맞춤기술찾기

이전대상기술

광반응성 폴리이미드를 이용한 패시베이션 방법

  • 기술번호 : KST2014029202
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 패시베이션(passivation) 방법에 대한 것으로써, 공정이 간단하고 소자의 성능 저하도 방지할 수 있으며, 저가격화가 가능한 광반응성 폴리이미드를 이용한 패시베이션 방법이다. 본 발명의 광반응성 폴리이미드를 이용한 패시베이션 방법은, 광반응성 폴리이미드를 반도체 기판에 회전 도포(spin coating)한 후 선굽기(pre-baking)를 수행하는 제 1단계; 필요한 부분만을 남기기 위한 노광(exposure)의 제 2단계; 노광된 광반응성 폴리이미드를 현상하여 필요로 하지 않는 부분을 제거한 후, 흡착력 강화와 광반응성 폴리이미드의 경화를 위한 현상과 후굽기(post-baking)의 제 3단계를 포함하여 구성되어 있다. 본 발명은 광반응성 폴리이미드를 사용하여 한 번의 패턴 형성 작업으로 저유전율의 패시베이션 막을 제작함으로써 공정의 단순화 및 저가격화를 이루는 것으로, 본 발명으로 인해 부정합 고전자이동도 트랜지스터 및 초고주파 집적회로 제작 과정에서 필수적인 패시베이션 공정이 방법이 간단하고 플라즈마의 증착 과정 및 건식 식각에 따른 소자의 특성저하가 일어나는 것을 줄일 수 있으며, 가격적인 측면에서 저가에 패시베이션 공정을 수행할 수 있는 효과를 낼 수 있다. 또한 두꺼운 패시베이션 박막을 형성함으로써 소자, 회로 및 이들 소자와 회로를 이용하여 구성된 시스템의 내구성을 증가시킬 수 있는 효과가 있다. photoactive polyimide, passivation, 밀리미터파 대역, PHEMT, MMIC
Int. CL H01L 21/312 (2000.01)
CPC H01L 21/28247(2013.01) H01L 21/28247(2013.01) H01L 21/28247(2013.01)
출원번호/일자 1020040067729 (2004.08.27)
출원인 학교법인 동국대학교, 이진구, 김삼동, 한효종
등록번호/일자 10-0787267-0000 (2007.12.12)
공개번호/일자 10-2006-0019197 (2006.03.03) 문서열기
공고번호/일자 (20071221) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.09.09)
심사청구항수 1

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 학교법인 동국대학교 대한민국 서울특별시 중구
2 한효종 대한민국 서울 도봉구
3 이진구 대한민국 서울특별시 도봉구
4 김삼동 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한효종 대한민국 서울 도봉구
2 이진구 대한민국 서울특별시 도봉구
3 김삼동 대한민국 경기 성남시 분당구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 신영두 대한민국 서울특별시 광진구 아차산로 ***, 민도빌딩 ***호 (구의동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 동국대학교 산학협력단 서울특별시 중구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2004.08.27 수리 (Accepted) 1-1-2004-0385362-16
2 출원심사청구서
Request for Examination
2005.09.09 수리 (Accepted) 1-1-2005-0504756-40
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2005.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2005-5099978-65
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2006.06.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2006.07.13 수리 (Accepted) 9-1-2006-0048267-49
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0441932-50
7 의견서
Written Opinion
2006.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2006-0702156-90
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.09.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0702144-42
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2007.03.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0146323-13
10 의견서
Written Opinion
2007.05.14 수리 (Accepted) 1-1-2007-0352800-65
11 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2007.05.14 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2007-0352779-93
12 등록결정서
Decision to grant
2007.09.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0515583-11
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반절연성 갈륨-비소(GaAs) 반도체 기판(11) 위에 부정합 고전자이동도 트랜지스터(12) 및 초고주파 집적회로(13)가 형성되고, 상기 부정합 고전자이동도 트랜지스터(12) 및 초고주파 집적회로(13)가 형성된 반도체 기판(11) 상부에 광반응성 폴리이미드(14)를 회전 도포 방법으로 5μm이상으로 형성한 후, 100 ℃ 정도의 온도에서 선굽기(pre-baking)를 수행하는 제 1단계와; 패턴이 형성된 마스크(16)와 광반응성 폴리이미드가 도포된 반도체 기판을 접촉시킨 후 405 nm 이하의 파장을 갖는 자외선(15)에 노출시켜, 측정 와이어 본딩용 패드(17) 등의 필요로 하는 부분만을 남기기 위한 노광의 제 2단계와;상기 제2단계에서 노광되지 않은 측정 와이어 본딩용 패드 위의 광반응성 폴리이미드만 현상과정을 통해 제거하기 위해 120℃ 이상의 고온에서후굽기(post-baking)를 수행하는 제 3단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 광반응성 폴리이미드를 이용한 패시베이션 방법
2 1
반절연성 갈륨-비소(GaAs) 반도체 기판(11) 위에 부정합 고전자이동도 트랜지스터(12) 및 초고주파 집적회로(13)가 형성되고, 상기 부정합 고전자이동도 트랜지스터(12) 및 초고주파 집적회로(13)가 형성된 반도체 기판(11) 상부에 광반응성 폴리이미드(14)를 회전 도포 방법으로 5μm이상으로 형성한 후, 100 ℃ 정도의 온도에서 선굽기(pre-baking)를 수행하는 제 1단계와; 패턴이 형성된 마스크(16)와 광반응성 폴리이미드가 도포된 반도체 기판을 접촉시킨 후 405 nm 이하의 파장을 갖는 자외선(15)에 노출시켜, 측정 와이어 본딩용 패드(17) 등의 필요로 하는 부분만을 남기기 위한 노광의 제 2단계와;상기 제2단계에서 노광되지 않은 측정 와이어 본딩용 패드 위의 광반응성 폴리이미드만 현상과정을 통해 제거하기 위해 120℃ 이상의 고온에서후굽기(post-baking)를 수행하는 제 3단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 광반응성 폴리이미드를 이용한 패시베이션 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.