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기판 상부에 게이트 전극을 형성하는 단계와,
상기 게이트 전극을 포함한 하부 기판 상부에 솔젤(Sol-gel)법을 통해 게이트 절연막을 코팅하는 단계와,
상기 게이트 절연막이 코팅된 기판을 OH 래디컬(radical)을 포함하는 용액에 넣고 큐어링을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 저온 큐어링을 이용한 게이트 절연막 형성방법
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기판 상부에 게이트 전극을 형성하는 단계와,
상기 게이트 전극을 포함한 하부 기판 상부에 솔젤(Sol-gel)법을 통해 게이트 절연막을 코팅하는 단계와,
상기 게이트 절연막이 코팅된 기판을 산성용액에 넣고 큐어링을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 저온 큐어링을 이용한 게이트 절연막 형성방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 솔젤(Sol-gel) 법은 스핀 코팅(Spin coating), 스프레이 코팅(Spray coating), 딥 코팅(Dip coating), 와이핑(Wiping) 및 롤 코팅(Roll coating) 중 어느 하나의 방법인 것을 특징으로 하는 저온 큐어링을 이용한 게이트 절연막 형성방법
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제 1 항에 있어서,
상기 OH 래디컬(radical)을 포함하는 용액은 물, 과산화수소수, 암모니아수, KOH수용액, NaOH수용액, Ca(OH2)수용액, Ba(OH2)수용액 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 저온 큐어링을 이용한 게이트 절연막 형성방법
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제 2 항에 있어서,
상기 산성용액은 오존(O3)용액을 포함하는 것을 특징으로 하는 저온 큐어링을 이용한 게이트 절연막 형성방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 용액에 자외선(Ultraviolet : UV)을 쬐어 큐어링을 수행하는 것을 특징으로 하는 저온 큐어링을 이용한 게이트 절연막 형성방법
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제 6 항에 있어서,
상기 자외선은 200nm이상 405nm이하의 파장대인 것을 특징으로 하는 저온 큐어링을 이용한 게이트 절연막 형성방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 용액을 발열체를 이용하여 20℃이상, 150℃이하의 온도로 가열하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 저온 큐어링을 이용한 게이트 절연막 형성방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 게이트 절연막을 코팅후 베이킹을 수행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 저온 큐어링을 이용한 게이트 절연막 형성방법
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상기 제 1 항 또는 제 2 항의 공정을 기반으로 솔젤 법으로 형성된 게이트 절연막의 큐어링을 수행시키기 위한 수행 프로그래밍을 저장하는 기록매체
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(A) 제 1 항 또는 제 2 항의 공정을 통해 저온 큐어링을 이용한 게이트 절연막을 형성하는 단계와,
(B) 상기 게이트 절연막 상부에 소스/드레인 전극 및 유기 반도체층을 형성하여 유기박막트랜지스터를 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 저온 큐어링을 이용한 게이트 절연막을 이용한 유기박막트랜지스터 제조방법
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제 11 항에 있어서, 상기 (B) 단계는
상기 게이트 절연막에 플라즈마 처리 공정을 수행하여, 친수성의 접착막을 게이트 절연막 표면에 형성하는 단계와,
상기 접착막 상면에 금속층을 형성하고, 상기 금속층 상에 포토레지스트를 도포하고, 상기 포토레지스트 상부에 소정의 패턴이 형성된 포토 마스크를 정렬한 후 광선을 조사하여 노광하고 그 이후에 현상하여 포토레지스트를 패터닝하는 단계와,
상기 패터닝된 포토레지스트를 마스크로 사용하여 상기 금속층을 선택적으로 식각하여 하부에 위치하는 게이트 전극 양 에지의 게이트 절연막 상에 소스/드레인 전극을 각각 형성하는 단계와,
상기 소스/드레인 전극 상측에 포토레지스트를 남긴 상태에서 상기 기판 전면에 플라즈마 재처리 공정을 수행하여, 소수성의 접착층을 패터닝된 포토레지스트를 통해 노출된 접착막에 형성하는 단계와,
상기 패터닝된 포토레지스트를 제거하고, 상기 소스/드레인 전극을 포함한 전면에 유기 물질을 도포한 후 패터닝하여, 유기 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 저온 큐어링을 이용한 게이트 절연막을 이용한 유기박막트랜지스터 제조방법
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