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질화물 금속 구조에 있어서,
기판 상에 성장된 에피층;
상기 에피층 상에 제1 금속막, 제2 금속막, 및 산화방지막 순차로 적층되어 열처리된 마스크 정렬 키 전극; 및
상기 에피층 상에 상기 오믹 전극이 형성된 영역과 다른 영역에 제1 금속막, 제2 금속막, 산화방지막 및 저저항막이 순차로 적층되어 열처리된 오믹 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 금속 구조
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제1항에 있어서,
상기 산화방지막은, Ni, Ti, Pt, Pd, Cr, Mo, 및 Ta 중 선택한 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물 금속 구조
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제1항에 있어서,
상기 저저항막은 Au를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 금속 구조
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제1항에 있어서,
상기 제1 금속막은 Ti로 형성하며, 상기 제2 금속막은 Al로 형성함을 특징으로 하는 질화물 금속 구조
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제1항에 있어서,
상기 제1 금속막 및 상기 제2 금속막의 두께 비율은 1 : 4 이하임을 특징으로 하는 질화물 금속 구조
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6
제1항에 있어서,
상기 에피층은 GaN 및 AlGaN와 GaN의 적층 구조 중 어느 하나로 성장함을 특징으로 하는 질화물 금속 구조
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7
제1항에 있어서,
상기 열처리는 500 내지 1100 ℃에서 수행함을 특징으로 하는 질화물 금속 구조
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8
기판 상면에 에피층을 성장하는 과정과,
상기 에피층 상에 마스크 정렬 키(Mask Alignment Key) 전극을 형성하는 마스크 정렬 키 부분과 오믹 저항이 낮게 형성하기 위한 오믹 전극을 형성하는 부분인 오믹 형성 부분을 각각 노출하도록 감광막을 이용하여 패터닝을 수행하는 과정과,
상기 패터닝된 감광막이 형성된 에피층 상에 제1, 제2 금속막, 및 산화방지막을 순차로 적층하는 과정과,
제1, 제2 금속막, 및 산화방지막을 순차로 적층한 결과물 상에 상기 마스크 정렬 키 형성 부분을 가리도록 증착 차단막을 위치시키는 과정과,
증착 차단막을 위치한 영역을 포함하는 전체 영역에 저저항막을 증착하는 과정과,
상기 증착 차단막 및 감광막을 제거하여, 상기 에피층 상 마스크 정렬 키 부분에 제1, 제2 금속막, 및 산화방지막이 순차로 적층된 전극을 형성하고, 상기 에피층 상 오믹 형성 부분에 제1, 제2 금속막, 및 산화방지막 및 저저항막이 순차로 적층된 전극을 형성하는 과정과,
상기 형성한 전극에 열처리를 수행하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 금속 구조 제조 방법
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제8항에 있어서,
상기 산화방지막은, Ni, Ti, Pt, Pd, Cr, Mo, 및 Ta 중 선택한 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물 금속 구조 제조 방법
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10
제8항에 있어서,
상기 저저항막은 Au를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 금속 구조
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11
제8항에 있어서,
상기 제1 금속막은 Ti로 형성하며, 상기 제2 금속막은 Al로 형성함을 특징으로 하는 질화물 금속 구조 제조 방법
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제8항에 있어서,
상기 제1 금속막 및 상기 제2 금속막의 두께 비율은 1 : 3임을 특징으로 하는 질화물 금속 구조 제조 방법
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제8항에 있어서,
상기 증착 차단막은 감광막과 분리가 용이한 테이프, 금속 류 및 세라믹 류 중에 선택된 어느 하나를 이용함을 특징으로 하는 질화물 금속 구조 제조 방법
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제8항에 있어서,
상기 에피층은 GaN 및 AlGaN와 GaN의 적층 구조 중 어느 하나로 성장함을 특징으로 하는 질화물 금속 구조 제조 방법
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제8항에 있어서,
상기 열처리는 500 내지 1100 ℃에서 수행함을 특징으로 하는 질화물 금속 구조 제조 방법
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