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저온 큐어링을 이용한 가스 베리어 층의 형성방법 및 이를 이용한 유기전계 발광소자의 제조방법

기술번호 : KST2014029171
담당센터 : 서울동부기술혁신센터
전화번호 : 02-2155-3662

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명의 일실시예는 저온공정이 가능하고 우수한 광투과율과 굴절률을 가지면서 동시에 수분이나 산소로부터 발광층을 포함한 내부 유기물 층들을 보호할 수 있는 우수한 내기체 투과성 특성을 가지는 박막 필름 형태의 보호막인 가스 베리어 층의 형성방법 및 이를 이용한 유기전계발광소자의 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 기판 상부에 솔젤(Sol-gel)법을 통해 보호막을 코팅하고, OH 래디컬(radical)을 포함하는 용액에 넣고 큐어링을 수행하여 가스 베리어 층을 형성하며, 또한 기판 상부에 투명 전극층, 홀 주입/수송층, 발광층(Emission Layer : EML), 전자 주입/수송층 및 금속 전극층이 순차적으로 형성된 유기전계발광소자의 상부에 상기 가스 베리어 층의 형성방법을 적용하여 보호막을 형성한다. 큐어링, 솔젤 법, 유기전계발광소자(OLED), 플렉시블, 보호막
Int. CL	H05B 33/04 (2006.01) H01L 51/56 (2006.01)
CPC	H01L 51/5253(2013.01) H01L 51/5253(2013.01)
출원번호/일자	1020090076364 (2009.08.18)
출원인	동국대학교 산학협력단
등록번호/일자	10-0953372-0000 (2010.04.09)
공개번호/일자
공고번호/일자	(20100420) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2009.08.18)
심사청구항수	15

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	동국대학교 산학협력단	대한민국	서울특별시 중구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	김삼동	대한민국	경기도 성남시 분당구
2	이재서	대한민국	경기도 성남시 분당구
3	오정훈	대한민국	인천광역시 부평구
4	문성운	대한민국	서울특별시 은평구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	문춘오	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로*길 , 테헤란오피스빌딩 ***호 문앤파트너특허법률사무소 (역삼동)
2	오위환	대한민국	서울특별시 서초구 강남대로길 , *층 (반포동, 새로나빌딩)(스카이특허법률사무소)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	동국대학교 산학협력단	대한민국	서울특별시 중구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2009.08.18	수리 (Accepted)	1-1-2009-0504684-00
2	[우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)	2010.01.11	수리 (Accepted)	1-1-2010-0015834-39
3	[우선심사신청]선행기술조사의뢰서 [Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search	2010.01.13	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
4	[우선심사신청]선행기술조사보고서 [Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search	2010.01.25	수리 (Accepted)	9-1-2010-0005697-44
5	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2010.02.10	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2010-0059055-45
6	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2010.03.09	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2010-0148281-76
7	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2010.03.09	수리 (Accepted)	1-1-2010-0148282-11
8	등록결정서 Decision to grant	2010.04.06	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2010-0144010-74
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2010.11.05	수리 (Accepted)	4-1-2010-5206478-99
10	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2011.12.06	수리 (Accepted)	4-1-2011-5243351-46
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.01.10	수리 (Accepted)	4-1-2014-0002002-62
12	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.08.16	수리 (Accepted)	4-1-2019-5163486-33

