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표면 멤스 기술을 이용한 다공성 실리콘 기반마이크로스트립 전송선로

  • 기술번호 : KST2014029198
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 표면 MEMS 기술을 이용하여 산화된 다공성 실리콘 기판 표면에 유전체 기둥을 제작하고 그 기둥 위에 신호선을 올려놓은 형태의 저손실 마이크로스트립 전송선에 관한 것으로, 전송선로 구현시 산화된 다공성 실리콘 기판 표면상부에 전송선과 접지면 사이에 있는 유전체에서 발생하는 유전체 손실을 줄이기 위한 최소 체적의 다수개의 유전체 단일 기둥을 구비하고 상기 유전체 기둥 상부에 신호선을 제작함으로써, MEMS 기술을 이용한 종래의 밀리미터파 집적회로의 저손실 전송 선로에 비하여 제작 공정이 비교적 간단하고, 전송선로와 접지면 사이에 있는 유전체에서 발생하는 유전체 손실과 기판에 의한 유전체 손실이 줄어들며 기존의 집적회로 소자와 서로 호환이 가능한 밀리미터파 집적회로의 저손실 전송 선로에 대한 것이다. 다공성 실리콘, MEMS, 유전체 기둥, 밀리미터파, 집적회로
Int. CL H01P 3/08 (2006.01.01) H01P 3/08 (2006.01.01) H01P 3/02 (2006.01.01)
CPC H01P 3/08(2013.01) H01P 3/08(2013.01) H01P 3/08(2013.01)
출원번호/일자 1020030082841 (2003.11.21)
출원인 학교법인 동국대학교, 이한신, 김성찬, 임병옥, 신동훈, 김순구, 이진구
등록번호/일자 10-0579441-0000 (2006.05.08)
공개번호/일자 10-2005-0049581 (2005.05.27) 문서열기
공고번호/일자 (20060512) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.11.21)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인 동국대학교 대한민국 서울특별시 중구
2 이진구 대한민국 서울특별시 도봉구
3 김순구 대한민국 서울특별시 양천구
4 이한신 대한민국 전라남도 완도군
5 신동훈 대한민국 경기도 고양시 일산동구
6 김성찬 대한민국 서울특별시 동작구
7 임병옥 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이한신 대한민국 전라남도 완도군
2 김성찬 대한민국 서울특별시 동작구
3 임병옥 대한민국 서울특별시 강북구
4 신동훈 대한민국 경기도 고양시 일산구
5 김순구 대한민국 서울특별시 양천구
6 이진구 대한민국 서울특별시 도봉구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영두 대한민국 서울특별시 광진구 아차산로 ***, 민도빌딩 ***호 (구의동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 동국대학교 산학협력단 서울특별시 중구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2003.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2003-0439047-15
2 공지예외적용주장대상(신규성,출원시의특례)증명서류제출서
Submission of Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)
2003.11.24 수리 (Accepted) 1-1-2003-5222534-44
3 공지예외적용주장대상(신규성,출원시의특례)증명서류제출서
Submission of Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)
2003.11.24 수리 (Accepted) 1-1-2003-5222533-09
4 공지예외적용주장대상(신규성,출원시의특례)증명서류제출서
Submission of Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)
2003.11.24 수리 (Accepted) 1-1-2003-5222532-53
5 공지예외적용주장대상(신규성,출원시의특례)증명서류제출서
Submission of Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)
2003.11.24 수리 (Accepted) 1-1-2003-5222531-18
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2005.06.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2005.07.15 수리 (Accepted) 9-1-2005-0042458-99
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2005.08.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0387414-20
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2005.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2005-5099978-65
10 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2005.10.07 수리 (Accepted) 1-1-2005-0567269-26
11 의견서
Written Opinion
2005.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2005-0612299-31
12 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2005.10.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0612298-96
13 등록결정서
Decision to grant
2006.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0112182-96
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.05.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5072449-62
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.10.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5210254-16
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5103292-98
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5244061-76
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
마이크로스트립 전송선로에 있어서, 양극 산화 기법에 의하여 깊이와 단위 면적당 개수가 조절되는 홀(11)이 구비된 다공성 실리콘 기판(10)과;상기 다공성 실리콘 기판(10) 표면에 구비되 접지면(20)에 수직으로 세워진 유전체로 이루어진 다수개의 유전체 기둥(30) 및;상기 유전체 기둥(30)으로 지지되어 접지면(20)과의 사이에 공기층이 형성되는 마이크로스트립 전송선(40);으로 구성된 것을 특징으로 하는 표면 MEMS 기술을 이용한 다공성 실리콘 기반 마이크로스트립 전송선로
2 2
제 1항에 있어서, 상기 실리콘 기판(10)의 다공층의 두께(w)가 1㎛인 것을 특징으로 하여 이루어진 표면 MEMS 기술을 이용한 다공성 실리콘 기반 마이크로스트립 전송선로
3 2
제 1항에 있어서, 상기 실리콘 기판(10)의 다공층의 두께(w)가 1㎛인 것을 특징으로 하여 이루어진 표면 MEMS 기술을 이용한 다공성 실리콘 기반 마이크로스트립 전송선로
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.