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비등방성 입자배열체 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014028641
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 미세피치를 갖는 두 전극을 반복압착하여 연결할 수 있는 경박단소화된 다목적 비등방성 입자배열체 및 그 제조방법이 제안된다. 제안된 비등방성 입자배열체는 탄성 고분자층 및 탄성 고분자층내에 상부 및 하부가 노출되도록 위치하는 탄성 도전체 또는 탄성 열전도체를 포함한다. 비등방성, 열전도, 전기전도, 커넥터
Int. CL H01R 4/58 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020090070326 (2009.07.31)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-1043956-0000 (2011.06.17)
공개번호/일자 10-2011-0012560 (2011.02.09) 문서열기
공고번호/일자 (20110624) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.07.31)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한철종 대한민국 서울특별시 강남구
2 김영훈 대한민국 경기도 성남시 분당구
3 오민석 대한민국 서울특별시 중구
4 권순형 대한민국 서울특별시 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남충우 대한민국 서울 강남구 언주로 ***, *층(역삼동, 광진빌딩)(알렉스국제특허법률사무소)
2 노철호 대한민국 경기도 성남시 분당구 판교역로 ***, 에스동 ***호(삼평동,에이치스퀘어)(특허법인도담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.07.31 수리 (Accepted) 1-1-2009-0470147-62
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2010.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2010-0490273-99
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.11.30 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.12.16 수리 (Accepted) 9-1-2010-0077977-44
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.02.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0084451-33
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.04.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0273010-54
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.04.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0273015-82
8 등록결정서
Decision to grant
2011.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0287559-15
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
점착력이 0
2 2
점착성이 없는 탄성 고분자로 형성된 탄성 고분자층; 및 상기 탄성 고분자층내에 상부 및 하부가 노출되도록 위치하는 탄성 도전체 또는 탄성 열전도체;를 포함하는 비등방성 입자배열체
3 3
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 탄성 도전체 또는 탄성 열전도체의 입자형상은 구형인 것을 특징으로 하는 비등방성 입자배열체
4 4
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 탄성 도전체 또는 탄성 열전도체는 상기 탄성 고분자층내에 단일층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 비등방성 입자배열체
5 5
삭제
6 6
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 탄성 고분자는 실리콘인 것을 특징으로 하는 비등방성 입자배열체
7 7
정전도장방법을 이용하여 탄성 도전체 또는 탄성 열전도체 단일층을 준비하는 단계; 및 상기 탄성 도전체 또는 탄성 열전도체의 상부 및 하부가 노출되도록 상기 탄성 도전체 또는 탄성 열전도체 단일층 사이를 탄성 고분자로 충전하여 탄성 고분자층을 형성하는 단계;를 포함하는 비등방성 입자배열체 제조방법
8 8
삭제
9 9
제 7항에 있어서, 탄성 도전체 또는 탄성 열전도체 단일층을 기판상에 형성된 용해성 점착제층 상에 형성하고, 상기 탄성 고분자층이 형성되면, 상기 기판 및 용해성 점착제층을 제거하는것을 특징으로 하는 비등방성 입자배열체 제조방법
10 10
제 9항에 있어서, 상기 기판 및 용해성 점착제층을 제거하는 단계는, 상기 용해성 점착제층을 용해시켜 수행되는 것을 특징으로 하는 비등방성 입자배열체 제조방법
11 11
제 9항에 있어서, 상기 용해성 점착제층은 포토레지스트를 포함하는 것을 특징으로 하는 비등방성 입자배열체 제조방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP23034966 JP 일본 FAMILY
2 US20110027535 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2011034966 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 US2011027535 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 전자부품연구원 전자부품기반기술개발사업 비등방성 차세대 접속 부품 및 소재 개발