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열전도성 기판 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014028642
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 높은 열전도도를 나타내어, 보다 작은 면적의 열전도성 기판으로도 효율적으로 열방출이 가능한 열전도성 기판 및 그의 제조방법이 제안된다. 제안된 열전도성 기판은 하부히트싱크층과 하부히트싱크층 상에 접촉하면서 형성되는 열전도체, 및 열전도체 사이를 충전하는 절연 접착부를 포함하는 열전도층, 그리고 열전도층 상에 형성되되, 열전도체와 접촉되어 하부히트싱크층으로 열을 방출하는 상부층을 포함한다. 히트싱크, 다이아몬드, 질화붕소, 접착층
Int. CL H05K 1/02 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020090070325 (2009.07.31)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-1066114-0000 (2011.09.14)
공개번호/일자 10-2011-0012559 (2011.02.09) 문서열기
공고번호/일자 (20110920) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.07.31)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한철종 대한민국 서울특별시 강남구
2 김원근 대한민국 경기도 성남시 분당구
3 조현민 대한민국 경기도 용인시 기흥구
4 권순형 대한민국 서울특별시 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남충우 대한민국 서울 강남구 언주로 ***, *층(역삼동, 광진빌딩)(알렉스국제특허법률사무소)
2 노철호 대한민국 경기도 성남시 분당구 판교역로 ***, 에스동 ***호(삼평동,에이치스퀘어)(특허법인도담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.07.31 수리 (Accepted) 1-1-2009-0470145-71
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2010.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2010-0490260-06
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.12.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0579401-03
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.01.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0058036-08
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0058034-17
6 등록결정서
Decision to grant
2011.08.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0471689-69
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하부히트싱크층; 상기 하부히트싱크층 상에 일부가 상기 하부히트싱크층 내부로 인입되어 형성되는 열전도체, 및 상기 열전도체 사이를 충전하는 절연 접착부를 포함하는 열전도층; 및 상기 열전도층 상에 상기 열전도체가 내부로 일부 인입되어 형성되되, 상기 하부히트싱크층으로 열을 방출하는 상부층;을 포함하는 열전도성 기판
2 2
제 1항에 있어서, 상기 열전도체의 경도는 상기 하부히트싱크층 및 상기 상부층의 경도와 같거나 높은 것을 특징으로 하는 열전도성 기판
3 3
삭제
4 4
제 1항에 있어서, 상기 열전도층 내부의 열전도체는 단일입자층을 구성하는 것을 특징으로 하는 열전도성 기판
5 5
제 1항에 있어서, 상기 하부히트싱크층은 알루미늄 기판이고, 상기 상부층은 압연동박인 것을 특징으로 하는 열전도성 기판
6 6
제 1항에 있어서, 상기 열전도체는 다이아몬드입자 또는 질화붕소(Boron Nitride)입자인 것을 특징으로 하는 열전도성 기판
7 7
제 1항에 있어서, 상기 절연 접착부는 에폭시 수지인 것을 특징으로 하는 열전도성 기판
8 8
제 7항에 있어서, 상기 절연 접착부는 경화제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 열전도성 기판
9 9
하부히트싱크층 상에 접촉하도록 열전도체 단일층을 형성하는 단계; 상기 열전도체를 상면에서 가압하여 상기 열전도체의 일부를 상기 하부히트싱크층 내부로 인입시키는 단계; 상기 열전도체의 상측 일부가 노출되도록 상기 열전도체 사이를 접착물질로 충전하는 단계; 상기 노출된 열전도체와 접촉하도록 상부층을 형성하는 단계; 및 상기 상부층의 상면에서 가압하여 상기 열전도체의 일부를 상기 상부층 내부로 인입시키는 단계;를 포함하는 열전도성 기판 제조방법
10 10
삭제
11 11
삭제
12 12
제 9항에 있어서, 상기 열전도체 단일층을 형성하는 단계는 정전도장방법을 사용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 열전도성 기판 제조방법
13 13
제 9항에 있어서, 상기 접착물질로 충전하는 단계는 스핀코팅방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 열전도성 기판 제조방법
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1 JP23035400 JP 일본 FAMILY
2 US20110024101 US 미국 FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2011035400 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 US2011024101 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 전자부품연구원 전자부품기반기술개발사업 비등방성 차세대 접속 부품 및 소재 개발