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벽수조절이 가능한 탄소나노튜브의 성장방법

  • 기술번호 : KST2014028756
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 양질이고 원하는 벽수를 갖는 탄소나노튜브를 성장시키는 방법에 관한 것이다. 이를 위해 본 발명은 기판상에 촉매금속층을 형성하는 단계와, 상기 촉매금속층 상에 합성가스를 주입하여 탄소나노튜브를 성장시키는 단계를 포함하고; 상기 촉매금속층과 상기 합성가스를 열 노출시간 내에 주입하여 상기 탄소나노튜브를 형성하는 탄소나노튜브 성장방법을 제공한다. 탄소나노튜브, 벽수, 촉매, 화학기상증착(CVD)
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC C01B 32/16(2013.01) C01B 32/16(2013.01) C01B 32/16(2013.01) C01B 32/16(2013.01) C01B 32/16(2013.01)
출원번호/일자 1020080050391 (2008.05.29)
출원인 계명대학교 산학협력단, 켄스코 주식회사
등록번호/일자 10-1005331-0000 (2010.12.24)
공개번호/일자 10-2009-0124277 (2009.12.03) 문서열기
공고번호/일자 (20110105) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.05.29)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 계명대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 달서구
2 켄스코 주식회사 대한민국 대구광역시 달서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김창득 대한민국 대구광역시 북구
2 이형락 대한민국 대구광역시 수성구
3 이창섭 대한민국 대구 달서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김일환 대한민국 서울특별시 관악구 남부순환로 ****, ***호 제니스국제특허법률사무소 (봉천동, 청동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 계명대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 달서구
2 켄스코 주식회사 대한민국 대구광역시 달서구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2008-0386627-37
2 보정요구서
Request for Amendment
2008.06.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0074080-72
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2008.06.17 수리 (Accepted) 1-1-2008-0430994-45
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2008.06.17 수리 (Accepted) 1-1-2008-0431102-25
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0179758-15
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.06.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0420066-70
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.06.29 수리 (Accepted) 1-1-2010-0420043-20
8 등록결정서
Decision to grant
2010.11.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0539588-94
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.03.07 수리 (Accepted) 4-1-2012-5048626-67
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.12.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0068218-86
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2016-5015088-89
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2018-5049338-19
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
챔버에서 기판상에 촉매금속층을 형성하는 단계와, 상기 촉매금속층 상에 합성가스를 주입하여 탄소나노튜브를 성장시키는 단계를 포함하되; 상기 촉매금속층이 증착된 기판을 상기 챔버에 주입한 시점부터 상기 합성가스의 주입한 시점까지로 정의되는 열 노출시간을 조절하여 상기 탄소나노튜브의 벽수를 조절하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 성장방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 촉매가 증착된 기판이 놓여지는 위치는 열적 영향을 받지 않는 위치거나 냉각수로 냉각되어진 부분에 위치시키는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 성장방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 탄소나노튜브 성장시 상기 열 노출시간을 0초 초과 내지 1초 이하의 범위로 조절하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 성장방법
4 4
삭제
5 5
제3항에 있어서, 상기 탄소나노튜브는 이중벽 탄소나노튜브(DWNT) 또는 삼중벽 탄소나노튜브(TWMT)로 구성되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 성장방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 챔버의 가열온도는 750~830℃의 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 성장방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 촉매금속층은 Fe, Ni, Co, Cr, Ni/Ti, Co/Ti, Fe/Ti 중 적어도 어느 하나를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 성장방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 탄소나노튜브의 성장은 T-CVD 공정과 인시츄 공정에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 성장방법
9 9
제1항에 있어서 상기 기판은 스테인레스강(SUS) 판인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 성장방법
10 10
제1항에 있어서, 상기 합성가스는 C2H2, H2 및 Ar을 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 성장방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.