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버퍼층, 2DEG층 및 장벽층이 형성된 기판;
상기 기판의 활성 영역에 형성되는 소스, 드레인, 게이트 전극; 및
상기 활성 영역 주변으로 상기 버퍼층에 접촉되도록 형성되는 바디 전극을 포함하며,
상기 바디 전극은 상기 활성영역을 감싸는 형태로 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
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제1항에 있어서
상기 활성 영역은 상기 2DEG층이 존재하는 기판영역을 의미하며,
상기 활성영역 안에는 적어도 하나 이상의 상기 소스, 드레인, 게이트 전극을 구비하며, 상기 바디 전극은 상기 활성 영역 밖에 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
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제1항에 있어서,
상기 버퍼층은, GaN 및 AlGaN과 GaN의 적층 구조 중 선택된 어느 하나로 형성함을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
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삭제
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제1항에 있어서,
상기 소스, 드레인 및 바디 전극은 오믹 접합(ohmic contact)을 갖도록 열처리됨을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
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6
제1항에 있어서,
상기 게이트 전극은 쇼트키 접합(schottky contact)을 갖도록 형성함을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
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기판 상에 버퍼층, 2DEG층 및 장벽층이 적층된 구조를 형성하는 과정과,
상기 기판의 활성 영역에 소스, 드레인, 게이트 전극을 형성하고, 상기 활성 영역 주변으로 상기 버퍼층에 접촉되도록 바디 전극을 형성하는 과정을 포함하는 질화물 반도체 소자 형성 방법에 있어서,
상기 바디 전극을 형성하는 과정에서,
상기 바디 전극은 상기 활성영역을 감싸는 형태로 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 형성 방법
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기판 상에 버퍼층, 2DEG층 및 장벽층이 적층된 구조를 형성하는 과정과,
상기 기판의 활성 영역에 소스, 드레인, 게이트 전극을 형성하고, 상기 활성 영역 주변으로 상기 버퍼층에 접촉되도록 바디 전극을 형성하는 과정을 포함하는 질화물 반도체 소자 형성 방법에 있어서,
상기 전극들을 덮도록 보호층을 형성하는 과정과,
상기 전극들의 상면 일부가 노출되도록 상기 보호층을 제거하는 과정과,
상기 노출된 전극들의 상면에 접촉되는 금속 콘택을 형성하되,
상기 금속 콘택 중 일부는 상기 소스 전극 및 상기 바디 전극은 금속 콘택을 이용하여 전기적으로 연결하는 과정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 형성 방법
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9
제7항에 있어서,
상기 버퍼층은, GaN 및 AlGaN과 GaN의 적층 구조 중 선택된 어느 하나로 형성함을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 형성 방법
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10
제7항에 있어서
상기 활성 영역은 상기 2DEG층이 존재하는 기판영역을 의미하며,
상기 활성영역 안에는 적어도 하나 이상의 상기 소스, 드레인, 게이트 전극을 구비하며, 상기 바디 전극은 상기 활성 영역 밖에 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 형성 방법
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삭제
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제7항에 있어서,
상기 소스, 드레인 및 바디 전극은 오믹 접합(ohmic contact)을 갖도록 열처리됨을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 형성 방법
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제7항에 있어서,
상기 게이트 전극은 쇼트키 접합(schottky contact)을 갖도록 형성함을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 형성 방법
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