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| 요약 |
본 발명은 초고주파 및 밀리미터파 용 전계효과 트랜지스터(FET) 제조에 있어서 수소화 실세스퀴옥산을 이용한 게이트 및 그 제조방법에 관한 것이다. 전계효과 트랜지스터의 제조에 있어서 소자의 고속 동작 특성을 평가하는 전류 이득 차단 주파수(current gain cut-off frequency)를 결정하는 주된 요인은 소자의 게이트 길이(gate length)이며, 게이트 길이가 짧아질수록 전류 이득 차단 주파수는 증가하게 된다. 이러한 특성을 위해 기존의 제조 방법에 의하여 게이트 길이를 짧게 하면 그 수율이 떨어지게 되며 재현성도 낮아지게 된다. 본 발명은 게이트 길이를 최소화하기 위한 것으로, 미세 패턴 형성이 가능하다고 알려진 수소화 실세스퀴옥산(HSQ)를 이용하여 다층구조 T형 게이트를 제조하여 게이트 길이를 최소화 한다. 본 발명에 의한 수소화 실세스퀴옥산을 이용한 게이트 및 그 제조방법에 따르면, 게이트 길이를 매우 짧게 만들 수 있으며, 건식 식각 같은 공정이 필요 없어 비교적 간단히 제조 가능하며, 또한 음성 레지스터의 특성상 전자를 맞는 부분이 남기 때문에 게이트 다리 형성시 수소화 실세스퀴옥산 패드가 남아 보호막의 역할을 같이 수행하게 되기도 하며, 제조과정의 단순화 및 높은 신뢰도 및 재현성을 얻을 수 있다. 초고주파 반도체 소자, 게이트, 수소화 실세스퀴옥산.
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| Int. CL |
H01L 21/28 (2006.01.01) H01L 29/51 (2006.01.01)
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| CPC |
H01L 21/28114(2013.01) H01L 21/28114(2013.01) H01L 21/28114(2013.01)
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| 출원번호/일자 |
1020040077431
(2004.09.24)
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| 출원인 |
학교법인 동국대학교, 백태종, 임병옥, 김성찬, 이진구, 신동훈
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| 등록번호/일자 |
10-0633211-0000
(2006.09.29)
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| 공개번호/일자 |
10-2006-0028325
(2006.03.29)
문서열기
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| 공고번호/일자 |
(20061011)
문서열기
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| 국제출원번호/일자 |
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| 국제공개번호/일자 |
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| 우선권정보 |
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| 법적상태 |
등록 |
| 심사진행상태 |
수리 |
| 심판사항 |
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| 구분 |
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| 원출원번호/일자 |
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| 관련 출원번호 |
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| 심사청구여부/일자 |
Y
(2005.09.22)
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| 심사청구항수 |
3 |
