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격리된전기소자들간의신호통로를위한에어브릿지형성방법

  • 기술번호 : KST2014029190
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 초고주파 집적회로의 전력용 GaAs MESFET(metal-semiconductor field effect trasistor) 및 수동소자에서 격리된 전극을 상호 연결하기 위한 에어브리지(air-bridge) 제조 방법에 관한 것으로 형성된 소자 패턴에서 구조상 발생하는 기생 캐패시턴스를 작게하여 소자의 주파수의 특성을 개선하기 하기 위한 소오스간의 전기적인 연결 장치의 갭에 에어를 채워넣는 에어브리지 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 21/768 (2006.01)
CPC H01L 21/823437(2013.01) H01L 21/823437(2013.01)
출원번호/일자 1019950024199 (1995.08.05)
출원인 이진구
등록번호/일자 10-0172592-0000 (1998.10.26)
공개번호/일자 10-1997-0013208 (1997.03.29) 문서열기
공고번호/일자 (19990330) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.08.05)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 이진구 대한민국 서울특별시 도봉구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이진구 서울특별시 도봉구
2 이일형 대한민국 서울특별시중구
3 김상명 대한민국 서울특별시중구
4 조승기 대한민국 서울특별시중구
5 윤관기 대한민국 서울특별시중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
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최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 동국대학교 산학협력단 서울특별시 중구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
1995.08.05 수리 (Accepted) 1-1-1995-0101402-48
2 출원심사청구서
Request for Examination
1995.08.05 수리 (Accepted) 1-1-1995-0101403-94
3 등록사정서
Decision to grant
1998.07.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0053046-19
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2003.07.28 수리 (Accepted) 4-1-2003-0042985-53
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번호 청구항
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기판상에 활성층을 형성하는 과정, 음성 포토레지스트를 이용한 상기조건의 영상반전 공증으로 제1의 금속 전극을 형성하는 과정, 소오스와 드레인간의 전류 흐름 통로인 채널의 두께를 조절하기 위해 상기 활성층에 리세스 에칭을 행하는 과정과, 상기 리세스된 부분에 제2 금속 전극을 형성하는 과정으로 구성되어 제2의 금속전극 패턴을 형성하는 제1단계와, 상기 1단계에서 형성된 상기 제1금속 전극상에 에어 브리지용 포스트를 만드는 제2단계와, 상기 제2단계에서 만들어진 포스트를 이용하여 제1금속 전극들간을 연결시킬 금속박막을 형성하는 제3단계와, 상기 제3단계의 공정중 금속박막의 갭을 공기로 채워지도록 하기위하여 포토레지스트를 리소그라피하는 제4단계와, 상기 제3단계에서 형성된 금속박막을 금속층으로 증착하는 제5단계로 이루어져, 제2금속과 상기 제1의 금속층간의 갭을 공기로 채워 기생캐패시턴스가 작아지도록 하여 반도체 소자의 주파수 특성을 개선시킨 격리된 전기 소자들 간의 신호통로를 위한 에어 브리지 제조방법 및 상기의 공정으로 만들어진 농동소자 및 인덕터와 캐패시터 등의 수동소자를 제조하는 에어브리지 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.