| 1 |
1
기판 상에 형성되는 방사체;
상기 방사체 내에 형성되고, 제1 주파수 대역에서 노치 특성을 갖도록 하는 제1 슬롯;
상기 방사체 내에 상기 제1 슬롯과 이격되어 형성되고, 제2 주파수 대역에서 노치 특성을 갖도록 하는 제2 슬롯;
상기 제1 슬롯에 형성되고, 상기 제1 주파수 대역에서 노치 특성의 활성화 여부를 결정하는 제1 스위치;
상기 제2 슬롯에 형성되고, 상기 제2 주파수 대역에서 노치 특성의 활성화 여부를 결정하는 제2 스위치; 및
상기 제1 스위치 및 제2 스위치는 DC 바이어스에 따라 온(On)/오프(Off) 동작을 하며, 상기 제1 슬롯의 양단에서 연장되어 형성되고, 상기 제1 스위치가 상기 DC 바이어스에 따라 온/오프 동작하도록 하는 제1 DC 블럭과, 상기 제2 슬롯의 양단에서 연장되어 형성되고, 상기 제2 스위치가 상기 DC 바이어스에 따라 온/오프 동작하도록 하는 제2 DC 블럭을 포함하며,
상기 제1 스위치의 오프 동작에 의해 상기 제1 주파수 대역에서 노치 특성이 나타나고, 상기 제1 스위치의 온 동작에 의해 상기 제1 주파수 대역에서 노치 특성이 나타나지 않으며, 상기 제2 스위치의 오프 동작에 의해 상기 제2 주파수 대역에서 노치 특성이 나타나고, 상기 제2 스위치의 온 동작에 의해 상기 제2 주파수 대역에서 노치 특성이 나타나지 않는, 선택적 노치 특성을 갖는 안테나
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,
상기 제1 스위치 및 제2 스위치는,
각각 상기 제1 슬롯 및 제2 슬롯의 중앙에 형성되는, 선택적 노치 특성을 갖는 안테나
|
| 4 |
4
삭제
|
| 5 |
5
삭제
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,
상기 제1 스위치 및 제2 스위치는,
PIN 다이오드, 제너 다이오드 또는 쇼트키 다이오드 중에서 선택되는, 선택적 노치 특성을 갖는 안테나
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,
상기 제1 주파수 대역은 3
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,
상기 방사체는 반원형의 형상으로 이루어지는, 선택적 노치 특성을 갖는 안테나
|
| 9 |
9
제8항에 있어서,
상기 제1 슬롯 및 제2 슬롯은 아치 형상으로 이루어지는, 선택적 노치 특성을 갖는 안테나
|
| 10 |
10
제1항에 있어서,
상기 기판 상에 형성되고, 상기 방사체에 급전하는 코플라나 도파관(Coplanar Waveguide : CPW) 급전부; 및
상기 기판 상에 상기 코플라나 도파관 급전부를 사이에 두고 형성되는 접지부를 더 포함하는, 선택적 노치 특성을 갖는 안테나
|
| 11 |
11
삭제
|
| 12 |
12
삭제
|
| 13 |
13
삭제
|
| 14 |
14
삭제
|
| 15 |
15
삭제
|
| 16 |
16
삭제
|
