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포스트 플라즈마를 이용한 질화방법 및 장치

  • 기술번호 : KST2014028702
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전처리 공정으로 질화 성능을 향상시키고, 질화 촉진제를 이용하여 신속한 질화 공정을 수행하며, 스크린망에 플라즈마를 생성하여 질화능을 향상시킬 수 있도록 한 포스트 플라즈마를 이용한 질화 방법 및 장치에 관한 것이다. 이를 위한, 본 발명의 포스트 플라즈마를 이용한 질화방법은, 시편 외부에 설치된 스크린망에 플라즈마를 생성시킨 후, 산화 및 환원성 기체에 의해 시편 표면의 잔류가스 및 불순물을 제거하는 표면 활성화 공정과; 상기 표면 활성화 공정을 거친 시편에 질소와 수소와 질화 촉진제를 첨가한 질화제를 투입하여 질화시키는 질화층 형성 공정과; 상기 노 내부의 온도를 떨어뜨려 질화층 형성 공정을 거친 시편을 냉각시키는 냉각 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다. 또한, 본 발명의 포스트 플라즈마를 이용한 질화장치는, 노 내부에 시편을 장입하여 가열하는 경우 시편 외부에서 발생된 플라즈마에 기체를 통과시켜 상기 시편을 질화시키는 장치에 있어서, 상기 시편 외부에 플라즈마가 생성되는 스크린망을 설치하고, 상기 스크린망 외측에는 다수의 가스홀을 갖는 가스관을 설치한 것을 특징으로 한다. 질화, 플라즈마, 산화, 환원, 탄소, 스크린망
Int. CL C23C 8/24 (2006.01) C23C 16/50 (2006.01)
CPC C23C 8/24(2013.01) C23C 8/24(2013.01) C23C 8/24(2013.01) C23C 8/24(2013.01) C23C 8/24(2013.01)
출원번호/일자 1020040111185 (2004.12.23)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-0610645-0000 (2006.08.02)
공개번호/일자 10-2006-0072523 (2006.06.28) 문서열기
공고번호/일자 (20060809) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.12.23)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김성완 대한민국 서울 양천구
2 문경일 대한민국 경기 과천시
3 변상모 대한민국 인천 연수구
4 이재승 대한민국 인천 부평구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유종정 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 *, ***호(역삼동, 강남역센트럴푸르지오시티)(오주특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2004.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2004-0609332-45
2 공지예외적용주장대상(신규성,출원시의특례)증명서류제출서
Submission of Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)
2004.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2004-5200619-56
3 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.
2004.12.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-0632263-22
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2006.01.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2006.02.13 수리 (Accepted) 9-1-2006-0009355-11
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.03.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0204920-18
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.04.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0207991-11
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.06.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0409894-15
9 의견서
Written Opinion
2006.06.12 수리 (Accepted) 1-1-2006-0409895-61
10 등록결정서
Decision to grant
2006.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0434755-11
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.02.09 수리 (Accepted) 4-1-2007-5022520-66
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.10.20 수리 (Accepted) 4-1-2008-5164358-96
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5178457-80
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.01.20 수리 (Accepted) 4-1-2009-5013686-94
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.08.30 수리 (Accepted) 4-1-2010-5161401-06
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.02 수리 (Accepted) 4-1-2012-5068733-13
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090658-47
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5017806-08
19 출원인정보변경(경정)신고서
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2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
노 내부에 시편을 장입 및 가열하는 경우 시편 외부에서 발생된 플라즈마에 기체를 통과시켜 상기 시편을 질화시킬 수 있도록, 상기 시편 외부에 설치된 스크린망에 플라즈마를 생성시킨 후, 산화 및 환원성 기체에 의해 시편 표면의 잔류가스 및 불순물을 제거하는 표면 활성화 공정과, 상기 표면 활성화 공정을 거친 시편에 질소와 수소와 질화 촉진제를 첨가한 질화제를 투입하여 질화시키는 질화층 형성 공정과, 상기 노 내부의 온도를 떨어뜨려 질화층 형성 공정을 거친 시편을 냉각시키는 냉각 공정을 포함하여 이루어지는 포스트 플라즈마를 이용한 질화방법에 있어서,상기 표면 활성화 공정(S10)은 1×10-2 Torr의 진공 압력에서 노(10)내의 온도를 산화 온도까지 상승시킨 후, 시편(P)의 표면을 5~10분간 균질화 처리하는 단계(S11)와;균질화 처리한 상기 시편(P)의 표면을 산화성 기체에 의해 10~30분간 산화 처리하는 단계(S12)와;노(10)내의 온도를 질화 온도까지 상승시킨 후, 산화 처리한 상기 시편(P)의 표면을 환원성 기체에 의해 10~30분간 환원 처리하는 단계(S13)를 포함하는 것을 특징으로 하는 포스트 플라즈마를 이용한 질화방법
3 3
제 2항에 있어서, 상기 산화 및 환원성 기체는 아산화질소 (N2O), 물(H2O), 공기, 삼플루오르질소(NF3), 수소(H2) 중 어느 하나가 적용됨을 특징으로 하는 포스트 플라즈마를 이용한 질화방법
4 4
제 2항에 있어서, 상기 질화 촉진제는 탄소 함유 가스인 것을 특징으로 하는 포스트 플라즈마를 이용한 질화방법
5 5
제 4항에 있어서, 상기 탄소 함유 가스는 프로판(C3H8), 아세틸렌(C2H2), 메탄(CH4) 중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 포스트 플라즈마를 이용한 질화방법
6 6
제 5항에 있어서, 상기 탄소 함유 가스 중 프로판(C3H8)의 경우에는 1
7 7
노 내부에 시편을 장입하여 가열하는 경우 시편 외부에서 발생된 플라즈마에 기체를 통과시켜 상기 시편을 질화시키는 장치에 있어서,상기 시편(P) 외부에 플라즈마(PS)가 생성되는 스크린망(20)을 설치하되 상기 스크린망(20)은 상부스크린망(20a)과 복수의 측부스크린망(20b)으로 구성하고, 상기 스크린망(20) 외측에는 다수의 가스홀(35)을 갖는 가스관(30)을 설치한 것을 특징으로 하는 포스트 플라즈마를 이용한 질화장치
8 8
삭제
9 9
제 7항에 있어서, 상기 스크린망(20)은 음극전원을 갖도록 금속 재질로 형성한 것을 특징으로 하는 포스트 플라즈마를 이용한 질화장치
10 9
제 7항에 있어서, 상기 스크린망(20)은 음극전원을 갖도록 금속 재질로 형성한 것을 특징으로 하는 포스트 플라즈마를 이용한 질화장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.