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 기판 상부에 솔젤(Sol-gel)법을 통해 보호막을 코팅하는 단계와, 상기 보호막이 코팅된 기판을 OH 래디컬(radical)을 포함하는 용액에 넣고 큐어링을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 저온 큐어링을 이용한 가스 베리어 층의 형성방법
2	2 기판 상부에 솔젤(Sol-gel)법을 통해 보호막을 코팅하는 단계와, 상기 보호막이 코팅된 기판을 산성용액에 넣고 큐어링을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 저온 큐어링을 이용한 가스 베리어 층의 형성방법
3	3 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 솔젤(Sol-gel) 법은 스핀 코팅(Spin coating), 스프레이 코팅(Spray coating), 딥 코팅(Dip coating), 와이핑(Wiping) 및 롤 코팅(Roll coating) 중 어느 하나의 방법인 것을 특징으로 하는 저온 큐어링을 이용한 가스 베리어 층의 형성방법
4	4 제 1 항에 있어서, 상기 OH 래디컬(radical)을 포함하는 용액은 물, 과산화수소수, 암모니아수, KOH수용액, NaOH수용액, Ca(OH2)수용액, Ba(OH2)수용액 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 저온 큐어링을 이용한 가스 베리어 층의 형성방법
5	5 제 2 항에 있어서, 상기 산성용액은 오존(O3)용액을 포함하는 것을 특징으로 하는 저온 큐어링을 이용한 가스 베리어 층의 형성방법
6	6 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 용액에 자외선(Ultraviolet : UV)을 쬐어 큐어링을 수행하는 것을 특징으로 하는 저온 큐어링을 이용한 가스 베리어 층의 형성방법
7	7 제 6 항에 있어서, 상기 자외선은 200nm이상 405nm이하의 파장대인 것을 특징으로 하는 저온 큐어링을 이용한 가스 베리어 층의 형성방법
8	8 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 용액을 발열체를 이용하여 20℃이상, 150℃이하의 온도로 가열하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 저온 큐어링을 이용한 가스 베리어 층의 형성방법
9	9 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 보호막을 코팅후 베이킹을 수행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 저온 큐어링을 이용한 가스 베리어 층의 형성방법
10	10 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 보호막은 무기재료 박막 및 고분자 재료 박막 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 저온 큐어링을 이용한 가스 베리어 층의 형성방법
11	11 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 보호막은 무기재료 박막 및 고분자 재료 박막이 각각 적층되는 다층구조로 이루지는 것을 특징으로 하는 저온 큐어링을 이용한 가스 베리어 층의 형성방법
12	12 기판 상부에 투명 인듐 틴 옥사이드(ITO) 투명 전극층을 형성하는 단계와, 상기 투명 전극층 상부에 홀 주입/수송층, 발광층(Emission Layer : EML), 전자 주입/수송층 및 금속 전극층을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 금속 전극층 상부에 상기 제 1 항 또는 제 2 항의 공정을 통해 저온 큐어링을 이용한 가스 베리어 층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 저온 큐어링을 이용한 가스 베리어 층을 이용한 유기전계발광소자의 제조방법
13	13 제 12 항에 있어서, 상기 기판은 유리 기판 또는 플렉시블 기판인 것을 특징으로 하는 저온 큐어링을 이용한 가스 베리어 층을 이용한 유기전계발광소자의 제조방법
14	14 제 13 항에 있어서 상기 기판이 고분자 필름의 플렉시블 기판인 경우는 기판 상부에 투명 전극층을 형성하기 전에 상기 제 1 항의 공정을 통해 저온 큐어링을 이용한 가스 베리어 층을 먼저 형성하는 것을 특징으로 하는 저온 큐어링을 이용한 가스 베리어 층을 이용한 유기전계발광소자의 제조방법
15	15 제 13 항에 있어서 상기 기판이 고분자 필름의 플렉시블 기판인 경우는 기판 상부에 투명 전극층을 형성하기 전에 상기 제 2 항의 공정을 통해 저온 큐어링을 이용한 가스 베리어 층을 먼저 형성하는 것을 특징으로 하는 저온 큐어링을 이용한 가스 베리어 층을 이용한 유기전계발광소자의 제조방법

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-0953372-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20090818 출원 번호 : 1020090076364 공고 연월일 : 20100420 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20100406 청구범위의 항수 : 15 유별 : H01L 51/56 발명의 명칭 : 저온 큐어링을 이용한 가스 베리어 층의 형성방법 및 이를 이용한 유기전계발광소자의 제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20180410

특허권자란

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순위번호	사항
1	(권리자) 동국대학교 산학협력단 서울특별시 중구...

