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감마메트선원 어셈블리의 핀 체결장치

  • 기술번호 : KST2014028813
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 의한 반도체 소자의 제조방법은 이온주입공정을 이용하여 게이트 산화막 내에 수소 또는 중수소 이온을 최소 분포하면서도 상기 게이트 산화막과 실리콘 기판의 계면에서 수소 또는 중수소 이온을 최대 분포시키므로 게이트 산화막의 열화를 방지할 수 있다. 따라서, 본 발명은 모스 필드 이펙트 트랜지스터와 모스 커패시터와 같은 모스 소자의 게이트 산화막의 특성을 향상시키고, 나아가 모스 필드 이펙트 트랜지스터의 동작 특성을 향상시킬 수가 있다. 또한, 본 발명은 모스 필드 이펙트 트랜지스터의 신뢰성을 향상시킬 수가 있다.모스 소자, 게이트 산화막, 계면, 이온주입, 수소 또는 중수소 이온
Int. CL H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 21/28185(2013.01) H01L 21/28185(2013.01) H01L 21/28185(2013.01)
출원번호/일자 1020060027036 (2006.03.24)
출원인 한국원자력연구원
등록번호/일자 10-0760344-0000 (2007.09.13)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20070920) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.03.24)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이재성 대한민국 경북 경주시
2 김계령 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2006-0208872-18
2 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items
2006.05.15 수리 (Accepted) 1-1-2006-0336251-99
3 출원인변경신고서
Applicant change Notification
2006.05.15 수리 (Accepted) 1-1-2006-0335976-03
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2006.12.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.01.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0000710-07
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.02.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0083384-76
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2007.04.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0280495-10
8 의견서
Written Opinion
2007.04.12 수리 (Accepted) 1-1-2007-0280496-55
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2007-5073714-01
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.06.01 수리 (Accepted) 4-1-2007-5085193-38
11 등록결정서
Decision to grant
2007.06.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0333980-10
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.07.26 수리 (Accepted) 4-1-2007-5117973-29
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.07.26 수리 (Accepted) 4-1-2007-5117707-02
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.22 수리 (Accepted) 4-1-2012-5134067-95
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.16 수리 (Accepted) 4-1-2014-5109542-64
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번호 청구항
1 1
삭제
2 2
실리콘 기판 상에 게이트 산화막을 형성하는 단계;상기 게이트 산화막에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극을 가운데 두고 이격하도록 상기 실리콘 기판 내에 소오스/드레인 영역을 형성하는 단계;상기 게이트 전극과 소오스/드레인 영역에 전기적으로 연결하는 배선 전극을 형성하는 단계; 및상기 게이트 산화막의 열화를 방지하기 위한 이온의 분포를 상기 게이트 산화막과 실리콘 기판의 계면에서 최대로 높이며 상기 게이트 산화막 내에서 상기 이온의 분포를 낮추도록 상기 게이트 산화막에 상기 이온을 이온주입하는 단계를 포함하고,상기 이온으로서 수소 이온과 중수소 이온 중 어느 하나를 이온주입하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
3 3
삭제
4 4
제2항에 있어서, 상기 이온을 30~100KeV의 에너지와, 1E12~1E14/cm2의 이온조사량으로 이온주입하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.