐 질화막(InN)을 형성하는 것을 포함하는 태양전지의 제조방법
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청구항 7에 있어서,상기 버퍼층과 상기 투명 전극층은 동일한 결정구조로 형성되는 태양전지의 제조방법
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청구항 7에 있어서,상기 기판은 스퍼터링 챔버와 동시증발 챔버를 구비하는 클러스터 장비에 로딩되며,상기 금속 전극층 및 투명 전극층은 스퍼터링 챔버에서 형성되며, 상기 광흡수층과 상기 버퍼층은 동시증발 챔버에서 형성되는 태양전지의 제조방법
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