등록료란

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제 1 - 3 년분	금 액	315,000 원	2010년 04월 12일	납입
제 4 년분	금 액	370,000 원	2013년 04월 10일	납입
제 5 년분	금 액	259,000 원	2014년 04월 10일	납입
제 6 년분	금 액	259,000 원	2015년 03월 31일	납입
제 7 년분	금 액	670,000 원	2016년 03월 31일	납입
제 8 년분	금 액	469,000 원	2017년 04월 10일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2009.08.18	수리 (Accepted)	1-1-2009-0504684-00
2	[우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서	2010.01.11	수리 (Accepted)	1-1-2010-0015834-39
3	[우선심사신청]선행기술조사의뢰서	2010.01.13	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
4	[우선심사신청]선행기술조사보고서	2010.01.25	수리 (Accepted)	9-1-2010-0005697-44
5	의견제출통지서	2010.02.10	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2010-0059055-45
6	[명세서등 보정]보정서	2010.03.09	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2010-0148281-76
7	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2010.03.09	수리 (Accepted)	1-1-2010-0148282-11
8	등록결정서	2010.04.06	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2010-0144010-74
9	출원인정보변경(경정)신고서	2010.11.05	수리 (Accepted)	4-1-2010-5206478-99
10	출원인정보변경(경정)신고서	2011.12.06	수리 (Accepted)	4-1-2011-5243351-46
11	출원인정보변경(경정)신고서	2014.01.10	수리 (Accepted)	4-1-2014-0002002-62
12	출원인정보변경(경정)신고서	2019.08.16	수리 (Accepted)	4-1-2019-5163486-33


기술번호	KST2014029171
자료제공기관	NTB
기술공급기관	동국대학교
기술명	저온 큐어링을 이용한 가스 베리어 층의 형성방법 및 이를 이용한 유기전계 발광소자의 제조방법
기술개요	본 발명의 일실시예는 저온공정이 가능하고 우수한 광투과율과 굴절률을 가지면서 동시에 수분이나 산소로부터 발광층을 포함한 내부 유기물 층들을 보호할 수 있는 우수한 내기체 투과성 특성을 가지는 박막 필름 형태의 보호막인 가스 베리어 층의 형성방법 및 이를 이용한 유기전계발광소자의 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 기판 상부에 솔젤(Sol-gel)법을 통해 보호막을 코팅하고, OH 래디컬(radical)을 포함하는 용액에 넣고 큐어링을 수행하여 가스 베리어 층을 형성하며, 또한 기판 상부에 투명 전극층, 홀 주입/수송층, 발광층(Emission Layer : EML), 전자 주입/수송층 및 금속 전극층이 순차적으로 형성된 유기전계발광소자의 상부에 상기 가스 베리어 층의 형성방법을 적용하여 보호막을 형성한다. 큐어링, 솔젤 법, 유기전계발광소자(OLED), 플렉시블, 보호막
개발상태	기술개발완료
기술의 우수성
응용분야	OLED, 반도체
시장규모 및 동향
희망거래유형	기술매매, 라이선스
사업화적용실적
도입시고려사항


과제고유번호	1415107997
세부과제번호	10032675
연구과제명	300mm ARC 공정용 SiON, SiCN 장비 및 공정개발
성과구분	등록
부처명	지식경제부
연구관리전문기관명	SECRET PROJECT
연구주관기관명	SECRET PROJECT
성과제출연도	2010
연구기간	200905~201204
기여율	1
연구개발단계명	개발연구
6T분류명	IT(정보기술)


과제고유번호	1415087985
세부과제번호	10031624
연구과제명	60nm이하DRAM공정적용을위한HighGapfill용SOD장비및공정개발
성과구분	출원
부처명	지식경제부
연구관리전문기관명	한국산업기술평가원
연구주관기관명	쏠리스
성과제출연도	2008
연구기간	200811~201110
기여율	1
연구개발단계명	개발연구
6T분류명	NT(나노기술)

특허성과

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